技术总结
本发明公开了一种应用于晶硅太阳能电池的热氧化工艺，包括以下步骤：(1)将扩散、刻蚀、清洗后的硅片插入石英舟中后送入低压扩散炉中，升温至650～800℃，通入氮气并控制炉管内气体压力为50～150mBar；(2)通入氧气、小氮、氮气，控制炉内温度650～800℃，通入时间50～200s，炉管内气体压力50～150mBar；(3)降温出炉，测试方阻，控制方阻85～95Ω/□。本发明不仅可以修复晶格缺陷、钝化表面悬挂键，还可以完美解决常规热氧化方法硅片表面参杂浓度过低的问题，增加硅片表面参杂量，有利于降低电池片银硅接触电阻及横向传导电阻，从而使电池片串联电阻降低，提升转化效率。
技术研发人员：孙涌涛;楼彩霞;彭兴;任良为;董方
受保护的技术使用者：横店集团东磁股份有限公司
文档号码：201611012022
技术研发日：2016.11.17
技术公布日：2017.05.10