光电转换膜、固态图像传感器和电子设备的制作方法

本公开涉及光电转换膜、固态图像传感器和电子设备。
背景技术：
：近年来，随着固态图像传感器中的像素的数量增加，固态图像传感器的像素的尺寸已经减小。然而，在广泛使用的平面型固态图像传感器中，由于光电转换单元二维地排列作为像素，因此当像素的尺寸减小时，光电转换单元的面积也减小。因此，在平面型固态图像传感器中，随着像素数量的增加，开口率和集光效率降低，并且敏感度降低。这里，近年来，已经提出了通过使用由有机材料形成的光电转换膜层叠光电转换单元而在光入射方向上分离光的垂直分光型固态图像传感器。例如，专利文献1披露了一种用于吸收蓝色光、绿色光和红色光的有机光电转换膜层叠的固态图像传感器。在专利文献1所披露的固态图像传感器中，各颜色的信号通过在各有机光电转换膜中对与该颜色对应的光进行光电转换而被提取。此外，在专利文献2中，披露了一种用于吸收绿色光的有机光电转换膜和硅光电二极管层叠的固态图像传感器。在专利文献2所披露的固态图像传感器中，首先，有机光电转换膜中的绿色光的信号被提取，然后硅光电二极管中的光穿透深度的差被用于蓝色光和红色光的色离，并且提取蓝色光和红色光的信号。引用文献列表专利文献专利文献1：JP2003-234460A专利文献2：JP2005-303266A技术实现要素：技术问题这里，为了改善成像特性，有必要使垂直分光型固态图像传感器中的光电转换单元选择性地吸收特定波长范围的光并透过吸收波长范围以外的光。特别地，有必要使对应于绿色光的光电转换单元选择性地吸收绿色光用于光电转换并且充分地透过短波长侧的蓝色光和长波长侧的红色光。具体地，能够选择性地吸收绿色光的光电转换膜是必要的。通过使用这样的光电转换膜，固态图像传感器可以增大绿色光、蓝色光和红色光的敏感度，并改善成像特性。因此，本公开提供了能够提高固态图像传感器的成像特性的新颖改进的光电转换膜、包括该光电转换膜的固态图像传感器和包括该固态图像传感器的电子设备。解决问题的方案根据本公开，提供了一种光电转换膜，其包含：由以下通式(1)表示的亚酞菁衍生物，[化学式1]其中，在通式(1)中，X表示选自卤素、羟基、巯基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，R1～R3每一个独立地表示取代或未取代的环结构，和R1～R3中的至少一个包括在所述环结构中的至少一个杂原子。根据本公开，提供了一种固态图像传感器，其包括：光电转换膜，所述光电转换膜包含由以上通式(1)表示的亚酞菁衍生物。根据本公开，提供了一种电子设备，其包括：固态图像传感器，所述固态图像传感器包括包含由以上通式(1)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜；被构造成将入射光引导到所述固态图像传感器的光学系统；和被构造成对从所述固态图像传感器输出的信号进行运算处理的运算处理电路。根据本公开，光电转换膜可以选择性地吸收绿色光并充分地透过蓝色光和红色光。发明的有益效果根据上述的本公开，可以改善固态图像传感器的成像特性。需要注意的是，上述效果不一定是限制性的。连同或代替这些上述效果，可以实现本说明书中记载的任一种效果或可以从本说明书把握的其他效果。附图说明图1示出了分别图示包括根据本公开实施方案的光电转换元件的固态图像传感器(A)和根据比较例的固态图像传感器(B)的说明图。图2是示出了SubPc-Cl的光吸收光谱的图形。图3是示出了根据本公开实施方案的示例性光电转换元件的示意图。图4是示出了亚酞菁衍生物的光吸收光谱的图形。图5是示出了根据实施例9的光电转换元件的电流密度相对于偏置电压的变化的图形。图6是示出了根据本公开实施方案的光电转换元件适用的固态图像传感器的结构的示意图。图7是示出了根据本公开实施方案的光电转换元件适用的固态图像传感器中的单位像素的示意性结构的截面图。图8是示出了根据本公开实施方案的光电转换元件适用的电子设备的构成的框图。具体实施方式以下，将参照附图详细地说明本公开的优选实施方案。需要注意的是，在本说明书和附图中，使用相同的附图标记表示具有大体相同的功能和结构的构成要素，并且省略对这些构成要素的重复说明。以下，将按照以下顺序进行说明。1.本公开的技术背景2.本公开的实施方案2.1.根据本公开实施方案的光电转换膜2.2.根据本公开实施方案的光电转换元件2.3.根据本公开实施方案的实施例3.根据本公开实施方案的光电转换膜的应用例3.1.固态图像传感器的构成3.2.电子设备的构成4.结论<1.本公开的技术背景>将参照图1和图2说明本公开的技术背景。图1(A)是根据本公开实施方案的垂直分光型固态图像传感器的示意图。图1(B)是根据比较例的平面型固态图像传感器的示意图。以下，在本说明书中，当描述“某一波长的光被吸收”时，它指的是该波长的光的约70％以上被吸收。此外，相反地，当描述“某一波长的光透过”或“某一波长的光未被吸收”时，它指的是该波长的光的约70％以上透过且该光的约30％以下被吸收。首先，将参照图1(A)说明根据本公开实施方案的固态图像传感器1。如图1(A)所示，根据本公开实施方案的固态图像传感器1具有如下的构成：被构造成吸收绿色光2G的绿色光电转换元件3G、被构造成吸收蓝色光2B的蓝色光电转换元件3B和被构造成吸收红色光2R的红色光电转换元件3R层叠。例如，绿色光电转换元件3G是选择性地吸收波长大于或等于450nm且小于600nm的绿色光的有机光电转换元件。蓝色光电转换元件3B是选择性地吸收波长大于或等于400nm且小于450nm的蓝色光的有机光电转换元件。红色光电转换元件3R是选择性地吸收波长大于或等于600nm的红色光的有机光电转换元件。在根据本公开实施方案的固态图像传感器1中，蓝色光电转换元件3B和红色光电转换元件3R可以是利用相对于固态图像传感器1的光的穿透深度的差异而使颜色分离为蓝色光2B和红色光2R的光电二极管。例如，光电二极管可以是吸收例如波长等于或小于1100nm的光的硅光电二极管。