技术总结
一种老化性能优良的低残压直流压敏电阻制备方法，包括辅料配制步骤、混料步骤、成型步骤、烧结步骤、磨片步骤。所述辅助添加浆料的成分包括Bi2O3、Sb2O3、MnO2、Co2O3、NiO、B2O3、Al(NO3)3、K2SO4、CaCO3、MgO、去离子水。其有益效果是：采用本发明方法带来的有益变化是，基本保持了直流压敏电阻的制造工艺，使得电阻片的制造周期缩短，不使用渗铋工艺，直流压敏电阻的制造工艺被简化。由于新发明在配方和工艺上均进行了改进，使得新的直流压敏电阻具有优良的特性。
技术研发人员：何金良;胡军;孟鹏飞
受保护的技术使用者：清华大学
文档号码：201611015724
技术研发日：2016.11.18
技术公布日：2017.05.10