1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于在包含第1面与第2面的衬底的所述第1面上所设置的氮化物半导体层，以所述衬底露出的方式通过蚀刻而局部形成第1沟槽，
在所述第1沟槽内露出的所述衬底，以保留所述衬底的一部分的方式形成第2沟槽，
对所述衬底以所述第2沟槽不从所述第2面侧露出的方式进行去除，从而使所述衬底变薄，
在所述衬底的第2面侧形成金属膜，
将形成有所述第2沟槽的部位的所述金属膜去除，
在形成有所述第2沟槽的部位的所述衬底，以所述第2沟槽从所述第2面侧露出的方式形成第3沟槽。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在使所述衬底变薄之前，在所述氮化物半导体层上贴合支撑部件。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于通过刀片切割形成所述第2沟槽。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于通过干式蚀刻形成所述第2沟槽。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于通过刀片切割形成所述第3沟槽。
6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于同时通过刀片切割进行所述金属膜的去除与所述第3沟槽的形成。
7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于所述第3沟槽的宽度较所述第2沟槽的宽度宽。
8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于使所述衬底变薄时，将形成有所述第2沟槽的部位的所述衬底的膜厚设为20μm以上且50μm以下。
9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于所述衬底为硅衬底。
10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于所述氮化物半导体层为GaN系半导体层。
11.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于所述硅衬底的膜厚为1mm以上且2mm以下。
12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于所述GaN系半导体层的膜厚为5μm以上且10μm以下。
13.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于所述金属膜为含镍的膜。
14.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于所述GaN系半导体层包含GaN层与AlGaN层。
15.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于对所述衬底以所述第2沟槽不从所述第2面侧露出的方式进行去除时，将所述衬底的厚度设为100μm以上且200μm以下。
16.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于对所述衬底以所述第2沟槽不从所述第2面侧露出的方式进行去除时，使用金刚石磨轮进行磨削。
17.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于所述支撑部件为玻璃衬底。
18.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于通过干式蚀刻形成所述第1沟槽。
19.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于通过干式蚀刻形成所述第1沟槽，
通过刀片切割形成所述第2沟槽，
在使所述衬底变薄之前，在所述氮化物半导体层上贴合支撑部件，
同时通过刀片切割进行所述金属膜的去除与所述第3沟槽的形成，
所述第3沟槽的宽度较所述第2沟槽的宽度宽。
20.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于通过干式蚀刻形成所述第1沟槽，
通过干式蚀刻形成所述第2沟槽，
在使所述衬底变薄之前，在所述氮化物半导体层上贴合支撑部件，
同时通过刀片切割进行所述金属膜的去除与所述第3沟槽的形成，
所述第3沟槽的宽度较所述第2沟槽的宽度宽。