消除横向绝缘栅双极型晶体管拖尾电流的方法与流程

技术特征：

技术总结
消除横向绝缘栅双极型晶体管拖尾电流的方法，涉及半导体功率器件，本发明包括下述步骤：1)在漂移区中产生一个从阳极指向漂移区的上表面的电场，晶体管由导通转为关断；2)在设置于漂移区上方的第二栅极上引入一个快速上升的电平，持续至晶体管完全关断。本发明的有益效果是，能够降低导通损耗，消除横向绝缘栅双极型晶体管拖尾电流，提高晶体管关断的速度。

技术研发人员：李俊宏;李平
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2015.12.28
技术公布日：2017.07.04