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半导体结构及其制造方法与流程
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来源:国知局
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半导体结构及其制造方法与流程
技术总结
本揭露提供一种半导体结构及其制造方法。制造半导体结构的方法包含:形成对准记号层于基板上;图案化对准记号层来形成至少一对准记号特征;以实质上共形的方式形成下导电层于图案化的对准记号层上;形成绝缘层于下导电层上;以及形成上导电层于绝缘层上。
技术研发人员:
李国弘;李智飞;张復诚;高境鸿
受保护的技术使用者:
台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码:
201610961740
技术研发日:
2016.10.27
技术公布日:
2017.06.27
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