1.一种OLED显示器件封装方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上制作一层阻挡层；
在所述阻挡层上制作OLED器件后，在所述OLED器件上制作薄膜封装层，所述薄膜封装层为表面经过离子注入工艺处理的薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖在所述OLED器件及所述阻挡层上，所述OLED器件位于所述阻挡层中部。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板上制作一层阻挡层，包括：在所述基板上制作一层有机薄膜层、无机薄膜层或有机无机混合薄膜层；或者，
所述在基板上制作一层阻挡层，包括：在所述基板上制作至少一个薄膜封装结构；每个薄膜封装结构包括层叠设置的第一薄膜层、第二薄膜层和第三薄膜层；或者，每个所述薄膜封装子层包括第一薄膜层和设置在所述第一薄膜层上的带有粘合胶的柔性聚合物薄膜层，所述粘合胶位于所述柔性聚合物薄膜层和所述第一薄膜层之间；或者，每个所述薄膜封装子层包括层叠设置的第一薄膜层、第二薄膜层和第三薄膜层，以及设置在所述第三薄膜层上的带有粘合胶的柔性聚合物薄膜层，所述粘合胶位于所述柔性聚合物薄膜层和所述第三薄膜层之间；所述第一薄膜层和第二薄膜层为无机薄膜层或有机薄膜层，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层材料不同，所述第一薄膜层和所述第三薄膜层材料相同。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述薄膜封装结构的数量为1。
4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
采用离子注入工艺对所述阻挡层的表面进行处理。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述OLED器件上制作薄膜封装层，包括：在所述OLED器件上制作一层有机薄膜层、无机薄膜层或有机无机混合薄膜层；或者，
所述在所述OLED器件上制作薄膜封装层，包括：在所述OLED器件上制作至少一个薄膜封装结构；每个薄膜封装结构包括层叠设置的第一薄膜层、第二薄膜层和第三薄膜层；或者，每个所述薄膜封装子层包括第一薄膜层和设置在所述第一薄膜层上的带有粘合胶的柔性聚合物薄膜层，所述粘合胶位于所述柔性聚合物薄膜层和所述第一薄膜层之间；或者，每个所述薄膜封装子层包括层叠设置的第一薄膜层、第二薄膜层和第三薄膜层，以及设置在所述第三薄膜层上的带有粘合胶的柔性聚合物薄膜层，所述粘合胶位于所述柔性聚合物薄膜层和所述第三薄膜层之间；所述第一薄膜层和第二薄膜层为无机薄膜层或有机薄膜层，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层材料不同，所述第一薄膜层和所述第三薄膜层材料相同。
6.根据权利要求2或5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
执行下述三个步骤中的至少一个：
在制作所述第一薄膜层后，采用离子注入工艺对所述第一薄膜层的表面进行处理；
在制作所述第二薄膜层后，采用离子注入工艺对所述第二薄膜层的表面进行处理；
在制作所述第三薄膜层后且在贴合所述柔性聚合物薄膜层之前，采用离子注入工艺对所述第三薄膜层的表面进行处理。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在采用离子注入工艺对所述第三薄膜层的表面进行处理时，注入的离子为以下元素中的至少一种所对应的离子：Ar、N、O、Xe、He、Al、Cu、Ti、Cr、Fe、Mn、Co、P、B、Si、Ni和C，注入离子的能量为2-200KeV，注入离子的剂量为1.0×1012-1.0×1019ion/cm2。
8.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述基板为柔性基板。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述基板上制作所述阻挡层之前，采用离子注入工艺对所述柔性基板的表面进行处理。
10.一种OLED显示器件封装，其特征在于，所述OLED显示器件封装采用权利要求1-9任一项所述的方法制成。