1.一种改善IGBT背面应力的方法，其特征在于：对于硅片正面钝化层上覆盖的聚酰亚胺，光刻及刻蚀图案化之后，在整个硅片表面涂覆有机粘合剂，然后粘上玻璃载片。
2.如权利要求1所述的改善IGBT背面应力的方法，其特征在于：所述有机粘合剂充分填充到聚酰亚胺刻蚀之后的凹陷及缝隙中，玻璃载片与有机粘合剂一起形成应力缓冲层。
3.如权利要求1所述的改善IGBT背面应力的方法，其特征在于：包含的步骤为：
第1步，在玻璃载片上旋涂有机粘合剂；
第2步，在硅片正面涂布有机粘合剂；
第3步，硅片正面对准涂有有机粘合剂的玻璃载片，将两者粘合；
第4步，进行紫外线烘烤；
第5步，将带有玻璃载片的硅片进行背面减薄；
第6步，加热带有玻璃载片的硅片；
第7步，分离玻璃载片与硅片，去除硅片正面的粘合剂；
第8步，氮气吹干硅片，湿法腐蚀规模背面，进行背面注入、激光退火及金属工艺。
4.如权利要求3所述的改善IGBT背面应力的方法，其特征在于：所述第1步，有机粘合剂涂布厚度为10～15μm。
5.如权利要求3所述的改善IGBT背面应力的方法，其特征在于：所述第2步，有机粘合剂涂布厚度为10～15μm。
6.如权利要求3所述的改善IGBT背面应力的方法，其特征在于：所述第4步，紫外线照射温度300～350℃。
7.如权利要求3所述的改善IGBT背面应力的方法，其特征在于：所述第5步，减薄的厚度根据具体产品而定。
8.如权利要求3所述的改善IGBT背面应力的方法，其特征在于：所述第6步，加热温度为300～350℃。