本发明涉及光致发光材料领域，特别涉及一种石墨烯光致发光基片及其制备方法和应用。
背景技术：
固体发光是指电磁波、电能、机械能及化学能等作用到固体上而被转化为光能的现象。固体发光技术是近年来发展迅猛的一个领域，以半导体发光二极管(led)为基础，加上光致发光材料制成的各种发光器件在照明以及显示等领域有着广泛的应用。
现有技术中通常是将光致发光材料直接涂覆在led芯片表面，但是该技术只适用于对温度敏感度不高的光致发光材料，这是因为led芯片在工作的时候表面温度较高，对于温度敏感度较高的光致发光材料，如色纯度很高的无机半导体材料，则会出现因为工作温度高而导致的光致发光材料发光性能下降的问题。虽然现在也有将光致发光材料置于离led芯片一定距离上的远程激发技术，以解决光致发光材料过热的问题，但是这样一来也会带来成本大幅度上升、发光器件整体设计复杂等一系列问题，在实际应用中受到很大限制。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种石墨烯光致发光基片及其制备方法和应用，本发明提供的石墨烯光致发光基片能够有效地使对热敏感的光致发光材料不受led芯片工作时产生的高温的影响，从而使固体发光器件保持较高的发光性能，大大拓展了对热敏感的光致发光材料的使用范围。
本发明提供了一种石墨烯光致发光基片，具有夹芯结构，所述夹芯结构的芯层为光致发光材料层，所述夹芯结构的表层为石墨烯层。
优选的，所述石墨烯层的厚度为10～1000nm。
优选的，所述光致发光材料层的厚度为10～1000nm。
优选的，所述光致发光材料层中光致发光材料的发光范围为190～3000nm。
优选的，所述石墨烯光致发光基片还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述石墨烯层外侧和/或所述石墨烯层与所述光致发光材料层之间。
优选的，所述绝缘层的厚度为10～1000nm。
优选的，所述石墨烯光致发光基片包括以下结构：
与led芯片接触的依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、第二绝缘层、光致发光材料层、第三绝缘层、第二石墨烯层、第四绝缘层；
或者依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、光致发光材料层、第二绝缘层、第二石墨烯层、第三绝缘层；
或者依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、第二绝缘层、光致发光材料层、第二石墨烯层、第三绝缘层；
或者依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、光致发光材料层、第二石墨烯层、第二绝缘层。
本发明提供了上述技术方案所述石墨烯光致发光基片的制备方法，包括以下步骤：
将光致发光材料与分散剂混合，将得到的光致发光材料分散液涂覆在石墨烯层形成的夹层内部，形成光致发光材料层，得到石墨烯光致发光基片。
本发明提供了上述技术方案所述石墨烯光致发光基片的制备方法，包括以下步骤：
在石墨烯层外侧和/或石墨烯层与光致发光材料层之间设置绝缘层，得到石墨烯光致发光基片；
在石墨烯层外侧设置绝缘层的方法包括：
将绝缘材料与分散剂混合，将得到的绝缘材料分散液涂覆在石墨烯层外侧，形成绝缘层；
或者，将预制的绝缘层覆盖在石墨烯层外侧；
在石墨烯层与光致发光材料层之间设置绝缘层的方法包括：
将绝缘材料与分散剂混合，将得到的绝缘材料分散液涂覆在石墨烯层与光致发光材料层形成的夹层内部，形成绝缘层；
或者，将预制的绝缘层设置在石墨烯层与光致发光材料层之间。
本发明提供了上述技术方案所述石墨烯光致发光基片或上述技术方案所述制备方法制备得到的石墨烯光致发光基片在照明、显示或太阳能电池板领域中的应用。
