1.一种方法，包括：
在半导体基板上于单元边界处形成虚拟栅极结构，各虚拟栅极结构包含一组侧壁间隔件及设于该侧壁间隔件之间的盖层；
移除在第一虚拟栅极结构的第一侧上的第一侧壁间隔件或第一盖层的至少一部分，且在该第一虚拟栅极结构上方形成第一栅极接触沟槽；以及
以金属填充该第一栅极接触沟槽以形成第一栅极接触。
2.根据权利要求1所述的方法，更包括：
移除在第二虚拟栅极结构的第二侧上的第二侧壁间隔件或第二盖层，且在该第二虚拟栅极结构上方形成第二栅极接触沟槽；以及
以钨、钨合金、铜、铝铜合金或硅铜合金填充该第一及该第二栅极接触沟槽。
3.根据权利要求2所述的方法，包括：
在该半导体基板的PFET侧上形成该第一虚拟栅极结构；以及
在该半导体基板的NFET侧上形成该第二虚拟栅极结构。
4.根据权利要求3所述的方法，更包括：
在第一浅沟槽隔离(STI)区域上方形成该第一虚拟栅极结构；以及
在第二浅沟槽隔离(STI)区域上方形成该第二虚拟栅极结构。
5.根据权利要求2所述的方法，包括在该第一及第二虚拟栅极结构上形成该第一及第二栅极接触作为厚或移动的栅极接触。
6.根据权利要求5所述的方法，更包括形成低介电系数材料或硅氮化物(SiN)的该第一及第二侧壁间隔件或第一及第二盖层，其中，移除该第一及第二侧壁间隔件或第一及第二盖层包括：
蚀刻在该第一虚拟栅极结构的该第一侧上的该第一侧壁间隔件，以及
蚀刻在该第二虚拟栅极结构的该第二侧上的该第二侧壁间隔件。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，该低介电系数材料为硅氧碳氮化物(SiOCN)。
8.根据权利要求2所述的方法，更包括：
在该第一及第二栅极接触上方设置金属化层。
9.根据权利要求2所述的方法，更包括：
连接该第一虚拟栅极结构的第一源极/漏极结构与该第二虚拟栅极结构的第二源极/漏极结构。
10.根据权利要求2所述的方法，更包括：
在该第一与第二虚拟栅极结构之间形成至少一个实际栅极结构。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，该至少一个实际栅极结构设置在源极区域与漏极区域之间。
12.一种装置，包括：
半导体基板；
多个实际栅极结构，设置在该半导体基板上方；
金属化层，设置在该实际栅极结构上方；以及
第一虚拟栅极结构，包含在该第一虚拟栅极结构的第一侧上的单一侧壁间隔件以及在该第一虚拟栅极结构上方的第一栅极接触，该第一栅极接触连接第二侧上的源极/漏极区域。
13.根据权利要求12所述的装置，更包括：
第二虚拟栅极结构，包含在该第二虚拟栅极结构的第二侧上的单一侧壁间隔件；以及
第二栅极接触，在该第二虚拟栅极结构上方，该第二栅极接触连接至第二侧上的源极/漏极区域。
14.根据权利要求13所述的装置，其中，该第一及第二栅极接触是以钨、钨合金、铜、铝铜合金或硅铜合金填充。
15.根据权利要求13所述的装置，其中，该第一及第二虚拟栅极结构形成在第一及第二浅沟槽隔离区域上方。
16.根据权利要求13所述的装置，其中：
该第一虚拟栅极结构形成在该半导体基板的PFET区域中，
该第二虚拟栅极结构形成在该半导体基板的NFET区域中；以及
该第一或第二虚拟栅极结构连接NFET源极/漏极区域与PFET源极/漏极区域。
17.根据权利要求13所述的装置，其中：
该第一虚拟栅极结构形成在单元的第一边缘处，及
该第二虚拟栅极结构形成在该单元的第二边缘处。
18.一种方法，包括：
在半导体基板上于单元边界处形成虚拟栅极结构，各虚拟栅极结构包含一组侧壁间隔件及设于该侧壁间隔件之间的盖层；
藉由同时移除在第一虚拟栅极结构的第一侧上的第一侧壁间隔件，且蚀刻该第一虚拟栅极结构上方的第一栅极接触沟槽，并移除在第二虚拟栅极结构的第二侧上的第二侧壁间隔件，且蚀刻该第二虚拟栅极结构上方的第二栅极接触沟槽，而形成第一及第二扩张栅极接触沟槽；
形成在该第一及第二虚拟栅极结构之间的实际栅极结构；以及
以钨、钨合金、铜、铝铜合金或硅铜合金填充该第一及第二扩张栅极接触沟槽，以分别连接第一及第二源极/漏极区域与该第一及第二栅极接触。
19.根据权利要求18所述的方法，包括：
在该半导体基板的PFET侧上形成该第一虚拟栅极结构；以及
在该半导体基板的NFET侧上形成该第二虚拟栅极结构。
20.根据权利要求18所述的方法，包括：
在第一浅沟槽隔离(STI)区域上方形成该第一虚拟栅极结构；以及
在第二浅沟槽隔离(STI)区域上方形成该第二虚拟栅极结构。