一种生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱及其制备方法与流程

技术总结
本发明公开了一种生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱及其制备方法，该纳米柱包括生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱模板层，沉积在局部非极性GaN模板层上的SixNy保护层，生长在局部非极性GaN模板层上的非极性GaN纳米柱。本发明具有生长工艺简单，结晶质量好等优点。

技术研发人员：李国强;王海燕;林志霆
受保护的技术使用者：华南理工大学
文档号码：201610925721
技术研发日：2016.10.24
技术公布日：2017.03.22