本发明提供了一种石墨烯光致发光基片，包括一层光致发光材料层和两层石墨烯层，所述光致发光材料层设置在两层石墨烯层之间。本发明采用石墨烯作为光致发光基片的保护层，是基于石墨烯具有优异的导热性能，且这种优异的导热性能只是在石墨烯层的平面之内，在不同的石墨烯层之间导热性能相对较差，这样的导热性可以保证石墨烯层将热量有效的传导出去，而不致影响到需要保护的光致发光材料；同时，石墨烯的致密度非常高，即使是最小的气体分子——氦分子(只由一个氦原子构成)也无法穿过，这样可以保证将氧气、水等可能会影响到光致发光材料性能的小分子与光致发光材料隔绝开，不致影响其发光性能；此外，石墨烯本身对光的吸收率低，如，单层石墨烯对可见光的吸收率只有2.3％，这样可以保证具有石墨烯保护层的光致发光基片不会对固体发光器件的发光性能有明显影响。因此，本发明提供的石墨烯光致发光基片能够在不对现有的以led芯片为基础的固体发光器件制造工艺进行大幅度改造的情况下，大大拓展对热敏感的光致发光材料的使用范围。
附图说明
图1为石墨烯光致发光基片的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种石墨烯光致发光基片，具有夹芯结构，所述夹芯结构的芯层为光致发光材料层，所述夹芯结构的表层为石墨烯层。
本发明提供的石墨烯光致发光基片包括光致发光材料层，所述光致发光材料层的厚度优选为10～1000nm，更优选为50～900nm，再优选为100～800nm，最优选为200～600nm。在本发明中，所述光致发光材料层中光致发光材料的发光范围优选为190～3000nm，更优选为350～2500nm，最优选为750～2000nm。
本发明对于所述光致发光材料的种类没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的光致发光材料即可。在本发明中，所述光致发光材料包括有机光致发光材料和无机光致发光材料。在本发明中，所述有机光致发光材料包括有机小分子光致发光材料和高分子光致发光材料。本发明对于所述有机小分子光致发光材料的种类没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的有机小分子光致发光材料即可，具体如红色荧光材料bsn、bzta2或tpp，绿色荧光材料香豆素衍生物或喹吖啶酮衍生物，蓝色荧光材料二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物或芘衍生物。本发明对于所述高分子光致发光材料的种类没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的高分子光致发光材料即可，具体如聚苯撑乙烯及其衍生物、聚乙炔及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚吡啶及其衍生物、聚呋喃及其衍生物或聚噁唑及其衍生物。
本发明对于所述无机光致发光材料的种类没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的无机光致发光材料即可，具体如钙钛矿光致发光材料、碳光致发光材料、磷酸钙光致发光材料、卤磷酸钙光致发光材料、稀土光致发光材料、氮化物光致发光材料或无机半导体光致发光材料。
在本发明中，所述无机半导体光致发光材料优选包括ii-vi族、iii-v族或i-iii-vi族半导体光致发光材料；或者包括在前述三类半导体光致发光材料中掺入过渡金属而形成的半导体光致发光材料；或者包括前述四类半导体光致发光材料之间组合而形成的具有核/壳、核/壳/壳或核/壳/壳/壳结构的半导体光致发光材料，具体如核材料为硒化镉，直径为1～7nm，壳层材料为硫化锌，厚度为0.3～5nm。在本发明中，所述ii-vi族半导体光致发光材料中ii族元素优选包括锌或镉，vi族元素优选包括硫、硒或碲；所述iii-v族半导体光致发光材料中iii族元素优选包括镓或铟，v族元素优选包括砷或磷；所述i-iii-vi族半导体光致发光材料中i族元素优选包括铜或银，所述iii族元素优选包括镓或铟，所述v族元素优选包括砷或磷。在本发明中，所述过渡金属优选包括铜、锰或铁；掺入的所述过渡金属与母体材料阳离子的摩尔比优选为(0.001～1)：1，更优选为(0.01～0.5)：1，最优选为(0.05～0.2)：1。
本发明对于上述光致发光材料的来源没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的上述光致发光材料的市售商品或制备方法制备得到的光致发光材料产品即可。
