技术特征：
技术总结
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在通道层上形成第一子层，所述第一子层包含含铟、锌的金属氧化物，形成第二子层覆盖于所述第一子层上，所述第二子层包含金属材料；形成第三子层覆盖于所述第二子层上，所述第三子层包含含金属铟、锌的氧化物，第一子层、第二子层和第三子层共同构成了第二导电层，蚀刻该第二导电层形成一凹槽贯穿第一子层、第二子层及第三子层，以使得第二导电层形成间隔设置的源极与漏极；形成钝化层覆盖在所述源极、所述漏极以及所述通道层之上，在钝化层的形成过程中所述凹槽的侧壁上形成一侧副层夹设于所述第二导电层与钝化层之间。本发明还提供一种半导体装置。
技术研发人员：高逸群;林欣桦;施博理;张炜炽;陆一民;吴逸蔚
受保护的技术使用者：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
技术研发日：2016.09.08
技术公布日：2017.07.25