技术特征：
技术总结
一种半导体装置(100A)，具备：基板(1)；将氧化物半导体层5作为活性层的薄膜晶体管(101)；含有铜的至少一层金属配线层(7S、7D)；配置于至少一层金属配线层(7S、7D)的上面的含有铜的金属氧化膜(8)；隔着金属氧化膜(8)而覆盖至少一层金属配线层的绝缘层(11)；于形成在绝缘层(11)的开口部内，未隔着金属氧化膜(8)而与至少一层金属配线层的一部分直接相接的导电层(19)。
技术研发人员：铃木正彦;今井元;越智久雄;藤田哲生;北川英树;菊池哲郞;川岛慎吾;大东彻
受保护的技术使用者：夏普株式会社
技术研发日：2015.11.19
技术公布日：2017.08.01