1.一种硅衬底高密度LED光源模组，其特征在于：包括散热基体，所述散热基体上设有封装区；还包括覆盖在封装区上的硅衬底以及封装在硅衬底上的LED芯片。
2.根据权利要求1所述的光源模组，其特征在于：所述LED芯片为倒装LED芯片。
3.根据权利要求2所述的光源模组，其特征在于：所述硅衬底上设有线路层 ；还包括包括N极焊点及P极焊点；所述线路层的线路与N极焊点及P极焊点导通；所述倒装 LED 芯片其底部的P电极和N电极分别连接在所述P极焊点和所述N极焊点上。
4.根据权利要求3所述的光源模组，其特征在于：所述倒装 LED 芯片其底部的P电极和N电极分别连接在所述P极焊点和所述N极焊点上是指所述倒装 LED 芯片其底部的P电极和N电极分别通过共晶焊连接在所述P极焊点和所述N极焊点上。
5.根据权利要求3或4所述的光源模组，其特征在于：所述P电极和N电极与所述P极焊点和所述N极焊点分别通过导电层连接。
6.根据权利要求5所述的光源模组，其特征在于：所述导电层为导电胶或金属焊料。
7.根据权利要求3或4所述的光源模组，其特征在于：所述散热基体对应倒装LED芯片的位置设有散热盲孔，散热盲孔的开口与大气连通。
8.根据权利要求6所述的光源模组，其特征在于：所述导电区为下沉于散热基体表面的凹槽；所述导电胶为光固化导电胶。
9.一种基于共晶焊的硅衬底高密度LED光源模组制备方法，包括如下工序：
S1. 提供一散热基体，在散热基体上形成下沉的封装区，并在封装区表面形成硅衬底；
S2.在硅衬底上制作出线路层和N极焊点及P极焊点；
S3.提供倒装 LED 芯片，并将其底部的N电极和P电极分别放置在表面涂有导电胶的N极焊点及P极焊点，并进行光固化；
S4.利用共晶焊接设备将所述倒装LED芯片与硅衬底焊接在一起。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述S5中，焊接时超声波功率为0.6-1.6W，时间为100-500ms，温度为50-250℃。