封装结构及其制作方法与流程

本发明涉及一种封装结构及其制作方法，尤其涉及一种电子元件的嵌埋技术。

背景技术：

随着芯片技术的日益发展，对所述芯片封装结构及制程要求也在逐步提高。当前，封装结构的制作大都采用逐步增层技术，制程工序较为繁琐，所费工时较长且成本较高。

技术实现要素：

有鉴于此，有必要提供一种克服上述问题的封装结构及其制作方法。

一种封装结构的制作方法，包括步骤：提供一承载基板，在所述承载基板的相背两侧贴合有第一铜箔层及第二铜箔层；将所述第一铜箔层制作形成第一导电线路层，所述第一导电线路层包括多个接触垫；提供一第一芯片，将所述第一芯片固定在所述多个接触垫上；提供一压合基板，所述压合基板包括相互贴合的绝缘层及第三铜箔层，将所述绝缘层压合在所述承载基板固定有所述第一芯片的一侧，所述第三铜箔层背离所述第一芯片；在所述承载基板及所述压合基板上开设多个盲孔；对所述承载基板及所述压合基板进行化学镀铜，在所述第二铜箔层、所述第三铜箔层及所述多个盲孔表面形成一晶种层；对所述承载基板及所述压合基板进行电镀以在所述晶种层上形成一电镀层，所述电镀层填满所述盲孔，形成多个导电孔；对电镀后的所述承载基板及所述压合基板进行线路制作，将所述第三铜箔层、所述晶种层及所述电镀层制作形成第二导电线路层，将所述第二铜箔层、所述晶种层及所述电镀层制作形成第三导电线路层；对所述第二导电线路层及所述第三导电线路层进行防焊处理，形成多个焊垫；在所述焊垫上形成焊料凸点，从而形成所述封装结构。

一种封装结构，其包括承载基板、位于所述承载基板一侧且依次接触的第一导电线路层、第一芯片、绝缘层、第二导电线路层、第一防焊层、以及位于所述承载基板另一侧且依次接触的第三导电线路层及第二防焊层，所述 绝缘层及所述承载基板上形成有多个导电孔，部分所述多个导电孔导通电连接所述第一导电线路层与所述第二导电线路层，另一部分所述多个导电孔电连接所述第一导电线路层与所述第三导电线路层，所述第一芯片內埋在所述绝缘层内，并与所述第一导电线路层电连接，所述第一防焊层覆盖在所述绝缘层和所述第二导电线路层表面，所述第二防焊层覆盖在所述承载基板及所述第三导电线路层表面，部分所述第二导电线路层及第三导电线路层分别从所述第一、第二防焊层中露出形成多个焊垫，所述多个焊垫上形成有多个焊料凸点。

本发明提供的所述封装结构通过线路制作形成所述多个接触垫，所述第一芯片直接封装在所述多个接触垫上，确保了所述第一芯片的定位精度。所述第一芯片內埋于所述绝缘层内，不仅降低了所述封装结构的高度，而且取代底部填充层对所述第一芯片进行封装，节约了制作成本。所述封装结构在制作过程中进行相对的开孔、化学镀铜、电镀铜及线路制作，缩短了所述封装结构的加工程序及时间。

