一种薄膜晶体管印刷电极的制备方法与流程

文档序号:13761859阅读:来源:国知局
一种薄膜晶体管印刷电极的制备方法与流程

技术特征:

1.一种薄膜晶体管印刷电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)基底清洗:将玻璃基底依次放置于不同的清洗剂中,并采用超声波清洗器分别震荡5~10min;

(2)基底烘干:清洗完成后将基底用氮气枪吹干,用洗片架盛好后放入烧杯中,以锡纸封口,放入干燥箱内进行干燥;

(3)打印图形设计:设置D、S分别为TFT的漏极和源极,L为TFT的沟道长度,即漏极到源极之间的距离,预设L的值,在所述漏极和源极的两侧分别设置用于搭测量探针的引出电极;

(4)打印参数设置:设置打印机的参数为基板温度55℃~65℃,喷头温度55℃~65℃,墨滴间距30~35μm;调节打印机内施加于压电陶瓷之上的电压信号的前两波段的参数Slew Rate和Duration,保持前两波段相同参数的数值相等,固定一个参数的值,调节另一参数至合适范围;固定Duration为2.688μs,将Slew Rate调节至0.18~0.95V/μs范围内,或者固定Slew Rate为0.65V/μs,将Duration调节至1.472~2.688μs范围内;

(5)打印:按照步骤(3)设计好的打印图形、步骤(4)设置的打印参数,用打印机对基底进行打印。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管印刷电极的制备方法,其特征在于:步骤(4)中,设置打印机的参数为基板温度58℃~62℃,喷头温度58℃~62℃,墨滴间距33~35μm。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管印刷电极的制备方法,其特征在于:步骤(4)中,设置打印机的参数为基板温度60℃,喷头温度为60℃,墨滴间距35μm。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管印刷电极的制备方法,其特征在于:步骤(4)中,固定Duration为2.688μs,将Slew Rate调节至0.38~0.75V/μs范围内,或者固定Slew Rate为0.65V/μs,将Duration调节至1.772~2.388μs范围内。

5.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管印刷电极的制备方法,其特征在于:步骤(4)中,固定Duration为2.688μs,将Slew Rate调节至0.48~0.65 V/μs范围内,或者固定Slew Rate为0.65 V/μs,将Duration调节至1.872~2.288μs范围内。

6.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管印刷电极的制备方法,其特征在于:步骤(4)中,固定Duration为2.688μs,将Slew Rate调节至0.5 V/μs,或者固定Slew Rate为0.65 V/μs,将Duration调节至2.0μs。

7.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管印刷电极的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述基底清洗分为六步清洗,六步清洗所用清洗剂按顺序分别为异丙醇、四氢呋喃、碱性清洗液、去离子水、去离子水和异丙醇。

8.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管印刷电极的制备方法,其特征在于: 步骤(5)中,打印用的打印材料采用纳米银颗粒墨水,打印前先将所述纳米银颗粒墨水从冷藏室中取出,并在室温下解冻;所述纳米银颗粒墨水为:固含量为30%~35 %,粘度为10~17 cPs,表面张力为35~38 dyn/cm,采用的溶剂为三乙二醇乙醚,洗涤溶剂为极性溶剂,烧结温度为120℃~150℃,电阻率为11μΩ·cm~12μΩ·cm。

9.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管印刷电极的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,预设L的值为75μm。

10.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管印刷电极的制备方法,其特征在于:所采用打印机的型号为Dimatix DMP-2800。

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