1.一种应用于晶硅太阳能电池的热氧化工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将扩散、刻蚀、清洗后的硅片插入石英舟中后送入低压扩散炉中，升温至650～800℃，通入氮气并控制炉管内气体压力为50～150mBar；
(2)通入氧气、小氮、氮气，控制炉内温度650～800℃，通入时间50～200s，炉管内气体压力50～150mBar，小氮中磷源POCl3摩尔百分比浓度控制在2.5～3％；
(3)降温出炉，测试方阻，控制方阻85～95Ω/□。
2.根据权利要求1所述的一种应用于晶硅太阳能电池的热氧化工艺，其特征在于，步骤(1)中，氮气通入量为5～10SLM。
3.据权利要求1述的一种应用于晶硅太阳能电池的热氧化工艺，其特征在于，步骤(2)中，氧气通入量为500～1000sccm，小氮通入量为50～200sccm，氮气通入量为500～1000sccm。
4.根据权利要求1所述的一种应用于晶硅太阳能电池的热氧化工艺，其特征在于，步骤(3)中，降温至600～700℃，时间500～600s。