附图说明

图1是本发明实施例所提供的承载基板的剖视图。

图2是在图1中的第一铜箔上形成第一导电线路层及接触垫后的剖视图。

图3是自图2中接触垫上固定第一芯片后的剖视图。

图4是图3中第一导电线路层及所述第一芯片上压合压合基板后的剖视图。

图5是在图4所示的第一导电线路层两侧形成多个盲孔后的剖视图。

图6是在图5所示的承载基板两侧及多个盲孔内形成晶种层后的剖视图。

图7是在图6所示的承载基板电镀形成电镀层后的剖视图。

图8是将图7中所示承载基板线路制作后形成第二导电线路层及第三导电线路层后的剖视图。

图9是在图8所示的形成第二导电线路层及第三导电线路层上覆盖防焊层并安装两个第二芯片后的剖视图。

主要元件符号说明

封装结构100

承载基板10

第一铜箔层12

第二铜箔层14

第一导电线路层16

接触垫18

第一芯片20

压合基板30

绝缘层32

第三铜箔层34

第一盲孔36

第二盲孔38

直线式柱状结构39

晶种层40

电镀层50

第一导电孔52

第二导电孔54

第二导电线路层56

第三导电线路层58

第一防焊层60

第一焊垫62

第二防焊层70

第二焊垫72

第二芯片80

焊料凸点90

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

本发明提供一种封装结构100的制造方法，具体步骤如下：

第一步，请参阅图1，提供一个承载基板10。

所述承载基板10两侧表面贴合有第一铜箔层12及第二铜箔层14。所述第一铜箔层12及所述第二铜箔层14分别粘结于所述承载基板10的相背两 侧。

第二步，请参阅图2，对所述第一铜箔层12进行线路制作，将所述第一铜箔层12制作形成第一导电线路层16。

其中，所述第一导电线路层16上形成有多个接触垫18。所述第一导电线路层16通过对所述第一铜箔层12进行曝光、显影及蚀刻制程制作而成。

第三步，请参阅图3，提供一个第一芯片20，将所述第一芯片固定连接在所述多个接触垫18上。具体地，所述第一芯片20可以通过焊锡的方式固定在所述多个接触垫18上。在所述第一芯片20上沾上加热后的锡膏，并与所述多个接触垫18相对准，使所述第一芯片20粘贴在所述多个接触垫18上。

第四步，请参阅图4，提供一压合基板30，将所述压合基板30压合在所述第一导电线路层16及所述第一芯片20上。所述压合基板30包括一绝缘层32及一第三铜箔层34。所述第三铜箔层34贴合在所述压合基板30一表面。进行压合时，所述绝缘层32相对于所述第一芯片20放置，所述第三铜箔层34远离所述第一芯片20。

所述第一芯片20被內埋在所述绝缘层32内。所述绝缘层32与所述承载基板10一表面及所述第一导电线路层16相粘贴。

第五步，请参阅图5，对压合了所述压合基板30之后的所述承载基板10进行开孔制作，形成多个第一盲孔36及多个第二盲孔38。

所述第一盲孔36贯穿所述第三铜箔层34及所述绝缘层32，截止于所述第一导电线路层16。所述第一导电线路层16从所述第一盲孔36中暴露。所述第二盲孔38贯穿所述第二铜箔层14及所述承载基板10，截止于所述第一导电线路层16。所述第一导电线路层16从所述第二盲孔38中暴露。所述承载基板10两端形成有直线式柱状结构39。所述直线式柱状结构39由所述第一导电线路层16及开设在所述第一导电线路层16两侧相互对称的所述第一盲孔36、所述第二盲孔38构成。

所述第一盲孔36及所述第二盲孔38通过激光蚀刻制作而成。

第六步，请参阅图6，对盲孔制作后的所述承载基板10及所述压合基板30进行化学镀铜，在所述第三铜箔层34、所述第二铜箔层14、所述第一盲孔36及所述第二盲孔38内表面形成晶种层40。所述晶种层40有利于后续电镀过 程中镀铜更为牢固地结合在所述盲孔及外层铜箔上。

第七步，请参阅图7，对所述承载基板10及所述压合基板30进行电镀铜处理，以在所述晶种层40上形成一层电镀层50。所述电镀层50填满所述第一盲孔36及所述第二盲孔38，形成所述第一导电孔52及所述第二导电孔54。所述直线式柱状结构39中的所述第一盲孔36及所述第二盲孔38被所述电镀层50填满，使所述承载基板10两端具备较强的物理强度，以抑制所述承载基板10两端产生翘曲现象。