具体地，因为红色光2R具有较长波长且比蓝色光2B更不容易散射，所以红色光2R穿透至远离入射表面的深度。另一方面，因为蓝色光2B具有较短波长且比红色光2R更容易散射，所以蓝色光2B只穿透至接近入射表面的深度。因此，当红色光电转换元件3R配置在远离固态图像传感器1的入射表面的位置时，可以单独地检测到红色光2R与蓝色光2B。因此，即使当硅光电二极管被用作蓝色光电转换元件3B和红色光电转换元件3R时，也可以利用光的穿透深度的差异而使蓝色光2B和红色光2R分离，并且可以提取各颜色的信号。接下来，将参照图1(B)说明根据比较例的平面型固态图像传感器。如图1(B)所示，平面型固态图像传感器5包括光电二极管7R、7G和7B以及形成在光电二极管7R、7G和7B上的滤光片6R、6G和6B。滤光片6R、6G和6B是选择性地仅使特定波长范围的光透过的膜。例如，滤光片6R选择性地使波长大于或等于600nm的红色光2R透过。滤光片6G选择性地使波长大于或等于450nm且小于600nm的绿色光2G透过。滤光片6B选择性地使波长大于或等于400nm且小于450nm的蓝色光2B透过。此外，光电二极管7R、7G和7B是被构造成吸收宽波长范围的光的光电检测元件。例如，光电二极管7R、7G和7B可以是被构造成吸收波长等于或小于1100nm的光的硅光电二极管。这里，在图1(B)所示的固态图像传感器5中，由于光电二极管7R、7G和7B吸收宽波长范围的光，因此难于只使用光电二极管7R、7G和7B进行色分离。因此，在固态图像传感器5中，只有对应于各颜色的光被滤色器6R、6G和6B选择性地透过，从而进行色分离。由于只有对应于各颜色的红色光2R、绿色光2G和蓝色光2B由于滤光片6R、6G和6B的原因而入射到光电二极管7R、7G和7B上，因此光电二极管7R、7G和7B可以提取各颜色的信号。然而，在图1(B)所示的固态图像传感器5中，入射到光电二极管7R、7G和7B上的光以外的光都被滤光片6R、6G和6B吸收。具体而言，在光电二极管7R上，只有红色光2R入射，绿色光2G和蓝色光2B被滤光片6R吸收。此外，在光电二极管7G上，只有绿色光2G入射，红色光2R和蓝色光2B被滤光片6G吸收。在光电二极管7B上，只有蓝色光2B入射，红色光2R和绿色光2G被滤光片6B吸收。因此，光电二极管7R、7G和7B可能基本上只使用了1/3的入射光用于光电转换。因此，在图1(B)所示的固态图像传感器5中，难于增大各颜色的检测敏感度。另一方面，在根据本公开实施方案的固态图像传感器1中，光电转换元件可以选择性地吸收对应于红色、绿色或蓝色的特定波长范围的光。因此，在根据本公开实施方案的固态图像传感器1中，由于不需要使入射在光电转换元件上的光进行色分离的滤光片，因此全部的入射光可以被用于光电转换。因此，由于根据本公开实施方案的固态图像传感器1可以使用于光电转换的光增加至根据比较例的固态图像传感器5的大约3倍，所以可以进一步增大各颜色的检测敏感度。在根据本公开实施方案的固态图像传感器1中，光电转换元件3G、3B和3R需要选择性地吸收对应于红色、绿色或蓝色的特定波长范围的光并且使具有吸收波长范围以外的波长的光透过。特别地，为了增加配置在绿色光电转换元件3G下方的蓝色光电转换元件3B和红色光电转换元件3R的色分离，有必要使绿色光电转换元件3G充分地吸收绿色光并且充分地透过蓝色光和红色光。具体地，有必要使绿色光电转换元件3G具有其中在450nm～600nm的波长范围内表现出陡峭峰的吸收光谱。例如，由以下结构式表示的亚酞菁氯化物(SubPc-Cl)被提出作为在绿色光电转换元件3G中的绿色光吸收材料。[化学式2]这里，SubPc-Cl的光吸收特性示于图2。图2是示出通过可见紫外分光光度计测得的SubPc-Cl的光吸收光谱的图形。使用通过在石英基板上沉积50nm的SubPc-Cl而获得的样品来测量图2所示的SubPc-Cl的光吸收光谱，并归一化，使得最大吸收波长处的吸光度为90％。如图2的结果所示，可以理解的是，SubPc-Cl具有一般在长波长侧表现出峰的光吸收特性，并且强烈吸收比绿色光更长波长范围的光。具体地，可以理解的是，SubPc-Cl在600nm的波长附近具有最大吸收波长，并且强烈吸收波长大于或等于600nm的光。因此，当SubPc-C1被用于形成绿色光电转换元件3G时，由于绿色光电转换元件3G也吸收波长对应于红色光的光，所以红色光的敏感度可能在下方的红光电转换元件3R中降低。因此，有必要提供一种适于其中吸收范围比SubPc-Cl在更短波长侧且长波长范围的光的吸收降低的绿色光电转换元件3G的亚酞菁衍生物。鉴于上述情形，本公开的发明人广泛地研究了适于绿色光电转换元件3G的光电转换膜，并且完成了根据本公开的技术。以下，将说明适于这样的固态图像传感器中的绿色光电转换元件3G的光电转换膜。<2.本公开的实施方案>[2.1.根据本公开实施方案的光电转换膜]根据本公开实施方案的光电转换膜是包含由以下通式(1)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。[化学式3]在通式(1)中，X表示选自卤素、羟基、巯基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，R1～R3每一个独立地表示取代或未取代的环结构，和R1～R3中的至少一个包括在所述环结构中的至少一个杂原子。在通式(1)中，中心的硼原子和氮原子之间的键是配位键。如将在后述的实施例中证明的，由通式(1)表示的亚酞菁衍生物在R1～R3的环结构中包括至少一个杂原子，因此可以具有适于作为吸收绿色光的光电转换膜的光吸收特性。具体地，由通式(1)表示的亚酞菁衍生物具有长波长范围的光的吸收可以降低并且绿色光范围(例如，波长大于或等于450nm且小于600)的光可以选择性地吸收的光吸收特性。此外，在通式(1)中，R1～R3中的至少一个优选地具有包括取代基的环结构。