1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
具有用于载置基板的基板载置面的载置台；
设置在所述载置台、通过静电力将基板吸附保持在所述基板载置面上的静电吸附部；
将所述载置台收纳在内部的腔室；和
在所述腔室的内部生成等离子体的等离子体生成构件，
该等离子体处理装置利用所述等离子体对载置于所述载置台上的基板实施处理，
所述等离子体处理装置还包括：
在所述基板载置面上载置有基板的状态下，在该基板所覆盖的位置以露出在所述基板载置面的方式配置于所述载置台的导电性部件；
对所述导电性部件施加直流电压的直流电源；
检测所述导电性部件的电位和流过所述导电性部件的电流中的至少一者的检测器；和
控制部，其在所述检测器检测到所述导电性部件的电位的变化或者流过所述导电性部件的电流发生变化时，中止利用所述等离子体生成构件进行的等离子体的生成。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述导电性部件配置在与所述基板的周缘部对应的位置。
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述导电性部件以与所述载置台电绝缘的状态载置于所述载置台。
4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述导电性部件可更换地配置于所述载置台。
5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述直流电源对所述导电性部件施加正电压，
在由所述检测器检测到所述导电性部件的电位降低至规定值以下时，所述控制部中止利用所述等离子体生成构件进行的等离子体的生成。
6.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述直流电源对所述导电性部件施加负电压，
在由所述检测器检测到所述导电性部件的电位超过规定的阈值而发生变化时，所述控制部中止利用所述等离子体生成构件进行的等离子体的生成。
7.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述直流电源对所述导电性部件施加负电压，
在由所述检测器检测到流过所述导电性部件的电流超过规定的阈值而发生变化时，所述控制部中止利用所述等离子体生成构件进行的等离子体的生成。
8.一种基板剥离检测方法，其检测对载置于载置台的基板载置面上的基板实施等离子体处理时所述基板从所述基板载置面的剥离，所述基板剥离检测方法的特征在于，包括：
对导电性部件施加规定的直流电压的施加步骤，该导电性部件在所述基板载置面上载置有基板的状态下，在该基板所覆盖的位置以露出在所述基板载置面的方式配置于所述载置台；
在对所述导电性部件施加了规定的直流电压的状态下，对所述基板实施等离子体处理的处理步骤；
在所述处理步骤的执行中，监视所述导电性部件的电位或者流过所述导电性部件的电流的监视步骤；和
在所述监视步骤中，检测到所述导电性部件的电位的变化或者流过所述导电性部件的电流发生变化时，判断为所述基板从所述基板载置面剥离的判断步骤。