一种增强器件抗静电能力的LED外延生长方法与流程

技术特征：

1.一种增强器件抗静电能力的LED外延生长方法，依次包括：在蓝宝石衬底上生长AlN层；在AlN层上面生长InN层、生长掺杂Si的N型GaN层、周期性生长有缘层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其特征在于，

所述在蓝宝石衬底上生长AlN层，进一步为：

利用直流磁控反应溅射设备将蓝宝石衬底温度加热到600℃左右，通入70sccm-90sccm的氩气、80sccm-100sccm的氮气、以及2sccm-3sccm的氧气，用2000V-3000V的偏压冲击铝靶在蓝宝石图形化衬底表面上溅射60nm-70nm厚的A1N薄膜；

所述在AlN层上面生长InN层，进一步为：

将溅射好AlN薄膜的蓝宝石衬底放入MOCVD反应腔，升高温度至900-1000℃下，反应腔压力维持在400-500mbar，通入130-150L/min的氮气、120-140L/min的氨气、100-200sccm的TMIn源持续生长7-9μm的InN层。

2.根据权利要求1所述增强器件抗静电能力的LED外延生长方法，其特征在于，

所述生长掺杂Si的N型GaN层，进一步为：

升高温度到1000-1100℃下，反应腔压力维持在150-300mbar，通入50-90L/min的氢气、40-60L/min的氨气、200-300sccm的TMGa源、20-50sccm的SiH₄源，持续生长掺杂Si的N型GaN，Si掺杂浓度5E+18atoms/cm³-1E+19atoms/cm³，总厚度控制在2-4μm。

3.根据权利要求1所述增强器件抗静电能力的LED外延生长方法，其特征在于，

所述周期性生长有缘层，进一步为：

反应腔压力维持在300-400mbar，温度控制在700-750℃，通入50-90L/min的氮气、40-60L/min的氨气、10-50sccm的TMGa源、1000-2000sccm的TMIn源，生长掺杂In的3-4nm In_xGa_(1-x)N(x＝0.15-0.25)层(1)，In掺杂浓度1E+20atoms/cm³-3E+20atoms/cm³，然后升温800-850℃，通入50-90L/min的氮气、40-60L/min的氨气、10-50sccm的TMGa源，生长10-15nmGaN层(2).接着In_xGa_(1-x)N和GaN按照此方法交替生长，周期数为10-15。

4.根据权利要求1所述增强器件抗静电能力的LED外延生长方法，其特征在于，

所述生长P型AlGaN层，进一步为：

升高温度到850-950℃，反应腔压力维持在200-400mbar，通入50-90L/min的氮气、40-60L/min的氨气、50-100sccm的TMGa源，持续生长50-100nm的P型AlGaN层，Al掺杂浓度1E+20atoms/cm³-3E+20atoms/cm³，Mg掺杂浓度5E+18atoms/cm³-1E+19atoms/cm³。

5.根据权利要求1所述增强器件抗静电能力的LED外延生长方法，其特征在于，

所述生长掺杂Mg的P型GaN层，进一步为：

升高温度到950-1000℃，反应腔压力维持在200-600mbar，通入50-90L/min的氮气、40-60L/min的氨气、50-100sccm的TMGa源，持续生长100-300nm的掺镁的P型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19atoms/cm³-1E+20atoms/cm³。

6.根据权利要求1-4之任一所述提高外延晶体质量的LED生长方法，其特征在于，

所述降温冷却，进一步为：降温至700℃-800℃，单独通入100L/min-150L/min的氮气，保温20min-30min，随炉冷却。