本发明提供的石墨烯光致发光基片包括两层石墨烯层，所述石墨烯层的厚度独立优选为10～1000nm，更优选为50～900nm，再优选为100～800nm，最优选为200～600nm。本发明对于所述石墨烯层的形成方式或来源没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的石墨烯薄膜市售商品作为石墨烯层即可。
根据实际需要，如在强电或需要隔离电流干扰的情况下，本发明提供的石墨烯光致发光基片优选还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述石墨烯层外侧和/或所述石墨烯层与所述光致发光材料层之间。在本发明中，所述绝缘层的厚度优选为10～1000nm，更优选为50～900nm，再优选为100～800nm，最优选为200～600nm。本发明对于所述绝缘层中绝缘材料的种类没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的绝缘材料即可。在本发明中，所述绝缘材料优选包括聚对苯二甲酸类绝缘材料或聚丙烯酸酯类绝缘材料；所述聚对苯二甲酸类绝缘材料优选具体为聚对苯二甲酸乙二酯(pet)或聚对苯二甲酸丁二酯(pbt)；所述聚丙烯酸酯类绝缘材料优选具体为聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)。
在本发明中，所述绝缘层设置在所述石墨烯层外侧和/或所述石墨烯层与所述光致发光材料层之间；具体的，所述石墨烯光致发光基片优选包括以下结构：
与led芯片接触的依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、第二绝缘层、光致发光材料层、第三绝缘层、第二石墨烯层、第四绝缘层；
或者依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、光致发光材料层、第二绝缘层、第二石墨烯层、第三绝缘层；
或者依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、第二绝缘层、光致发光材料层、第二石墨烯层、第三绝缘层；
或者依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、光致发光材料层、第二石墨烯层、第二绝缘层。
本发明提供了上述技术方案所述石墨烯光致发光基片的制备方法，包括以下步骤：
将光致发光材料与分散剂混合，将得到的光致发光材料分散液涂覆在石墨烯层形成的夹层内部，形成光致发光材料层，得到石墨烯光致发光基片。
在本发明中，所述石墨烯光致发光基片的制备方法包括以下步骤：将光致发光材料与分散剂混合，将得到的光致发光材料分散液涂覆在石墨烯层形成的夹层内部，形成光致发光材料层，得到石墨烯光致发光基片。本发明对于所述分散剂的种类没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的能够将光致发光材料分散的化合物即可。在本发明中，所述分散剂优选包括有机小分子溶剂或有机高分子胶。在本发明中，所述有机小分子溶剂优选包括甲苯、氯苯、氯仿、二甲苯或二氯苯；所述有机高分子胶优选包括聚对苯二甲酸乙二酯(pet)、聚对苯二甲酸丁二酯(pbt)或聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)。
本发明对于将光致发光材料与分散剂混合的方式没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的物料混合的技术方案即可。本发明优选在搅拌条件下将光致发光材料与分散剂混合；所述搅拌的速率优选为200～1000rpm，更优选为300～800rpm，最优选为400～600rpm；所述搅拌的时间优选为5～30min，更优选为10～25min，最优选为15～20min。在本发明中，所述光致发光材料分散液的质量百分浓度优选为1％～10％，更优选为3％～7％，最优选为4％～6％。
