技术总结
本发明得到一种化合物半导体装置,其能够通过简单的构造抑制杂质扩散,实现特性提高及稳定生产。在衬底(1)之上依次设置有:缓冲层(2)、第1载流子供给层(3)、第1间隔层(4)、沟道层(5)、第2间隔层(6)、第2载流子供给层(7)及接触层(9)。第1载流子供给层(3)是杂质均匀地掺杂的均匀掺杂层。第2载流子供给层(7)是杂质局部地掺杂的平面掺杂层。在缓冲层(2)和第1间隔层(4)之间、及第2间隔层(6)和接触层(9)之间,没有设置电阻值比第1及第2间隔层(4、6)高的Al混晶层。
技术研发人员:畠中奖;山口晴央
受保护的技术使用者:三菱电机株式会社
文档号码:201610319639
技术研发日:2016.05.13
技术公布日:2016.11.23