1.一种VDMOS集成ESD结构的制备方法，其特征在于,该方法通过以下步骤实现：
步骤一：在 n 型或者P型的重掺杂的衬底上形成外延层；
步骤二：在外延层表面淀积氮化硅层，之后通过光刻工艺和干法刻蚀工艺将栅极区域或者终端预定做ESD的区域刻蚀掉，部分区域露出外延层，剩余区域仍然有氮化硅覆盖；
步骤三：通过过炉管工艺在露出外延层的区域生长场氧化层；
步骤四：湿法腐蚀去掉氮化硅层，留下场氧化层图形；
步骤五：通过光刻版及干法腐蚀工艺在有源区形成沟槽；
步骤六：经过牺牲氧化、栅氧氧化，形成MOSFET器件栅氧；
步骤七：淀积多晶硅；
步骤八：通过多晶硅的光刻以及干法腐蚀工艺完成器件栅极以及ESD PN结的多晶硅图形；
步骤九：P-BODY注入，形成P阱；
步骤十：source光刻以及source注入，形成器件源极的同时，在ESD多晶硅图形上面完成PN结的结注入，形成ESD；
步骤十一：介质淀积；
步骤十二：通过光刻和腐蚀工艺形成引线孔；
步骤十三：完成孔钨填充，和表面金属工艺形成器件正面结构；
步骤十四：最后完成背面金属工艺，形成器件漏端，完成最终器件结构。
2.根据权利要求1所述的VDMOS集成ESD结构的制备方法，其特征在于：所述在露出外延层的区域内的场氧化层向外延层内延伸。
3.根据权利要求1或2所述的VDMOS集成ESD结构的制备方法，其特征在于：所述外延层采用N型或者P型。
4.根据权利要求3所述的VDMOS集成ESD结构的制备方法，其特征在于：所述ESD位于栅极PAD周围或者终端区域特定位置。
5.根据权利要求4所述的VDMOS集成ESD结构的制备方法，其特征在于：所述ESD由多对PN结结构组成。
6.根据权利要求5所述的VDMOS集成ESD结构的制备方法，其特征在于：所述场氧化层的厚度为8000A至16000A。