技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极材料层和硬掩膜层，在所述半导体衬底、栅极材料层和硬掩膜层中形成有沟槽，在所述沟槽的侧壁上形成有衬垫氧化层，在所述沟槽中填充有隔离层；去除所述硬掩膜层；在所述半导体衬底上形成附加氧化层，所述附加氧化层包括位于所述栅极材料层之上的部分和位于所述沟槽侧壁上的部分；去除所述附加氧化层位于所述栅极材料层之上的部分。该方法可以避免后续控制栅刻蚀产生多晶硅残余而导致控制栅和浮栅短路。该半导体器件和电子装置具有更好的良品率。
技术研发人员：陈亮
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.04.18
技术公布日：2017.10.31