技术总结
一种形成存储器单元材料的方法包括：通过原子层沉积在衬底上方形成电介质材料的第一部分。通过原子层沉积在所述电介质材料的所述第一部分上形成离散导电粒子。通过原子层沉积在所述离散导电粒子上及之间形成所述电介质材料的第二部分。本发明还描述一种存储器单元材料、一种形成半导体装置结构的方法及一种半导体装置结构。
技术研发人员：古尔特杰·S·桑胡;约翰·A·斯迈思
受保护的技术使用者：美光科技公司
文档号码：201580029162
技术研发日：2015.04.17
技术公布日：2017.02.22