技术特征：
技术总结
一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在衬底上形成刻蚀阻挡层，形成刻蚀阻挡层的步骤包括在第一区域衬底表面形成第一刻蚀阻挡层；在衬底和第一刻蚀阻挡层上形成鳍部材料层，鳍部材料层与第一刻蚀阻挡层的材料不相同；图形化所述第一区域和第二区域的鳍部材料层以及第二区域的衬底，在第一区域形成暴露出刻蚀阻挡层的第一开口，并在第二区域形成初始鳍部；形成覆盖第一开口处第一刻蚀阻挡层及初始鳍部之间衬底的隔离层，刻蚀阻挡层与隔离层的组成元素不同；对隔离层进行刻蚀，产生刻蚀副产物，对刻蚀副产物进行检测，刻蚀至刻蚀副产物发生变化。其中，通过刻蚀阻挡层实现对晶体管鳍部高度的控制。
技术研发人员：刘继全;龚春蕾
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.02.04
技术公布日：2017.08.11