1.一种阵列基板，包括衬底、设置在所述衬底上的多晶硅薄膜晶体管，所述多晶硅薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括源极区、漏极区、位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；其特征在于，
所述阵列基板还包括设置在所述衬底与所述有源层之间的金属遮光层；
所述金属遮光层在所述衬底上的正投影完全覆盖所述沟道区在所述衬底上的正投影，且所述金属遮光层至少覆盖部分所述源极区和部分所述漏极区。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属遮光层在所述衬底上的正投影完全覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影；
所述金属遮光层包括与所述沟道区对应的第一部分、与所述源极区对应的第二部分、以及与所述漏极区对应的第三部分；
沿垂直所述沟道区长度的方向，所述第二部分超出所述源极区的尺寸大于所述第一部分超出所述沟道区的尺寸；所述第三部分超出所述漏极区的尺寸大于所述第一部分超出所述沟道区的尺寸。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，沿所述沟道区长度的方向，所述第二部分超出所述源极区，所述第三部分超出所述漏极区。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属遮光层在所述衬底上的正投影完全覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影；
所述金属遮光层包括与所述沟道区对应的第一部分、与所述源极区对应的第二部分、以及与所述漏极区对应的第三部分；
所述第二部分超出所述源极区的面积大于所述第一部分超出所述沟道区的面积；所述第三部分超出所述漏极区的面积大于所述第一部分超出所述沟道区的面积。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属遮光层在所述衬底上的正投影完全覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影；
所述金属遮光层包括与所述沟道区对应的第一部分、与所述源极区对应的第二部分、以及与所述漏极区对应的第三部分；
所述第二部分和所述第三部分的面积均大于所述第一部分的面积。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属遮光层的热导率大于85W/(m·K)。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属遮光层的厚度在40～200nm之间。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括设置在所述金属遮光层与所述有源层之间的缓冲层。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.一种阵列基板的制备方法，包括在衬底上形成多晶硅薄膜晶体管，所述多晶硅薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括源极区、漏极区、位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；其中，所述有源层通过对多晶硅层进行离子注入得到；所述多晶硅层通过对非晶硅层进行准分子激光退火得到；其特征在于，还包括：在形成所述多晶硅薄膜晶体管之前，在所述衬底上形成与所述有源层对应的金属遮光层；
所述金属遮光层在所述衬底上的正投影完全覆盖所述沟道区在所述衬底上的正投影，且所述金属遮光层至少覆盖部分所述源极区和部分所述漏极区。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述金属遮光层在所述衬底上的正投影完全覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影；
所述金属遮光层包括与所述沟道区对应的第一部分、与所述源极区对应的第二部分、以及与所述漏极区对应的第三部分；
沿垂直所述沟道区长度的方向，所述第二部分超出所述源极区的尺寸大于所述第一部分超出所述沟道区的尺寸；所述第三部分超出所述漏极区的尺寸大于所述第一部分超出所述沟道区的尺寸。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，沿所述沟道区长度的方向，所述第二部分超出所述源极区，所述第三部分超出所述漏极区。
13.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述金属遮光层在所述衬底上的正投影完全覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影；
所述金属遮光层包括与所述沟道区对应的第一部分、与所述源极区对应的第二部分、以及与所述漏极区对应的第三部分；
所述第二部分超出所述源极区的面积大于所述第一部分超出所述沟道区的面积；所述第三部分超出所述漏极区的面积大于所述第一部分超出所述沟道区的面积。
14.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述金属遮光层在所述衬底上的正投影完全覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影；
所述金属遮光层包括与所述沟道区对应的第一部分、与所述源极区对应的第二部分、以及与所述漏极区对应的第三部分；
所述第二部分和所述第三部分的面积均大于所述第一部分的面积。
15.根据权利要求10-14任一项所述的制备方法，其特征在于，形成所述多晶硅薄膜晶体管，包括：
依次形成多晶硅层、栅绝缘层、栅电极；
以所述栅电极为阻挡，对未被所述栅电极挡住的所述多晶硅层进行离子注入工艺，使所述多晶硅层形成有源层；其中，离子注入的能量在10～200keV之间，离子注入剂量在1x1011～1x1020atoms/cm3之间；
形成层间绝缘层、源电极和漏电极；所述源电极和所述漏电极与所述有源层接触。