1.一种铜纳米线/石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将铜纳米线和石墨烯分散于去离子水，得到混合分散液；所述石墨烯的平均片层厚度为0.5～10nm；
(2)将步骤(1)所得混合分散液过滤，再将滤饼干燥，得到铜纳米线/石墨烯复合材料。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述铜纳米线的平均长度为5～50μm，所述铜纳米线的平均直径为50～300nm，优选50～100nm。
3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述石墨烯的平均片层厚度为0.5～5nm。
4.如权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述石墨烯通过石墨非氧化剥落制备得到；
优选地，所述石墨烯掺杂有氮元素和/或硫元素。
5.如权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述铜纳米线、石墨烯与去离子水的质量比为(1～10):(1～10):(50～400)，优选(1～6):1:(50～100)。
6.如权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述分散包括：将铜纳米线和石墨烯加入去离子水进行超声分散，即得到所述混合分散液。
7.如权利要求1～6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述过滤包括真空抽滤；
优选地，所述过滤所用滤膜的孔径为0.1μm～1μm。
8.如权利要求1～7任一项所述的制备方法制备的铜纳米线/石墨烯复合材料，包括铜纳米线以及包覆铜纳米线的石墨烯，所述包覆包括：所述铜纳米线分散于所述石墨烯的表面，附着于所述石墨烯的边缘，和/或束缚于所述石墨烯层间。
9.如权利要求8所述的铜纳米线/石墨烯复合材料，其特征在于，所述铜纳米线/石墨烯复合材料为薄膜。
10.如权利要求8或9所述的铜纳米线/石墨烯复合材料在柔性电子器件、传感器、超级电容器、水处理中的应用。