技术总结
本发明公开了一种VDMOS集成ESD结构的制备方法，在衬底上形成外延层；在外延层表面淀积氮化硅层，之后通过光刻工艺和干法刻蚀工艺将栅极区域或者终端预定做ESD的区域刻蚀掉，部分区域露出外延层，剩余区域仍然有氮化硅覆盖；通过过炉管工艺在露出外延层的区域生长场氧化层；湿法腐蚀去掉氮化硅层，留下场氧化层图形；在有源区形成沟槽；形成MOSFET器件栅氧；淀积多晶硅；完成器件栅极以及ESD PN结的多晶硅图形；形成P阱；形成器件源极的同时，在ESD多晶硅图形上面完成PN结的结注入，形成ESD；介质淀积；形成引线孔；完成孔钨填充和表面金属工艺形成器件正面结构；最后完成最终器件结构。本发明避免了有源区外延层在热氧化层生长中的损耗，提高了器件耐压。
技术研发人员：岳玲;刘挺;杨乐;周宏伟;徐西昌
受保护的技术使用者：西安龙腾新能源科技发展有限公司
文档号码：201610768814
技术研发日：2016.08.30
技术公布日：2017.01.04