本发明对于将所述光致发光材料分散液涂覆在石墨烯层形成的夹层内部的方式没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的涂覆的技术方案即可。在本发明中，具体的，可以在石墨烯层的单面涂覆光致发光材料分散液，然后将另外一层石墨烯层覆盖在所述光致发光材料分散液的液面。
完成所述涂覆后，本发明优选通过干燥在石墨烯层形成的夹层内部形成光致发光材料层，得到石墨烯光致发光基片。本发明对于所述干燥的方式没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的能够去除分散剂的干燥的技术方案即可。本发明优选采用自然干燥或真空干燥。
在本发明中，当石墨烯光致发光基片包括绝缘层时，所述石墨烯光致发光基片的制备方法，包括以下步骤：
在石墨烯层外侧和/或石墨烯层与光致发光材料层之间设置绝缘层，得到石墨烯光致发光基片；
在石墨烯层外侧设置绝缘层的方法包括：
将绝缘材料与分散剂混合，将得到的绝缘材料分散液涂覆在石墨烯层外侧，形成绝缘层；
或者，将预制的绝缘层覆盖在石墨烯层外侧；
在石墨烯层与光致发光材料层之间设置绝缘层的方法包括：
将绝缘材料与分散剂混合，将得到的绝缘材料分散液涂覆在石墨烯层与光致发光材料层形成的夹层内部，形成绝缘层；
或者，将预制的绝缘层设置在石墨烯层与光致发光材料层之间。
本发明在石墨烯层外侧和/或石墨烯层与光致发光材料层之间设置绝缘层，得到石墨烯光致发光基片。在本发明中，在石墨烯层外侧设置绝缘层的方法包括：将绝缘材料与分散剂混合，将得到的绝缘材料分散液涂覆在石墨烯层外侧，形成绝缘层。本发明对于所述分散剂的种类没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的能够将所述绝缘材料分散的化合物即可。在本发明中，所述分散剂优选包括丙酮、氯仿或二氯甲烷。
本发明对于将绝缘材料与分散剂混合的方式没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的物料混合的技术方案即可。本发明优选在搅拌条件下将绝缘材料与分散剂混合；所述搅拌的速率优选为200～1000rpm，更优选为300～800rpm，最优选为400～600rpm；所述搅拌的时间优选为5～30min，更优选为10～25min，最优选为15～20min。在本发明中，所述绝缘材料分散液的质量百分浓度优选为1％～10％，更优选为3％～7％，最优选为4％～6％。本发明对于将所述绝缘材料分散液涂覆在石墨烯层外侧的方式没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的涂覆的技术方案即可。
完成所述涂覆后，本发明优选通过干燥在所述石墨烯层外侧形成绝缘层。本发明对于所述干燥的方式没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的能够去除分散剂的干燥的技术方案即可。本发明优选采用自然干燥或真空干燥。
在本发明中，在石墨烯层外侧设置绝缘层的方法还可以包括：将预制的绝缘层覆盖在石墨烯层外侧。本发明对于制备所述绝缘层的方法没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的制备方法或市售产品即可。本发明对于所述覆盖没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的覆盖的技术方案即可，具体如将所述绝缘层放置在石墨烯层外侧，并采用胶黏剂将所述绝缘层固定在所述石墨烯层外侧。
在本发明中，在石墨烯层与光致发光材料层之间设置绝缘层的方法包括：将绝缘材料与分散剂混合，将得到的绝缘材料分散液涂覆在石墨烯层与光致发光材料层形成的夹层内部，形成绝缘层。本发明对于所述分散剂的种类没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的能够将所述绝缘材料分散的化合物即可。在本发明中，所述分散剂优选包括丙酮、氯仿或二氯甲烷。
