1.一种基板处理装置，其中，
包括：
喷出口，喷出对基板进行处理的处理流体，
供给路，向所述喷出口引导处理流体，
喷出阀，安装在所述供给路上，
基板保持单元，一边将由从所述喷出口喷出的处理流体处理的基板保持为水平一边使该基板旋转，
存放器，接受从所述喷出口喷出的处理流体，
位置变更单元，在处理位置和预喷出位置之间变更所述喷出口以及存放器的位置关系，所述处理位置是从所述喷出口喷出的处理流体向由所述基板保持单元保持的基板供给的位置，所述预喷出位置是从所述喷出口喷出的处理流体向所述存放器供给的位置，
下游温度检测单元，对从所述喷出口供给到所述存放器的处理流体的温度进行检测，
控制装置，对所述喷出阀以及位置变更单元进行控制；
所述控制装置执行：
第一步骤，通过打开安装在向喷出对基板进行处理的处理流体的所述喷出口引导处理流体的所述供给路上的所述喷出阀，使所述喷出口在从所述喷出口喷出的处理流体向所述存放器供给的所述预喷出位置喷出处理流体，
第二步骤，与所述第一步骤并行，通过所述下游温度检测单元对从所述喷出口喷出的处理流体的温度进行检测，
第三步骤，基于在所述第二步骤检测出的处理流体的温度，停止从所述喷出口向所述存放器供给处理流体，
第四步骤，在所述第三步骤之后，使所述喷出口在从所述喷出口喷出的处理流体向由所述基板保持单元保持的基板供给的所述处理位置喷出处理流体。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述下游温度检测单元包括下游接触面，该下游接触面配置在从所述喷出口喷出的处理流体直接碰触的位置。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述下游温度检测单元包括相对于水平面倾斜的下游接触面，对与所述下游接触面接触的处理流体的温度进行检测。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述存放器包括从所述存放器内排出处理流体的排出口，
所述下游接触面朝向所述排出口向斜下方倾斜。
5.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述下游温度检测单元包括由包含碳化硅的材料作成的下游接触面，对与所述下游接触面接触的处理流体的温度进行检测。
6.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还包括在所述喷出阀的上游对位于所述供给路的处理流体的温度进行检测的上游温度检测单元，
所述上游温度检测单元包括与位于所述供给路的处理流体接触的上游接触面，对与所述上游接触面接触的处理流体的温度进行检测，
所述下游温度检测单元包括由热传导率比所述上游温度检测单元的所述上游接触面高的材料作成的下游接触面，对与所述下游接触面接触的处理流体的温度进行检测。
7.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
在所述预喷出位置的所述喷出口至所述下游温度检测单元的距离，等于在所述处理位置的所述喷出口至所述基板的距离。
8.一种基板处理方法，其中，包括：
第一步骤，通过打开安装在向喷出对基板进行处理的处理流体的喷出口引导处理流体的供给路上的喷出阀，使所述喷出口在从所述喷出口喷出的处理流体由存放器接受的预喷出位置喷出处理流体；
第二步骤，与所述第一步骤并行，通过下游温度检测单元对从所述喷出口喷出的处理流体的温度进行检测；
第三步骤，基于在所述第二步骤检测出的处理流体的温度，停止从所述喷出口向所述存放器供给处理流体，
第四步骤，在所述第三步骤之后，使所述喷出口在从所述喷出口喷出的处理流体向由基板保持单元保持的所述基板供给的处理位置喷出处理流体， 该基板保持单元一边将所述基板保持为水平一边使所述基板旋转。