一种具有高抗静电能力的LED外延片的制作方法

技术特征：

1.一种具有高抗静电能力的LED外延片，包括衬底，以及在衬底上依次层叠生长的缓冲层，u型GaN层、n型GaN层，量子阱层以及p型GaN层，其特征在于：n型GaN层包括掺杂浓度先增加然后降低最后再增加的n型浓度变化层，p型GaN层包括掺杂浓度先增加然后降低最后再增加的p型浓度变化层。

2.根据权利要求1所述的具有高抗静电能力的LED外延片，其特征在于：n型浓度变化层掺杂浓度增加分成N1次实行，N1大于1。

3.根据权利要求1或2所述的具有高抗静电能力的LED外延片，其特征在于：n型浓度变化层掺杂浓度降低分成N2次实行，N2大于1。

4.根据权利要求1所述的具有高抗静电能力的LED外延片，其特征在于：n型浓度变化层中Si掺杂浓度最高为1×10¹⁸cm^-3～5×10¹⁸cm^-3,Si掺杂浓度最低为1×10¹⁷cm^-3～5×10¹⁷cm^-3。

5.根据权利要求1所述的具有高抗静电能力的LED外延片，其特征在于：n型GaN层还包括掺杂浓度不变的低掺GaN层以及低掺AlGaN层，在n型浓度变化层之前依次形成。

6.根据权利要求1所述的具有高抗静电能力的LED外延片，其特征在于：n型GaN层与量子阱层之间插入In_xGa_1-xN/GaN超晶格层，x＝0.01～0.05。

7.根据权利要求1所述的具有高抗静电能力的LED外延片，其特征在于：p型浓度变化层掺杂浓度增加分成M1次实行，M1大于1。

8.根据权利要求1或7所述的具有高抗静电能力的LED外延片，其特征在于：p型浓度变化层掺杂浓度降低分成M2次实行，M2大于1。

9.根据权利要求1所述的具有高抗静电能力的LED外延片，其特征在于：p型浓度变化层中Mg掺杂浓度最高为5×10¹⁹cm^-3～1×10²⁰cm^-3,Mg掺杂浓度最低为1×10¹⁹cm^-3～5×10¹⁹cm^-3。

10.根据权利要求1所述的具有高抗静电能力的LED外延片，其特征在于：p型GaN层还包括低温GaN层以及Al_zGa_1-zN电子阻挡层，z＝0.2～0.3,在p型浓度变化层之前依次形成。