具体地，当R1～R3中的至少一个具有包括取代基的环结构时，由通式(1)表示的亚酞菁衍生物可以在后述的合成方法中更高产率地合成。特别地，在其中R1～R3中的至少一个用吸电子基团取代的环结构中，由通式(1)表示的亚酞菁衍生物可以更高产率地合成，所以这是优选的。例如，在通式(1)中，R1～R3中的至少一个可以具有包括卤素作为取代基的环结构。这里，在通式(1)中，R1～R3可以具有其中一些氢原子被取代基取代的环结构或可以具有其中所有的氢原子被取代基取代的环结构。此外，取代基可以在R1～R3的环结构中被取代，使得由通式(1)表示的亚酞菁衍生物具有对称性，或者可以在R1～R3的环结构中被取代，使得由通式(1)表示的亚酞菁衍生物不具有对称性。此外，在通式(1)中，R1～R3优选地具有包括π-共轭系结构的环结构。当R1～R3具有包括π-共轭系结构的环结构时，由通式(1)表示的亚酞菁衍生物可以具有适于吸收波长大于或等于450nm且小于600nm的绿色光的吸收光谱。另一方面，当R1～R3中的至少一个具有不具有π-共轭系结构的环结构时，在由通式(1)表示的亚酞菁衍生物中，所有分子的共轭系的长度缩短，并且吸收范围显著移动到短波长侧。因此，由于波长范围比绿色光短的蓝色光的吸收增加，所以由通式(1)表示的亚酞菁衍生物不是优选的。此外，在通式(1)中，R1～R3可以具有包括任何数量的环构成原子的环结构。此外，R1～R3可以具有单环结构或稠环结构。然而，优选地，R1～R3具有包括3个以上和8个以下环构成原子的环结构，更优选地，环结构包括6个环构成原子。例如，当环构成原子的数量小于6时，因为在环结构中可能发生扭曲并且由通式(1)表示的亚酞菁衍生物变得不稳定，所以这不是优选的。此外，当环构成原子的数量大于6时，这不是优选的，因为由通式(1)表示的亚酞菁衍生物的分子量增大，处理困难。此外，R1～R3的环结构中包含的杂原子优选是氮原子。当氮原子被包含在R1～R3的环结构中时，由于吸收范围移动到短波长侧并且长波长范围的光的吸收降低，所以由通式(1)表示的亚酞菁衍生物可以适用于吸收绿色光的光电转换膜。环结构中包含的R1～R3的杂原子可以包含在R1～R3的环结构中，使得由通式(1)表示的亚酞菁衍生物具有对称特性，或者可以包含在R1～R3的环结构中，使得由通式(1)表示的亚酞菁衍生物不具有对称性。这里，由通式(1)表示的亚酞菁衍生物的环结构的具体例子由以下结构例(1)～(17)表示。根据本公开实施方案的光电转换膜中包含的亚酞菁衍生物是具有由以下结构例(1)～(17)表示的环结构的化合物。然而，根据本公开实施方案的亚酞菁衍生物的环结构不限于以下结构例(1)～(17)。[化学式4][化学式5]在结构例(1)～(17)中，X表示选自卤素、羟基、巯基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基。此外，由通式(1)表示的亚酞菁衍生物的具体化合物的例子由以下通式(2)～(7)表示。然而，根据本公开实施方案的亚酞菁衍生物不限于由以下通式(2)～(7)表示的化合物的例子。[化学式6]这里，在通式(2)～(7)，X表示选自卤素、羟基、巯基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基。在通式(1)～(7)和结构例(1)～(17)中，X不限定于上述的取代基，而是可以是能够与硼(B)原子结合的任意取代基。然而，X优选是卤素。当X是卤素时，由于由通式(1)表示的亚酞菁衍生物的热稳定性增加，所以可以提高光电转换膜的稳定性。上述的包含由通式(1)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜可以形成为包含作为n型光电转换材料的由通式(1)表示的亚酞菁衍生物的本体异质混合膜。例如，本体异质混合膜是具有如下微细结构的膜：在微细结构中，形成混合膜的p型光电转换材料和n型光电转换材料中的一者处于结晶微粒状态且另一者处于非晶状态，并且非晶层均匀地覆盖结晶微粒的表面。在这样的本体异质混合膜中，因为诱使电荷分离的pn结的面积被微细结构增大，所以可以更有效地诱使电荷分离并且增大光电转换效率。可选择地，本体异质混合膜可以是具有如下微细结构的膜：在微细结构中，形成膜的p型光电转换材料和n型光电转换材料这二者都处于微细结晶状态并且混合。在根据本公开实施方案的光电转换膜中，当由通式(1)表示的亚酞菁衍生物被包含作为n型光电转换材料时，具有电荷输送性的各种化合物可以用作作为p型光电转换材料的被包含的化合物。具体地，根据本公开实施方案的光电转换膜中包含的p型光电转换材料优选具有空穴传输性和电子传输性中的至少一种，无论吸收波长如何。例如，p型光电转换材料可以是喹吖啶酮衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物、方酸菁衍生物、萘或二萘嵌苯衍生物、花青衍生物、部花青衍生物、若丹明衍生物、二苯基甲烷或三苯基甲烷衍生物、呫吨衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪衍生物、喹啉衍生物、噁唑衍生物、噻唑衍生物、噁嗪衍生物、噻嗪衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、靛蓝或硫靛衍生物、吡咯衍生物、吡啶衍生物、jipirin衍生物、吲哚衍生物、吡咯并吡咯二酮衍生物、香豆素衍生物、芴衍生物、荧蒽衍生物、蒽衍生物、芘衍生物、三芳基胺衍生物(如三苯基胺、萘胺或苯乙烯基胺)、咔唑衍生物、苯二胺衍生物或联苯胺衍生物、菲咯啉衍生物、咪唑衍生物、噁唑啉衍生物、噻唑啉衍生物、三唑衍生物、噻二唑衍生物、噁二唑衍生物、噻吩衍生物、硒吩衍生物、噻咯衍生物、germole衍生物、二苯乙烯衍生物或对苯撑乙烯衍生物、并五苯衍生物、红荧烯衍生物、噻吩并噻吩衍生物、苯并二噻吩衍生物、迫呫吨并呫吨衍生物或富勒烯衍生物。