技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体发光组件，具有由阱层与障壁层所构成的量子阱活性层，其中该半导体发光组件的发光波长为585nm以上及605nm以下；该阱层由化学式(AlxGal‑x)yIn1‑yP(0＜x≦0.06、0＜y＜1)的化合物半导体所构成；以及该障壁层由化学式(AlmGal‑m)nIn1‑nP(0≦m≦1、0＜n＜1)的化合物半导体所构成。通过使用此量子阱构造的活性层，能于短波长区域(黄色发光)得到高发光效率。
技术研发人员：酒井健滋;池田淳
受保护的技术使用者：信越半导体株式会社
技术研发日：2015.09.10
技术公布日：2017.08.18