技术总结
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种T型槽栅MOSFET。本发明引入了T型栅结构，使得器件的输入电容提高，T型栅下方的厚氧化层同时降低了器件的Cgd，从而Cgs/Cgd比值提高，器件具有更高的抗漏极电压震荡对栅极影响的能力，以及低EMI噪声。深槽金属连接深注入P+区，这种深槽体接触结构使得器件的寄生三极管更难开启，防止了器件在关断过程中容易产生的UIS热失效，同时深注入的P+区和埋层p+区引入了横向电场，使得器件反向耐压提高。
技术研发人员：李泽宏;陈哲;曹晓峰;李爽;陈文梅;林育赐;谢驰;任敏
受保护的技术使用者：电子科技大学
文档号码：201610705046
技术研发日：2016.08.22
技术公布日：2017.01.04