1.一种OLED器件的制备方法，包括以下步骤：
a.提供基板，在基板上依次制备阳极和缓冲层；
b.将制备了阳极和缓冲层的基板进行酸处理；
c.将所述基板烘干，在缓冲层上制备液态发光层；
d.提供盖板，在盖板上依次制备阴极和电子传输层；
e.将制备了阴极和电子传输层的盖板进行酸处理；
f.将所述盖板和所述基板压合，得到OLED器件。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸处理为将基板或盖板放在酸溶液中浸泡，使用的酸为质量分数为5％-30％的稀酸。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述酸处理过程中使用的酸为盐酸、硫酸、醋酸和硝酸中的一种或多种。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述酸处理温度为25℃-40℃，酸处理时间为4-12h。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤b中，缓冲层的制备采用旋涂、喷墨或涂布的方式，制备缓冲层后进行烘烤，再进行酸处理。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓冲层材料为掺杂或未掺杂、改性或未改性的PEDOT:PSS。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液态发光层材料为磷光分子的同系物。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤c中，在液态发光层之后还包括制备间隔层的步骤。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述间隔层材料选自银、镁和金中的一种或多种。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子传输层材料为二氧化钛，电子传输层厚度为5-15μm。