1.一种半导体装置的制造方法，包括︰
形成一第一半导体层于一基底上方；
形成一蚀刻停止层于该第一半导体层上方；
形成一虚置层于该蚀刻停止层上方；
形成多个隔离区于该虚置层、该蚀刻停止层及该第一半导体层内；
去除该等隔离区之间的该虚置层及该蚀刻停止层，以形成一空间，该空间内露出该第一半导体层；
形成一第二半导体层于该空间内的该第一半导体层上方；
形成一第三半导体层于该空间内的该第二半导体层上方；以及
下凹该等隔离区，以露出该第三半导体层的一上部。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，更包括：
形成一栅极结构于露出的该第三半导体层的该上部。
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该第一半导体层包括一第一锗基半导体材料，该第二半导体层包括一硅或硅基半导体材料，且该第三半导体层包括一第二锗基半导体材料，且其中该第一及该第二锗基半导体材料的锗含量大于该第二半导体层的一锗含量。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该蚀刻停止层包括SiN、SiON、SiCN及SiOCN的其中至少一者，且该虚置层包括一多晶硅或一非晶硅。
5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该第二半导体层外延生长于该空间内的该第一半导体层上方，使第二半导体层的一上表面低于该空间的最上部。
6.一种半导体装置的制造方法，包括︰
形成一第一半导体层于一基底上；
形成一蚀刻停止层于该第一半导体层上方；
形成一虚置层于该蚀刻停止层上方；
形成多个隔离区于该虚置层、该蚀刻停止层及该第一半导体层内；
去除该等隔离区之间的该虚置层及该蚀刻停止层，以于一第一区域形成一 空间，而未去除位于一第二区域的该虚置层及该蚀刻停止层，该空间内露出该第一半导体层；
形成一第二半导体层于该第一区域的该空间内的该第一半导体层上方；
形成一第三半导体层于该第一区域的该空间内的该第二半导体层上方；以及
下凹该等隔离区，以露出该第三半导体层的一上部。
7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中形成该等隔离区的步骤包括：
于该虚置层、该蚀刻停止层及该第一半导体层内形成多个沟槽；
形成绝缘材料于该等沟槽内及其上方；以及
去除形成于该等沟槽上方的该绝缘材料。
8.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中该第一半导体层包括一第一锗基半导体材料，该第二半导体层包括一硅或硅基半导体材料，且该第三半导体层包括一第二锗基半导体材料，且其中该第一及该第二锗基半导体材料的锗含量大于该第二半导体层的一锗含量。
9.一种半导体装置，包括︰
多个装置区域，其内设置包括一鳍式场效晶体管的多个主动电路元件；以及
一非装置区域，设置于该等装置区域之间或包括一切割道及包括一虚置结构，其中：
该鳍式场效晶体管包括：
一鳍结构，具有包括一第一半导体层的一阱区、包括一第二半导体层的一应力源区以及包括一第三半导体层的一通道区；
一隔离区，该阱区埋入于其内，且自该阱区露出该通道区的至少一上部；以及
一栅极结构，设置于一部分的该鳍结构的上方；以及
位于该非装置区域的该虚置结构包括：
一第一虚置层，形成于该第一半导体层上方，且由不同于该应力源区的材料制成；以及
一第二虚置层，形成于该第一虚置层上方，且由不同于该通道区的材料制 成。
10.如权利要求9所述的半导体装置，其中该第一虚置层包括SiN、SiON、SiCN及SiOCN的其中至少一者，且该第二虚置层包括一多晶硅或一非晶硅。