本发明对于将绝缘材料与分散剂混合的方式没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的物料混合的技术方案即可。本发明优选在搅拌条件下将绝缘材料与分散剂混合；所述搅拌的速率优选为200～1000rpm，更优选为300～800rpm，最优选为400～600rpm；所述搅拌的时间优选为5～30min，更优选为10～25min，最优选为15～20min。在本发明中，所述绝缘材料分散液的质量百分浓度优选为1％～10％，更优选为3％～7％，最优选为4％～6％。本发明对于将所述绝缘材料分散液涂覆在石墨烯层与光致发光材料层形成的夹层内部的方式没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的涂覆的技术方案即可。
完成所述涂覆后，本发明优选通过干燥在所述石墨烯层与光致发光材料层形成的夹层内部形成绝缘层。本发明对于所述干燥的方式没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的能够去除分散剂的干燥的技术方案即可。本发明优选采用自然干燥或真空干燥。
在本发明中，在石墨烯层与光致发光材料层之间设置绝缘层的方法还可以包括：将预制的绝缘层设置在石墨烯层与光致发光材料层之间。本发明对于制备所述绝缘层的方法没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的制备方法或市售产品即可。本发明对于所述设置的方法没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的设置方法即可，具体如将所述绝缘层放置在石墨烯层与光致发光材料层之间，并采用胶黏剂将所述绝缘层固定在所述石墨烯层与光致发光材料层之间。
本发明提供了上述技术方案所述石墨烯光致发光基片或上述技术方案所述制备方法制备得到的石墨烯光致发光基片在照明、显示或太阳能电池板领域中的应用。在本发明中，所述应用优选以led芯片为基础，具体是将所述石墨烯光致发光基片与led芯片结合，如图1所示，将得到的固体发光器件应用于照明、显示或太阳能电池板领域中。
下面将结合本发明中的实施例，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
制备结构依次为石墨烯层、光致发光材料层、石墨烯层的石墨烯光致发光基片，包括以下步骤：
将聚苯撑乙烯与氯苯混合，500rpm下搅拌15min，得到浓度为1％的聚苯撑乙烯分散液，在石墨烯层的单面涂覆所述聚苯撑乙烯分散液，然后将另外一层石墨烯层覆盖在所述聚苯撑乙烯分散液的液面，自然干燥，在石墨烯层形成的夹层内部形成光致发光材料层，得到结构依次为石墨烯层、光致发光材料层、石墨烯层的石墨烯光致发光基片；其中，所述石墨烯光致发光基片中各层的厚度为10nm。
实施例2
制备结构依次为石墨烯层、光致发光材料层、石墨烯层的石墨烯光致发光基片，包括以下步骤：
将碳光致发光材料与聚对苯二甲酸乙二酯(pet)混合，300rpm下搅拌25min，得到浓度为10％的碳光致发光材料分散液，在石墨烯层的单面涂覆所述碳光致发光材料分散液，然后将另外一层石墨烯层覆盖在所述碳光致发光材料分散液的液面，真空干燥，在石墨烯层形成的夹层内部形成光致发光材料层，得到结构依次为石墨烯层、光致发光材料层、石墨烯层的石墨烯光致发光基片；其中，所述石墨烯光致发光基片中各层的厚度为1000nm。
实施例3
制备结构依次为石墨烯层、光致发光材料层、石墨烯层的石墨烯光致发光基片，包括以下步骤：
将钙钛矿光致发光材料与聚对苯二甲酸丁二酯(pbt)混合，400rpm下搅拌20min，得到浓度为5％的钙钛矿光致发光材料分散液，在石墨烯层的单面涂覆所述钙钛矿光致发光材料分散液，然后将另外一层石墨烯层覆盖在所述钙钛矿光致发光材料分散液的液面，真空干燥，在石墨烯层形成的夹层内部形成光致发光材料层，得到结构依次为石墨烯层、光致发光材料层、石墨烯层的石墨烯光致发光基片；其中，所述石墨烯光致发光基片中各层的厚度为500nm。
实施例4
制备结构依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、第二绝缘层、光致发光材料层、第三绝缘层、第二石墨烯层、第四绝缘层的石墨烯光致发光基片，其中，以聚对苯二甲酸乙二酯(pet)薄膜为绝缘层，包括以下步骤：
将第一绝缘层和第二绝缘层分别覆盖在第一石墨烯层的两侧，并采用胶黏剂将所述第一绝缘层和第二绝缘层分别固定在所述第一石墨烯层的两侧；
