技术总结
本发明的半导体发光装置包括：发光体，包含第1、2半导体层以及设置在第1、2半导体层间的发光层；配置在发光体层的第2半导体层侧的衬底；在衬底与发光体之间电连接于第1半导体层及第2半导体层的任一层的第1金属层，其从衬底与发光体间沿衬底向发光体外侧延伸；覆盖位于发光体外侧的第1金属层的延伸部的导电层，其延伸在发光体与第1金属层间及在衬底上与发光体并排设置的第2金属层，其隔着导电层设置在延伸部；发光体包括：包含第1半导体层表面的第1面、包含第2半导体层表面的第2面、包含第1半导体层外缘的侧面；并且包括在与第1面平行的方向从侧面朝内侧凹陷的供设置第2金属层的凹部，其侧壁经由曲面与侧面连接。
技术研发人员：泽野正和;胜野弘;宫部主之
受保护的技术使用者：株式会社东芝
文档号码：201610137734
技术研发日：2016.03.10
技术公布日：2016.12.28