第八步，请参阅图8，对电镀处理后所述承载基板10及所述压合基板30上的铜箔进行线路制作，形成第二导电线路层56及第三导电线路层58。

具体地，在所述电镀层50表面贴覆一层覆盖膜(图未示)，再对所述承载基板10进行曝光、显影及蚀刻处理，将所述第三铜箔层34、所述晶种层40及所述电镀层50制作形成第二导电线路层56，将所述第二铜箔层14、所述晶种层40及所述电镀层50制作形成第三导电线路层58。其中，所述第三铜箔层34、所述晶种层40及所述电镀层50朝远离所述绝缘层32的方向依序贴合。所述第二铜箔层14、所述晶种层40及所述电镀层50朝远离所述承载基板10的方向依序贴合。所述第一导电孔52导通电连接所述第一导电线路层16与所述第二导电线路层56。所述第二导电孔54导通电连接所述第一导电线路层16与所述第三导电线路层58。

第九步，请参阅图9，在所述第二导电线路层56表面进行防焊处理，形成第一防焊层60，在所述第三导电线路层58表面进行防焊处理，形成第二防焊层70。其中，部分所述第二导电线路层56暴露在所述第一防焊层60内形成多个第一焊垫62。部分所述第三导电线路层58暴露在所述第二防焊层70内形成多个第二焊垫72。在所述第一焊垫62及所述第二焊垫72上进行表面处理，以避免所述第一焊垫62及所述第二焊垫72表面被氧化，进而影响其电气特性。表面处理的方式可采用化学镀金、化学镀镍等方式形成保护层(图未示)，或者在所述第一焊垫62及所述第二焊垫72上形成有机防焊性保护层(osp)(图未示)。

在形成所述第一焊垫62及所述第二焊垫72之前还对所述第二导电线路层56及所述第三导电线路层58表面进行快速蚀刻，使所述第二导电线路层56及所述第三导电线路层58上呈现粗糙的微结构以利于对所述第二导电线路层 56及所述第三导电线路层58表面进行防焊及表面处理。

然后，提供两个第二芯片80，在所述第一焊垫62及所述第二焊垫72上焊接上多个焊料凸点90。所述两个第二芯片80通过所述多个焊料凸点90焊接固定在所述第一焊垫62上，并与所述第一芯片20实现电连接，从而获得所述封装结构100。所述两个第二芯片80位于所述第一芯片20上方两端。

请参阅图9，一种封装结构100，包括依次接触的第一防焊层60、第二导电线路层56、绝缘层32、第一芯片20、第一导电线路层16、承载基板10、第三导电线路层58及第二防焊层70。所述第一防焊层60、第二导电线路层56、绝缘层32、第一芯片20及所述承载基板10、第三导电线路层58及第二防焊层70分别位于所述第一导电线路层16两侧。所述绝缘层32与所述承载基板10相粘结。所述第一导电线路层16两侧形成有多个第一导电孔52及多个第二导电孔54。所述多个第一导电孔52导通电连接所述第一导电线路层16与所述第二导电线路层56。所述多个第二导电孔54导通电连接所述第一导电线路层16与所述第三导电线路层58。所述第一芯片20內埋在所述绝缘层32内，并与所述第一导电线路层16上的接触垫18电连接。所述第一防焊层60覆盖在所述绝缘层32及所述第二导电线路层56表面。所述第二防焊层70覆盖在所述承载基板10及所述第三导电线路层58表面。部分所述第二导电线路层56从所述第一防焊层60中露出形成多个第一焊垫62。部分所述第三导电线路层58从所述第二防焊层70中露出形成多个第二焊垫72。所述多个第一焊垫62及所述多个第二焊垫72上形成有多个焊料凸点90。

所述封装结构100还可以包括两个第二芯片80。所述第二芯片80通过所述多个焊料凸点90固定在所述第一焊垫62上。所述两个第二芯片80位于所述第一芯片20上方两端，并与所述第一芯片20实现电连接。

本发明提供的所述封装结构100通过线路制作形成所述多个接触垫18，所述第一芯片20直接封装在所述多个接触垫18上，确保了所述第一芯片20的定位精度。所述第一芯片20內埋于所述绝缘层32内，不仅降低了所述封装结构100的高度，而且取代底部填充层对所述第一芯片20进行封装，节约了制作成本。所述封装结构100在制作过程中进行相对的开孔、化学镀铜、电镀铜及线路制作，缩短了所述封装结构的加工程序及时间。

可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本技术方案的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属 于本技术方案权利要求的保护范围。