1.一种半导体装置，具备：
第一导电形的第一半导体区域；
第二导电形的第二半导体区域，选择性地设置在所述第一半导体区域之上；
第一导电形的第三半导体区域，选择性地设置在所述第二半导体区域之上；
栅极电极，在与从所述第一半导体区域向所述第二半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与所述第二半导体区域并列；
栅极绝缘层，设置在所述第一半导体区域、所述第二半导体区域及所述第三半导体区域各自与所述栅极电极之间；
第二导电形的第四半导体区域，选择性地设置在所述第一半导体区域之上，所述第四半导体区域与所述第二半导体区域分离；
第一导电部，所述第一导电部的至少一部分被所述第四半导体区域所包围；以及
第一绝缘层，所述第一绝缘层的至少一部分设置在所述第一导电部与所述第四半导体区域之间，在所述第一方向上位于所述第一导电部与所述第一半导体区域之间的所述第一绝缘层的一部分的厚度比所述栅极绝缘层的膜厚薄。
2.如权利要求1所述的半导体装置，
所述第一绝缘层被绝缘破坏。
3.如权利要求1所述的半导体装置，
所述第一导电部在所述第二方向上的长度，比所述栅极电极在所述第二方向上的长度短。
4.如权利要求1所述的半导体装置，还具备：
与所述第一导电部分离的第二导电部，所述第二导电部的至少一部分被所述第四半导体区域所包围；以及
第二绝缘层，所述第二绝缘层的至少一部分设置在所述第二导电部与所述第四半导体区域之间，在所述第一方向上位于所述第二导电部与所述第一半导体区域之间的所述第二绝缘层的一部分的厚度，比所述栅极绝缘层的所述膜厚薄，所述第二绝缘层的所述一部分的所述厚度，比所述第一绝缘层的所述一部分的所述厚度厚。
5.如权利要求1所述的半导体装置，还具备：
第一电极，设置在所述第二半导体区域之上、所述第三半导体区域之上及所述第四半导体区域之上，所述第一电极与所述第二半导体区域及所述第三半导体区域电连接；及
绝缘层，设置在所述第一电极与所述第四半导体区域之间。
6.如权利要求1所述的半导体装置，
所述第四半导体区域在所述第一方向上的长度，比所述第二半导体区域在所述第一方向上的长度长。
7.如权利要求4所述的半导体装置，
所述第二导电部在所述第二方向上的长度，比所述栅极电极在所述第二方向上的长度短，比所述第一导电部在所述第二方向上的长度长。
8.如权利要求1所述的半导体装置，
所述第一导电部与所述第四半导体区域导通。
9.如权利要求1所述的半导体装置，
所述第一导电部与所述第一半导体区域导通。
10.如权利要求1所述的半导体装置，还具备：
第一导电形的第五半导体区域，选择性地设置在所述第四半导体区域之上，所述第五半导体区域的第一导电形的载流子浓度，比所述第一半导体区域的第一导电形的载流子浓度高。
11.如权利要求1所述的半导体装置，还具备：
第二导电形的第六半导体区域，设置在所述第一半导体区域之下，所述第六半导体区域的第二导电形的杂质浓度，比所述第二半导体区域的第二导电形的杂质浓度高。
12.如权利要求11所述的半导体装置，还具备：
第一导电形的第七半导体区域，设置在所述第六半导体区域之上而且是所述第一半导体区域之下，所述第七半导体区域的第一导电形的杂质浓度，比所述第一半导体区域的第一导电形的杂质浓度高。
13.如权利要求1所述的半导体装置，还具备：
第二导电形的第八半导体区域，设置在所述第一半导体区域之上，所述第八半导体区域与所述第四半导体区域分离而设置，所述第八半导体区域在所述第一方向上的长度，比所述第二半导体区域在所述第一方向上的长度长，所述第八半导体区域的一部分在所述第二方向上位于所述第二半导体区域与所述第四半导体区域之间。
14.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：
将第一沟道及第二沟道形成于在第一导电形的第一半导体层之上设置的第一导电形的第二半导体层的表面，所述第二沟道与所述第一沟道分离，所述第一沟道及所述第二沟道在与从所述第一半导体层向所述第二半导体层的第一方向垂直的第三方向上延伸，所述第二沟道的宽度比所述第一沟道的宽度窄；
将第一绝缘层形成在所述第一沟道的内壁及所述第二沟道的内壁；
将第一导电层形成在所述第一绝缘层之上；
将所述第一导电层的一部分去除，以在所述第一沟道的内部形成第一电极，并在所述第二沟道的内部形成第一导电部；
将第二导电形的第二半导体区域及第二导电形的第四半导体区域形成在所述第二半导体层的所述表面，所述第四半导体区域与所述第二半导体区域分离，所述第二半导体区域在与所述第一方向及所述第三方向垂直的第二方向上与所述第一电极并列，所述第四半导体区域包围所述第一导电 部；
将第一导电形的第三半导体区域选择性地形成在所述第二半导体区域之上。