此外，p型光电转换材料可以是具有上述取代基作为单元结构的连接体、单体、聚合物、共聚物或嵌段共聚物。特别地，喹吖啶酮衍生物优选作为根据本公开实施方案的光电转换膜中包含的p型光电转换材料。此外，根据本公开实施方案的光电转换膜可以是其中作为n型光电转换材料的由通式(1)表示的亚酞菁衍生物和p型光电转换材料层叠而形成异质结的平面异质结膜。不必说根据本公开实施方案的光电转换膜可以包含由通式(1)表示的亚酞菁衍生物作为p型光电转换材料。此外，根据本公开实施方案的光电转换膜可以形成为只包含由通式(1)表示的亚酞菁衍生物的单层膜。如上所述，当根据本公开实施方案的光电转换膜包含由通式(1)表示的亚酞菁衍生物时，可以降低长波长范围的光的吸收并且选择性地吸收绿色光。因此，根据本公开实施方案的光电转换膜适于作为固态图像传感器中的绿色光电转换元件，并且改善各色光的色分离。因此，可以增大固态图像传感器的敏感度并改善成像特性。[2.2.根据本公开实施方案的光电转换元件]接下来，将参照图3说明根据本公开实施方案的光电转换元件。图3是示出了根据本公开实施方案的示例性光电转换元件的示意图。如图3所示，根据本公开实施方案的光电转换元件100包括基板102、设置在基板102之上的下电极104、设置在下电极104之上的p缓冲层106、设置在p缓冲层106之上的光电转换层108、设置在光电转换层108之上的n缓冲层110和设置在n缓冲层110之上的上电极112。图3中所示的光电转换元件100的结构只是一个例子。根据本公开实施方案的光电转换元件100的结构不限于图3中所示的结构。例如，可以省略p缓冲层106和n缓冲层110中的至少一个。基板102是其中形成光电转换元件100的各层层叠配置的支撑体。作为基板102，可以使用一般的光电转换元件中使用的基板。例如，基板102可以是各种类型的玻璃基板(例如，高应变点玻璃基板、钠玻璃基板和硼硅酸盐玻璃基板)、石英基板、半导体基板和塑料基板(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚酰亚胺或聚碳酸酯基板)。在光电转换元件100中，当入射光透过到相对侧时，优选地，基板102由透明材料制成。下电极104和上电极112由导电材料制成。此外，下电极104配置在基板102上方，上电极112配置在n缓冲层110上方。具体地，下电极104和上电极112的至少一个由透明的导电材料制成，如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。当在光电转换元件100中入射光透过到相对侧时，优选地，下电极104和上电极112由诸如ITO等透明的导电材料制成。作为透明导电材料，可以使用氧化锡(TO)、其中添加掺杂剂的氧化锡(SnO2)系材料或其中掺杂剂被添加到氧化锌(ZnO)中的氧化锌系材料。作为氧化锌系材料，例如，可以例举出的有其中铝(Al)作为掺杂剂添加的铝锌氧化物(AZO)、其中镓(Ga)被添加的镓锌氧化物(GZO)和其中铟(In)被添加的铟锌氧化物(IZO)。除此之外，作为透明导电材料，可以使用CuI、InSbO4、ZnMgO、CuInO2、MgIN2O4、CO、ZnSnO3等。此外，作为透明导电材料，可以使用铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)、铝镓锌氧化物(AGZO)、石墨烯、金属薄膜和PEDOT。此外，向下电极104和上电极112施加偏置电压。例如，施加偏置电压以设定极性，使得在光电转换层108中产生的电荷之中的电子向上电极112移动并且空穴向下电极104移动。此外，不必说施加偏置电压以设定极性，使得在光电转换层108中产生的电荷之中的空穴向上电极112移动并且电子向下电极104移动。在这种情况下，在图3所示的光电转换元件100中，p缓冲层106和n缓冲层110的位置可以切换。p缓冲层106是配置在下电极104上方并且提供从光电转换层108高效率地提取空穴的功能的层。具体地，p缓冲层106包含具有空穴传输性和电子传输性中的至少一种的p型光电转换材料。作为p型光电转换材料，例如，可以例举出的有喹吖啶酮衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物、方酸菁衍生物、萘或二萘嵌苯衍生物、花青衍生物、部花青衍生物、若丹明衍生物、二苯基甲烷或三苯基甲烷衍生物、呫吨衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪衍生物、喹啉衍生物、噁唑衍生物、噻唑衍生物、噁嗪衍生物、噻嗪衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、靛蓝或硫靛衍生物、吡咯衍生物、吡啶衍生物、jipirin衍生物、吲哚衍生物、吡咯并吡咯二酮衍生物、香豆素衍生物、芴衍生物、荧蒽衍生物、蒽衍生物、芘衍生物、三芳基胺衍生物(如三苯基胺、萘胺或苯乙烯基胺)、咔唑衍生物、苯二胺衍生物或联苯胺衍生物、菲咯啉衍生物、咪唑衍生物、噁唑啉衍生物、噻唑啉衍生物、三唑衍生物、噻二唑衍生物、噁二唑衍生物、噻吩衍生物、硒吩衍生物、噻咯衍生物、germole衍生物、二苯乙烯衍生物或对苯撑乙烯衍生物、并五苯衍生物、红荧烯衍生物、噻吩并噻吩衍生物、苯并二噻吩衍生物、迫呫吨并呫吨衍生物或富勒烯衍生物。此外，p型光电转换材料可以是具有上述取代基作为单元结构的连接体、单体、聚合物、共聚物或嵌段共聚物。p型光电转换材料吸收的光的波段没有特别限制，可以是任何波段。更具体地，p缓冲层106可以由空穴传输材料形成，并且可以由芳基胺、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、二苯乙烯、聚芳基烷、卟啉、蒽、芴酮、肼或其衍生物形成。