1.一种T型槽栅MOSFET，包括从下至上依次层叠设置的漏极电极(1)、N型重掺杂单晶硅衬底(2)、N-外延层(3)和源极电极(10)；所述N-外延层(3)上层中部具有Pbody区(7)，N-外延层(3)两侧具有深槽金属(6)；所述深槽金属(6)的上表面与源极电极(10)接触；所述Pbody区(7)与深槽金属(6)之间的N-外延层(3)上层具有N+掺杂区(13)，所述N+掺杂区(13)的上表面与源极电极(10)接触，N+掺杂区(13)的侧面分别与Pbody区(7)和深槽金属(6)接触；所述N+掺杂区(13)的正下方具有P型基区(5)，所述P型基区(5)的上表面与N+掺杂区(13)的下表面接触，P型基区(5)的侧面分别与Pbody区(7)和深槽金属(6)接触；所述P型基区(5)下方具有重掺杂P+区(4)，所述重掺杂P+区(4)的上表面与P型基区(5)的下表面接触，重掺杂P+区(4)将深槽金属(6)的下端包围；所述源极电极(10)中具有第一栅氧化层(12)，所述第一栅氧化层(12)的下表面与Pbody区(7)的上表面和部分N+掺杂区(13)的上表面接触；所述第一栅氧化层(12)中具有第一栅极(9)，所述第一栅极(9)的上表面与源极电极(10)通过介质层(11)隔离；所述第一栅极(9)的下表面中部与第二栅极(8)连接，所述第二栅极(8)沿器件垂直方向向下贯穿Pbody区(7)并延伸至N-外延层(3)，所述第一栅极(9)与第二栅极(8)相互垂直构成“T”字型，所述第二栅极(8)与body区(7)之间通过第二栅氧化层(14)隔离，所述第二栅极(8)的底端连接有氧化层深槽(15)；所述氧化层深槽(15)和重掺杂P+区(4)之间的N-外延层(3)中具有重掺杂埋层p+区(16)；所述重掺杂P+区(4)、P型基区(5)、重掺杂埋层p+区(16)的浓度均大于Pbody区(7)。
2.根据权利要求1所述的一种T型槽栅MOSFET，所述重掺杂P+区(4)的掺杂浓度大于N-外延层(3)的掺杂浓度两个数量级。