将聚乙炔与甲苯混合，600rpm下搅拌10min，得到浓度为3％的聚乙炔分散液，在第二绝缘层的另外一侧涂覆所述聚乙炔分散液，然后将第三绝缘层覆盖在所述聚乙炔分散液的液面，自然干燥，在第二绝缘层和第三绝缘层形成的夹层内部形成光致发光材料层；
将第三绝缘层和第四绝缘层分别覆盖在第二石墨烯层的两侧，并采用胶黏剂将所述第三绝缘层和第四绝缘层分别固定在所述第二石墨烯层的两侧，得到结构依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、第二绝缘层、光致发光材料层、第三绝缘层、第二石墨烯层、第四绝缘层的石墨烯光致发光基片；其中，所述石墨烯光致发光基片中各层的厚度为10nm。
实施例5
制备结构依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、光致发光材料层、第二绝缘层、第二石墨烯层、第三绝缘层的石墨烯光致发光基片，其中，以聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)薄膜为绝缘层，包括以下步骤：
将第一绝缘层覆盖在第一石墨烯层的单面，并采用胶黏剂将所述第一绝缘层固定在所述第一石墨烯层的单面；
将磷酸钙光致发光材料与二氯苯混合，300rpm下搅拌20min，得到浓度为7％的磷酸钙光致发光材料分散液，在所述第一石墨烯层的另外一侧涂覆所述磷酸钙光致发光材料分散液，然后将第二绝缘层覆盖在所述磷酸钙光致发光材料分散液的液面，真空干燥，在第一石墨烯层和第二绝缘层形成的夹层内部形成光致发光材料层；
将第二绝缘层和第三绝缘层分别覆盖在第二石墨烯层的两侧，并采用胶黏剂将所述第二绝缘层和第三绝缘层分别固定在所述第二石墨烯层的两侧，得到结构依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、光致发光材料层、第二绝缘层、第二石墨烯层、第三绝缘层的石墨烯光致发光基片；其中，所述石墨烯光致发光基片中各层的厚度为1000nm。
实施例6
制备结构依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、光致发光材料层、第二石墨烯层、第二绝缘层的石墨烯光致发光基片，包括以下步骤：
将聚对苯二甲酸丁二酯(pbt)与氯仿混合，1000rpm下搅拌5min，得到浓度为5％的聚对苯二甲酸丁二酯分散液，将所述聚对苯二甲酸丁二酯分散液涂覆在第一石墨烯层的单面，自然干燥，在所述第一石墨烯层的单面形成第一绝缘层；
将碳光致发光材料与聚对苯二甲酸乙二酯(pet)混合，1000rpm下搅拌5min，得到浓度为5％的碳光致发光材料分散液，在第一石墨烯层的另外一侧涂覆所述碳光致发光材料分散液，然后将第二石墨烯层覆盖在所述碳光致发光材料分散液的液面，自然干燥，在所述第一石墨烯层和第二石墨烯层形成的夹层内部形成光致发光材料层；
将所述聚对苯二甲酸丁二酯分散液涂覆在第二石墨烯层的另外一侧，自然干燥，在所述第二石墨烯层的另外一侧形成第二绝缘层，得到结构依次为第一绝缘层、第一石墨烯层、光致发光材料层、第二石墨烯层、第二绝缘层的石墨烯光致发光基片；其中，所述石墨烯光致发光基片中各层的厚度为400nm。
对比例1
按照实施例6所述方法，制备不含石墨烯层的光致发光基片。
将实施例6制备的石墨烯光致发光基片和对比例1制备的光致发光基片进行性能测试，具体是将实施例6制备的石墨烯光致发光基片和对比例1制备的光致发光基片进行高温烘烤，结果表明，对比例1制备的光致发光基片在超过90℃的条件下会因为氧化而迅速老化，光衰减严重；而实施例6制备的石墨烯光致发光基片在超过160℃、保温300h的条件下，无明显氧化，且光衰减<5％。
由以上实施例和对比例可以看出，本发明提供的石墨烯光致发光基片具有较好的抗氧化性能，在高温条件下光衰减较少，可以有效地使对热敏感的光致发光材料不受led芯片工作时产生的高温的影响，从而保持较高的发光性能，能够在不对现有的以led芯片为基础的固体发光器件制造工艺进行大幅度改造的情况下，大大拓展对热敏感的光致发光材料的使用范围。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。