例如，p缓冲层106可以由N,N’-双(3-甲基苯基)-(1,1’-联苯基)-4,4’-二胺(TPD)、4,4’-双[N-(萘基)-N-苯基氨基]联苯基(α-NPD)、4,4’,4”-三(N-(3-甲基苯基)N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、四苯基卟啉铜、酞菁或铜酞菁形成。光电转换层108是配置在p缓冲层106上方并且提供选择性地吸收绿色光(例如，波长大于或等于450nm且小于600nm的光)和光电转换吸收的光的功能的层。在根据本公开实施方案的光电转换元件中，光电转换层108包含上述的由通式(1)表示的亚酞菁衍生物。例如，光电转换层108可以是包含由通式(1)表示的亚酞菁衍生物作为n型光电转换材料和喹吖啶酮衍生物作为p型光电转换材料的本体异质混合膜。光电转换层108可以形成为其中n型光电转换材料和p型光电转换材料以单一比例混合的单层。此外，光电转换层108可以由其中n型光电转换材料和p型光电转换材料的混合比在层叠方向上变化的多层形成。例如，光电转换层108可以具有其中从p缓冲层106侧由p型光电转换材料形成的p层、其中n型光电转换材料和p型光电转换材料混合的i层和由n型光电转换材料形成的n层层叠的多层结构。在根据本公开实施方案的光电转换元件中，只要包含由通式(1)表示的亚酞菁衍生物，则光电转换层108不限于本体异质混合膜，并且可以由单层膜、平面异质结膜等形成。n缓冲层110是配置在光电转换层108上方并且提供从光电转换层108高效率地提取电子的功能的层。具体地，n缓冲层110由电子传输性材料形成，并且可以例如由富勒烯、碳纳米管、噁二唑、三唑化合物、蒽醌二甲烷、二苯基醌、联苯乙烯、噻咯化合物或其衍生物形成。具体地，n缓冲层110可以由1,3-双(4-叔丁基苯基-1,3,4-噁二唑基)苯撑(OXD-7)、浴铜灵、红菲咯啉或三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)形成。此外，在图3所示的光电转换元件100的结构中，形成除了光电转换层108以外的各层的材料没有特别限制，也可以使用用于光电转换元件的已知材料。这里，上述的根据本公开实施方案的光电转换元件100中的各层可以通过根据材料选择的适宜成膜法而形成，例如，真空沉积法、溅射法和各种涂布法。例如，在形成根据本公开实施方案的光电转换元件100的各层中，下电极104和上电极112可以通过包括电子束沉积法、热丝沉积法和真空沉积法的沉积法、溅射法、化学气相沉积法(CVD法)、离子镀法和蚀刻法的组合、诸如丝网印刷法、喷墨印刷法和金属掩模印刷法等各种类型的印刷法、镀法(电镀法和化学镀法)等而形成。此外，在形成根据本公开第一实施方案的光电转换元件100的各层中，例如，诸如p缓冲层106、光电转换层108和n缓冲层110等各层可以通过诸如真空沉积法等沉积法、诸如丝网印刷法和喷墨印刷法等印刷法、激光转印法或诸如旋涂法等涂布法而形成。以上，已经说明了根据本公开实施方案的光电转换元件100的示例性构成。[2.3.根据本公开实施方案的实施例]以下，将参照实施例和比较例详细地说明根据本公开实施方案的亚酞菁衍生物、光电转换膜和光电转换元件。然而，以下实施例只是例子，并且根据本公开实施方案的光电转换膜和光电转换元件不限于以下例子。(模拟分析)首先，通过模拟分析评价根据本公开实施方案的亚酞菁衍生物的光谱特性。具体地，对由以下结构式表示的亚酞菁衍生物进行模拟分析，并且计算最大吸收波长λmax。为了比较，对根据比较例的亚酞菁衍生物(SubPc-Cl，SubPc-F)进行模拟分析，并计算最大吸收波长λmax。[化学式7]在模拟分析中，使用根据密度泛函理论(DFT)的分子轨道计算，使用Gaussian03作为计算程序，并且在“B3LYP”的泛函水平下使用“6-311++G”作为基础函数。具体地，首先，针对各亚酞菁衍生物通过自洽场(SCF)进行结构最优化计算，并计算各分子轨道的能级。接下来，实施时间依赖性密度泛函理论(TD-DFT)，计算紫外-可见光吸收(UV-VIS)光谱，并计算最大吸收波长λmax。表1中示出了通过模拟分析计算出的各亚酞菁衍生物的最大吸收波长λmax。此外，由于表1中示出的亚酞菁衍生物的最大吸收波长λmax是单分子中的模拟分析结果，所以绝对值与将要说明的溶液中实际测量的吸收光谱的实测值并不匹配。然而，如从将要说明的溶液中的吸收光谱的实测值可以理解的是，下面的模拟分析结果和实测结果的倾向匹配。[表1]λmax[nm]实施例1SubNPc-F456.8实施例2pyri-SubNPc-F463.8实施例3isopyri-SubNPc-F466.7实施例4imida-SubNPc-F431.1实施例56Cl-SubNPc-Cl464.3实施例66Me-SubNPc-Cl459.4实施例76F-SubNPc-Cl458.3实施例86F-SubNPc-F460.6比较例1SubPc-Cl496.0比较例2SubPc-F499.5如表1中的结果所示，可以理解的是，与根据比较例1和2的亚酞菁衍生物相比，根据实施例1～8的亚酞菁衍生物具有较短的最大吸收波长λmax并且具有更加降低的长波长范围的光吸收。具体地，比较实施例1和比较例1和2，可以理解的是，无论与中心的硼原子结合的取代基如何，当作为杂原子的氮原子被引入通式(1)的R1～R3的环结构中时，λmax都变为短波长。此外，比较实施例1和5～7，可以理解的是，即使取代基被引入到通式(1)的R1～R3的环结构中，类似地，λmax也变为较短波长。此外，比较实施例1～4，可以理解的是，无论通式(1)的R1～R3的环结构的环构成原子的数量如何以及无论R1～R3的环结构中包含的杂原子的数量和其位置如何，λmax都变为较短波长。因此，可以理解的是，在根据本公开实施方案的亚酞菁衍生物中，至少一个杂原子被包含在通式(1)的R1～R3中的至少一个的环结构中，因而最大吸收波长可以变为更短波长。[亚酞菁衍生物的合成]接下来，将说明根据本公开实施方案的亚酞菁衍生物的合成方法。根据本公开实施方案的亚酞菁衍生物可以通过以下反应式1表示的一般化的合成方法来合成。