存储器结构及其制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种存储器结构及其制造方法。存储器结构包括一下电极、一上绝缘层、一材料层、一共享开口、一介电膜、与一上电极。上绝缘层位于下电极上。材料层位于上绝缘层上。上绝缘层与材料层具有一共享开口以露出该下电极的一部分。介电膜位于下电极露出的部分上。介电膜与材料层含有相同的一第一过渡金属。上电极位于介电膜上并填充共享开口。

技术研发人员：李峰旻;林昱佑
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
技术研发日：2015.12.24
技术公布日：2017.07.04