包括半导体结构的半导体器件及该半导体器件的制造方法与流程

技术特征：

1.一种半导体器件，其包括：

半导体结构；

半电绝缘钝化层，其覆盖在所述半导体结构上；以及

基本上完全电绝缘的钝化层，其覆盖在所述半电绝缘钝化层上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半电绝缘钝化层具有大约至大约的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述基本上完全电绝缘的钝化层具有大约至大约的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半电绝缘钝化层具有大约7.5×10⁸Ohm·cm至大约2.5×10⁹Ohm·cm的体电阻率。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述基本上完全电绝缘的钝化层具有大约1×10¹⁵Ohm·cm至大约1×10¹⁶Ohm·cm的体电阻率。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半电绝缘钝化层具有大约2.75至大约3.25的折射率。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述基本上完全电绝缘的钝化层具有从大约1.92至大约2.08的折射率。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半电绝缘钝化层在大约225kHz至大约450kHz下具有大约450W至大约650W的低频功率。

9.一种半导体器件，其包括：

半导体结构，其被配置成快恢复二极管结构并且包括：

N导电类型的掺杂半导体衬底，并且所述掺杂半导体衬底具有上表面部分和下表面部分，所述下表面部分设置在与所述上表面部分相对的一侧上，其中所述掺杂半导体衬底包括：

P导电类型的中心P+掺杂剂区域，其延伸到所述上表面部分从而 限定主阳极；

所述N导电类型的终端N+掺杂剂区域，其围绕所述上表面部分从而限定沟道停止部；

至少一个所述P导电类型的中间P+掺杂剂区域，其在所述主阳极与所述沟道停止部之间并且与所述主阳极和所述沟道停止部隔开设置在所述上表面部分中，从而限定至少一个保护环；以及

所述N导电类型的下N+掺杂剂区域，其在所述掺杂半导体衬底的所述下表面部分中形成；

第一阳极金属垫，其电耦合到所述主阳极；

第二金属结构，其电耦合到所述沟道停止部；

至少一个氧化物层，其覆盖位于所述第一阳极金属垫与所述第二金属结构之间的所述掺杂半导体衬底；

至少一个金属场板，其设置在所述第一阳极金属垫与所述第二金属结构之间，并且与所述第一阳极金属垫和所述第二金属结构隔开，从而覆盖所述至少一个氧化物层；以及

半电绝缘钝化层，其包括覆盖所述至少一个金属场板和所述至少一个氧化物层的第一氮化硅材料，其中所述第一氮化硅材料具有大约7.5×10⁸Ohm·cm至大约2.5×10⁹Ohm·cm的第一体电阻率；以及

基本上完全电绝缘的钝化层，其包括覆盖所述半电绝缘钝化层的第二氮化硅材料，其中所述第二氮化硅材料具有大约1×10¹⁵Ohm·cm至大约1×10¹⁶Ohm·cm的第二体电阻率。

10.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：

形成覆盖在半导体结构上的半电绝缘钝化层；以及

形成覆盖在所述半电绝缘钝化层上的基本上完全电绝缘的钝化层。