半导体装置的制作方法

文档序号:11136533阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开了一种半导体装置,包含一芯片,具有一有源面以及一相对于所述有源面的背面;一模塑料,覆盖并包覆所述芯片;以及一重分布层,设于所述有源面以及所述模塑料上,其中所述重分布层是与所述芯片电连接,所述重分布层包含至少一有机介电层以及一无机介电硬掩膜层,设于所述有机介电层上,其中所述重分布层还包含一金属结构,设于所述有机介电层以及所述无机介电硬掩膜层中。

技术研发人员:施信益;吴铁将
受保护的技术使用者:华亚科技股份有限公司
文档号码:201610023690
技术研发日:2016.01.14
技术公布日:2017.02.15

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