改善IGBT背面应力的方法与流程

技术总结
本发明公开了一种改善IGBT背面应力的方法，对于硅片正面钝化层上覆盖的聚酰亚胺，光刻及刻蚀图案化之后，在整个硅片表面涂覆粘合剂，然后粘上玻璃载片。所述粘合剂充分填充到聚酰亚胺刻蚀之后的凹陷及缝隙中，玻璃载片与粘合剂一起形成应力缓冲层。

技术研发人员：马彪;黄璇
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201610620546
技术研发日：2016.08.01
技术公布日：2016.12.07