下面将要说明的合成方法只是例子，并且根据本公开实施方案的亚酞菁衍生物的合成方法不限于以下例子。[化学式8]反应式(1)如反应式1所示，当2,3-二氰基吡嗪衍生物和三氯化硼在溶剂中混合并加热至回流时，可以合成根据本公开实施方案的亚酞菁衍生物。在反应式1中，尽管在2,3-二氰基吡嗪衍生物中取代的取代基Y被描述为相同的取代基，但是不必说，在2,3-二氰基吡嗪衍生物中的取代基Y可以彼此不同。此外，通过例举具体化合物来说明合成根据本公开实施方案的亚酞菁衍生物的具体方法。SubNPc-Cl的合成通过下述方法合成由以下结构式表示的SubNPc-Cl。[化学式9]将2,3-二氰基吡嗪(在反应式1中，Y＝H)3mmol和三氯化硼(二氯甲烷溶液)1mmol(1ml)加入到烧瓶中，并在溶剂中使用3ml1-氯萘加热至回流。将Dimroth冷却器连接至烧瓶口，Dimroth冷却器的上部额外地由橡胶管引导到通气装置的排气口，低沸点成分逐渐蒸发。烧瓶的浴温度被设定为190℃并加热回流约16小时。加热至回流后，将混合物放置过夜，过滤，并进一步用二氯甲烷洗涤。滤液通过柱色谱纯化，从而获得6mg红色成分SubNPc-Cl(产率1.3％)。当在CDCl3溶剂中对获得的SubNPc-Cl进行1H-核磁共振(NMR)测定时，确定主峰是芳族区域的一个单峰(δ＝9.240)，反应产物是SubNPc-Cl。6Cl-SubNPc-Cl的合成此外，根据类似于SubNPc-Cl的合成方法，合成由以下结构式表示的6Cl-SubNPc-Cl。[化学式10]通过类似方法进行上述的SubNPc-Cl的合成，除了5,6-二氯-2,3-二氰基吡嗪(在反应式1中，Y＝Cl)用作起始原料来代替2,3-二氰基吡嗪，获得6Cl-SubNPc-Cl。6Cl-SubNPc-Cl的产率是11％。2Cl-SubNPc-Cl，4Cl-SubNPc-Cl的合成此外，例如，通过以下反应式2表示的合成方法，可以合成具有不同的R1～R3的环结构的亚酞菁衍生物(2Cl-SubNPc-Cl和4Cl-SubNPc-Cl)。[化学式11](反应式2)将3mmol的邻苯二甲腈和5,6-二氯-2,3-二氰基吡嗪(摩尔比1：1)的混合物与三氯化硼(二氯甲烷溶液)1mmol(1ml)加入到烧瓶中并在溶剂中使用3ml1-氯苯加热至回流。将Dimroth冷却器连接至烧瓶口，Dimroth冷却器的上部额外地由橡胶管引导到通气装置的排气口，低沸点成分逐渐蒸发。烧瓶的浴温度被设定为190℃并加热回流约16小时。加热至回流后，将混合物放置过夜，过滤，并进一步用二氯甲烷洗涤。滤液通过柱色谱纯化，从而获得反应式2中的四种类型的衍生物(SubPc-Cl、2Cl-SubNPc-Cl、4Cl-SubNPc-Cl和6Cl-SubNPc-Cl)。根据上述的合成方法，可以合成具有不同的R1～R3的环结构的2Cl-SubNPc-Cl和4Cl-SubNPc-Cl。[亚酞菁衍生物的评价]接下来，通过溶液法评价上面合成的SubNPc-Cl和6Cl-SubNPc-Cl的光谱特性。此外，为了比较，通过类似方法评价SubPc-Cl的光谱特性。具体地，将各亚酞菁衍生物溶解在邻二甲苯中，并且使用石英室通过可见紫外分光光度计获得光吸收光谱。所获得的亚酞菁衍生物的光吸收光谱示于图4。图4中所示的光吸收光谱被归一化，使得各亚酞菁衍生物在最大吸收波长的吸光度为1。如从图4中所示的结果可以看出的，可以理解的是，作为根据本公开实施方案的亚酞菁衍生物的SubNPc-Cl和6Cl-SubNPc-Cl具有比根据比较例的SubPc-Cl短的最大吸收波长。此外，可以理解的是，测得的6Cl-SubNPc-Cl和SubPc-Cl的最大吸收波长的倾向与上述模拟分析的实施例5和比较例1的最大吸收波长的倾向匹配，并且上述模拟分析是适当的。[光电转换元件的评价]此外，上面合成的6Cl-SubNPc-Cl被用来制作根据本公开实施方案的光电转换元件并且确认该光电转换元件用作光电转换元件。(实施例9)首先，铟锡氧化物(ITO)通过溅射法在石英基板上形成100nm的膜，形成的ITO薄膜通过光刻法图案化，然后蚀刻以形成透明下电极。接下来，通过UV/臭氧处理清洗形成的透明电极，荫罩用于进行真空沉积，使得6Cl-SubNPc-Cl和喹吖啶酮的膜形成比率为1：1，由此形成光电转换层。随后，使用荫罩将铝(Al)真空沉积在光电转换层上，从而形成上电极。根据上述制造方法，制作出光电转换元件。[化学式12]随后，评价制作的根据实施例9的光电转换元件的光电转换功能。具体地，使用连接到半导体参数分析仪的探针，偏置电压施加到根据实施例1的光电转换元件的上电极和下电极，测定通过石英基板有和没有照射时的电流值。根据实施例9的光电转换元件的光电转换功能的评价结果示于图5。图5是示出了根据实施例9的光电转换元件的电流密度相对于偏置电压的变化的图形。如从图5所示的结果可以看出，可以理解的是，在根据实施例9的光电转换元件中，在0～-3V的偏置电压范围内，照射下的电流密度比未照射时的电流密度增加更多，并且提供光电转换功能。因此，可以理解的是，根据本公开实施方案的亚酞菁衍生物可以适于用作光电转换膜中包含的光电转换材料。如从上面结果可以理解的是，当根据本公开实施方案的光电转换膜包含由通式(1)表示的亚酞菁衍生物时，可以降低长波长范围的光的吸收并选择性地吸收绿色光。因此，可以理解的是，根据本公开实施方案的光电转换膜可以适于用作固态图像传感器中的绿色光电转换元件，并且可以改善固态图像传感器的成像特性。<3.根据本公开实施方案的光电转换元件的应用例>以下，将参照图6～图8说明包括根据本公开实施方案的光电转换膜的光电转换元件的应用例。[3.1.固态图像传感器的构成]首先，将参照图6和图7说明应用根据本公开实施方案的光电转换元件的固态图像传感器的构成。图6是示出了应用根据本公开实施方案的光电转换元件的固态图像传感器的结构的示意图。