1.利用真空磁控溅射技术在PE隔膜表面制备陶瓷膜的方法，其特征在于：它包括以下步骤：
a、将要处理的PE隔膜在净化房内分切成需要的尺寸后安装在Roll-Roll真空磁控溅射镀膜设备的放卷辊上；
b、开启Roll-Roll真空磁控溅射镀膜设备，调整设备至可镀膜工艺条件；
c、开启离子源轰击PE膜，将聚烃高分子键部分打开；
d、在聚烃分子键打开的同时，开启中频溅射阴极，利用中频磁控溅射阴极反应溅射Si靶材，形成SixNy-陶瓷材料嵌入到被打开的聚烃分子键位置；通过对磁控溅射阴极的工艺的控制，形成一层致密的陶瓷膜；
e、隔膜表面沉积陶瓷膜后，在真空状态下进行退火处理，消除陶瓷膜应力；
f、收-放卷连续溅镀；
g、整卷镀膜完成；
h、破真空；
i、取下收券辊；
j、取样检查性能；
k、包装入库。
2.根据权利要求1所述的利用真空磁控溅射技术在PE隔膜表面制备陶瓷膜的方法，其特征在于所述步骤a中PE隔膜分切后的尺寸为：0.2-1.2m。
3.根据权利要求1所述的利用真空磁控溅射技术在PE隔膜表面制备陶瓷膜的方法，其特征在于步骤b中可镀膜工艺条件为：本底真空度5x10-3Pa、工艺气氛3x10-1Pa、加热温度80-200℃、离子源功率0.2-3kw、中频磁控溅射阴极功率1-20W、镀膜速度0.1-5m/s。
4.根据权利要求1所述的利用真空磁控溅射技术在PE隔膜表面制备陶瓷膜的方法，其特征在于步骤d中磁控溅射反应生成物SixNy参数：X值范围1-3；Y值范围2-4。
5.根据权利要求1所述的利用真空磁控溅射技术在PE隔膜表面制备陶瓷膜的方法，其特征在于步骤e中的真空度为3x10-1-5x10-3Pa。