1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
一基板，包含：至少一产品区域；以及至少一对准区，邻设于该产品区域；
一对准记号层，至少设置于该对准区上，在该对准记号层中具有至少一对准记号特征；
一下导电层，以实质上共形的方式至少部分地设置于该对准记号特征上；
一绝缘层，设置于该下导电层上；以及
一上导电层，设置于该绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中该下导电层、该绝缘层与该上导电层更设置于该产品区域上，以在该产品区域上形成一金属-绝缘体-金属元件，其中该基板具有一平坦化表面，且该对准记号层设置于该平坦化表面上，其中该对准区设置于多个该产品区域之间，其中该对准记号层是由碳化硅或氮化硅所制成，其中该绝缘层、该下导电层与该上导电层以实质上共形的方式被设置。
3.一种制造一半导体结构的方法，其特征在于，该方法包含：
形成一对准记号层于一基板上；
图案化该对准记号层来形成至少一对准记号特征；
以实质上共形的方式来形成一下导电层于该图案化的对准记号层上；
形成一绝缘层于该下导电层上；以及
形成一上导电层于该绝缘层上。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包含图案化该下导电层与该上导电层，以形成一金属-绝缘体-金属元件，其中图案化该下导电层的一光罩对准于该对准记号特征，且图案化该上导电层的一光罩对准于该对准记号特征。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包含透过该对准记号特征切割该基板，其中该绝缘层、该下导电层与该上导电层以实质上共形的方式被设置。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中图案化该对准记号层的步骤包含形成至少一沟槽于所述对准记号特征之间，且该下导电层设置于该沟槽中，其中该基板透过所述沟槽而暴露，且该下导电层接触该基板。
7.一种制造一半导体结构的方法，其特征在于，该方法包含：
形成至少一导电特征于一第一介电层中；
形成一第二介电层于该第一介电层上；
形成至少一对准记号特征于该第二介电层上；
以实质上共形的方式来形成至少位于该对准记号特征上的一下导电层；
形成一绝缘层于该下导电层上；以及
形成一上导电层于该绝缘层上。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包含图案化该上导体层，其中图案化该上导体层的一光罩对准该对准记号特征。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，其中该绝缘层、该下导电层与该上导电层以实质上共形的方式被设置，其中至少一沟槽界定于多个隔离特征之间，且该下导电层以实质上共形的方式设置于该沟槽中，其中该对准记号特征是由碳化硅或氮化硅所制成。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，其中形成多个导电特征的步骤包含：
形成多个开口于该第一介电层中；
以一金属层填满所述多个开口；以及
以一研磨制程移除突出该第一介电层的该金属层的一部分。