这里，在图6中，像素区域201、211和231是设置有包括根据本公开实施方案的光电转换膜的光电转换元件的区域。此外，控制电路202、212和242是被构造成控制固态图像传感器中的各部件的运算处理电路。逻辑电路203、223和243是被构造成对通过像素区域中的光电转换元件的光电转换而获得的信号进行处理的信号处理电路。例如，如图6A所示，在应用根据本公开实施方案的光电转换元件的固态图像传感器中，像素区域201、控制电路202和逻辑电路203可以形成在一个半导体芯片200内。此外，如图6B所示，应用根据本公开实施方案的光电转换元件的固态图像传感器可以是像素区域211和控制电路212形成在第一半导体芯片210内且逻辑电路223形成在第二半导体芯片220内的层叠型固态图像传感器。此外，如图6C所示，应用根据本公开实施方案的光电转换元件的固态图像传感器可以是像素区域231形成在第一半导体芯片230内且控制电路242和逻辑电路243形成在第二半导体芯片240内的层叠型固态图像传感器。在图6B和图6C所示的固态图像传感器中，控制电路和逻辑电路中的至少一个被形成在与形成有像素区域的半导体芯片分开的半导体芯片内。因此，由于图6B和图6C所示的固态图像传感器可以使像素区域延伸地比图6A所示的固态图像传感器多，所以像素区域中容纳的像素数量增加。因此，可以增大固态图像传感器的平面分辨率。为此，更优选的是，应用根据本公开实施方案的光电转换元件的固态图像传感器是图6B和图6C所示的层叠型固态图像传感器。随后，将参照图7说明应用根据本公开实施方案的光电转换元件的固态图像传感器的具体结构。图7是示出了应用根据本公开实施方案的光电转换元件的固态图像传感器中的单位像素的概略结构的截面图。此外，图7中所示的固态图像传感器300是光从与形成有像素晶体管等的面相对的面入射的背面照射型固态图像传感器。此外，相对于该图，上侧是光接收面，下侧是形成有像素晶体管和周边电路的电路形成面。如图7所示，固态图像传感器300具有如下的构成：在光电转换区域320中，在光的入射方向上层叠有包括形成在半导体基板330中的第一光电二极管PD1的光电转换元件、包括形成在半导体基板330中的第二光电二极管PD2的光电转换元件和包括形成在半导体基板330的背面侧的有机光电转换膜310的光电转换元件。第一光电二极管PD1和第二光电二极管PD2形成在作为由硅制成的半导体基板330的第一导电型(例如，p型)半导体区域的阱区域331中。第一光电二极管PD1包括取决于形成在半导体基板330的光接收面侧的第二导电型(例如，n型)杂质的n型半导体区域332和通过延伸一部分以到达半导体基板330的表面侧而形成的延伸部332a。延伸部332a的表面上形成有用作电荷累积层的高浓度p型半导体区域334。此外，延伸部332a被形成为用于将在第一光电二极管PD1的n型半导体区域332中累积的信号电荷提取至半导体基板330的表面侧的提取层。第二光电二极管PD2包括形成在半导体基板330的光接收面侧的n型半导体区域336和形成在半导体基板330的表面侧且用作电荷累积层的高浓度p型半导体区域338。在第一光电二极管PD1和第二光电二极管PD2中，当半导体基板330的界面处形成有p型半导体区域时，可以抑制在半导体基板330的界面处产生的暗电流。这里，例如，形成在离光接收面最远的区域中的第二光电二极管PD2是吸收红色光且进行光电转换的红色光电转换元件。此外，例如，形成在比第二光电二极管PD2更接近光接收面侧的第一光电二极管PD1是吸收蓝色光且进行光电转换的蓝色光电转换元件。经由防反射膜302和绝缘膜306在半导体基板330的背面上形成有机光电转换膜310。此外，有机光电转换膜310夹设在上电极312和下电极308之间而形成光电转换元件。这里，例如，有机光电转换膜310是吸收波长大于或等于450nm且小于600nm的绿色光且进行光电转换的有机膜，并且被形成为上述的根据本公开实施方案的光电转换膜。此外，例如，上电极312和下电极308由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)等透明导电材料制成。此外，下电极308被连接至经由贯通防反射膜302的接触插头304而从半导体基板330的背面侧形成至表面侧的垂直传输路径348。垂直传输路径348被形成为具有其中连接部340、势垒层342、电荷累积层344和p型半导体区域346从半导体基板330的背面侧层叠的结构。连接部340包括形成在半导体基板330的背面侧的高杂质浓度的n型杂质区域且形成为与接触插头304欧姆接触。势垒层342包括低浓度的p型杂质区域且形成连接部340与电荷累积层344之间的势垒。电荷累积层344累积从有机光电转换膜310传输的信号电荷，并且形成在浓度比连接部340低的n型杂质区域中。此外，高浓度的p型半导体区域346形成在半导体基板330的表面上。利用p型半导体区域346，可以抑制在半导体基板330的界面处产生的暗电流。这里，在半导体基板330的表面侧，经由层间绝缘层351形成有包括层叠在多层中的配线358的多层配线层350。此外，在半导体基板330的表面附近，形成有对应于第一光电二极管PD1、第二光电二极管PD2和有机光电转换膜310的读取电路352、354和356。读取电路352、354和356读取从各光电转换元件输出的信号且将信号传输至逻辑电路(未图示)。此外，多层配线层350的表面上形成有支撑基板360。另一方面，在上电极312的光接收面侧，遮光膜316被形成为遮挡第一光电二极管PD1的延伸部332a和垂直传输路径348。这里，遮光膜316之间的间隔区域是光电转换区域320。此外，经由平坦化膜314在遮光膜316之上形成有片上透镜318。上面已经说明了应用根据本公开实施方案的光电转换元件的固态图像传感器300。此外，在应用根据本公开实施方案的光电转换元件的固态图像传感器300中，因为在纵向方向上对单位像素进行色分离，所以不用设置滤光片等。[3.2.