1.一种化合物半导体装置，其特征在于，具备：
衬底；以及
在所述衬底之上依次设置的缓冲层、第1载流子供给层、第1间隔层、沟道层、第2间隔层、第2载流子供给层及接触层，
所述第1载流子供给层是杂质均匀地掺杂的均匀掺杂层，
所述第2载流子供给层是杂质局部地掺杂的平面掺杂层，
在所述缓冲层和所述第1间隔层之间、及所述第2间隔层和所述接触层之间，没有设置电阻值比所述第1及第2间隔层高的Al混晶层。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体装置，其特征在于，
在所述缓冲层和所述第1间隔层之间还具备与所述第1载流子供给层层叠的第3载流子供给层，
所述第3载流子供给层是杂质局部地掺杂的平面掺杂层。
3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体装置，其特征在于，
所述衬底是GaAs衬底，
所述第1载流子供给层、所述沟道层及所述第2载流子供给层由与所述GaAs衬底晶格匹配或近似晶格匹配的AlGaAs或InGaAs构成。
4.根据权利要求1或2所述的化合物半导体装置，其特征在于，
所述衬底是InP衬底，
所述第1载流子供给层、所述沟道层及所述第2载流子供给层由与所述InP衬底晶格匹配或近似晶格匹配的AlInAs、AlGaInAs或InGaAs构成。
5.根据权利要求1或2所述的化合物半导体装置，其特征在于，
所述衬底是GaAs衬底，
所述第1载流子供给层、所述沟道层及所述第2载流子供给层由AlInAs、AlGaInAs或InGaAs构成，
所述缓冲层是从所述GaAs衬底侧朝向所述第1载流子供给层侧使AlInAs或AlGaInAs的In组分阶梯状或渐变地增加的异变缓冲层。