电子设备的构成]接下来，将参照图8说明应用根据本公开实施方案的光电转换元件的电子设备的构成。图8是示出了应用根据本公开实施方案的光电转换元件的电子设备的构成的框图。如图8所示，电子设备400包括光学系统402、固态图像传感器404、数字信号处理器(DSP)电路406、控制单元408、输出单元412、输入单元414、帧存储器416、记录单元418和电源单元420。这里，DSP电路406、控制单元408、输出单元412、输入单元414、帧存储器416、记录单元418和电源单元420经由总线410彼此连接。光学系统402获得来自被写体的入射光且在固态图像传感器404的成像面上形成图像。此外，固态图像传感器404包括根据本公开实施方案的光电转换元件，将通过光学系统402而聚焦在成像面上的入射光的强度转换成以像素为单位的电信号，并且作为像素信号输出结果。DSP电路406对从固态图像传感器404传输的像素信号进行处理且将结果输出至输出单元412、帧存储器416、记录单元418等。此外，例如，控制单元408包括运算处理电路，并且控制电子设备400中的各部件的操作。例如，输出单元412是诸如液晶显示器和有机电致发光显示器等面板型显示装置，并且显示利用固态图像传感器404成像的视频或静止图像。这里，输出单元412还可以包括诸如扬声器和头戴式耳机等声音输出装置。这里，例如，输入单元414是诸如触摸面板和按钮等用于输入用户的操作的装置，并且根据用户的操作而发出针对电子设备400的各种功能的操作指令。帧存储器416临时地存储利用固态图像传感器404成像的视频、静止图像等。此外，记录单元418将利用固态图像传感器404成像的视频、静止图像等存储在诸如磁盘、光盘、磁光盘和半导体存储器等可移动存储介质中。电源单元420将用作DSP电路406、控制单元408、输出单元412、输入单元414、帧存储器416和记录单元418的操作电源的各种类型的电力适宜地供给这些供给对象。上面已经说明了应用根据本公开实施方案的光电转换元件的电子设备400。例如，应用根据本公开实施方案的光电转换元件的电子设备400可以是成像装置。<4.结论>如上所述，当根据本公开实施方案的光电转换膜包含由通式(1)表示的亚酞菁衍生物时，可以降低长波长侧的吸收并选择性地吸收绿光范围的光。此外，由于根据本公开实施方案的光电转换膜可以选择性地吸收绿色光，所以适于用作固态图像传感器中的绿色光电转换元件。因此，由于根据本公开实施方案的光电转换膜可以改善各色光的色分离，所以可以增大固态图像传感器的敏感度并改善成像特性。特别地，由于根据本公开实施方案的光电转换膜增大了长波长侧的红色光的透过性，所以可以增大固态图像传感器中的红色光的敏感度。上面已经参照附图说明了本公开的优选实施方案，但是本公开不限于上述例子。本领域技术人员可以在所附权利要求的范围内发现各种替换和修改，并且应该理解的是，这些自然地属于本公开的技术范围。此外，本说明书中记载的效果仅仅是说明性或例示性的效果，而不是限制性的。即，连同或代替上述效果，基于本说明书的记载，根据本公开的技术可以实现对本领域技术人员显而易见的其他效果。此外，本技术还可以如下构成。(1)一种光电转换膜，其包含：由以下通式(1)表示的亚酞菁衍生物，[化学式13]其中，在通式(1)中，X表示选自卤素、羟基、巯基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，R1～R3每一个独立地表示取代或未取代的环结构，和R1～R3中的至少一个包括在所述环结构中的至少一个杂原子。(2)根据(1)所述的光电转换膜，其中R1～R3中的至少一个具有包括取代基的环结构。(3)根据(2)所述的光电转换膜，其中R1～R3的取代基是卤素。(4)根据(1)～(3)中任一项所述的光电转换膜，其中R1～R3具有包括π-共轭系结构的环结构。(5)根据(1)～(4)中任一项所述的光电转换膜，其中R1～R3具有包括3个以上和8个以下环构成原子的环结构。(6)根据(5)所述的光电转换膜，其中R1～R3具有包括6个环构成原子的环结构。(7)根据(1)～(6)中任一项所述的光电转换膜，其中R1～R3的环结构中包含的杂原子是氮原子。(8)根据(1)～(7)所述的光电转换膜，其中X是卤素。(9)一种固态图像传感器，其包括：光电转换膜，所述光电转换膜包含由以下通式(1)表示的亚酞菁衍生物，[化学式14]其中，在通式(1)中，X表示选自卤素、羟基、巯基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，R1～R3每一个独立地表示取代或未取代的环结构，和R1～R3中的至少一个包括在所述环结构中的至少一个杂原子。(10)根据(9)所述的固态图像传感器，其中所述光电转换膜吸收波长大于或等于450nm且等于或小于600nm的绿色光并且光电转换所吸收的绿色光。(11)根据(9)或(10)所述的固态图像传感器，其被构造为层叠型固态图像传感器，包括：形成有所述光电转换膜的第一芯片；和形成有被构造成对由所述光电转换膜的光电转换而获得的信号进行处理的信号处理电路的第二芯片，第二芯片与第一芯片层叠。(12)一种电子设备，其包括：固态图像传感器，所述固态图像传感器包括包含由以下通式(1)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜；被构造成将入射光引导到所述固态图像传感器的光学系统；和被构造成对从所述固态图像传感器输出的信号进行运算处理的运算处理电路，[化学式15]其中，在通式(1)中，X表示选自卤素、羟基、巯基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，R1～R3每一个独立地表示取代或未取代的环结构，和R1～R3中的至少一个包括在所述环结构中的至少一个杂原子。附图标记列表100光电转换元件102基板104下电极106p缓冲层108光电转换层110n缓冲层112上电极当前第1页1 2 3