双面贴装的扇出封装结构的制作方法

文档序号:12262328阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种双面贴装的扇出封装结构,其特征在于,包括硅基体(100)和芯片(200),所述硅基体具有第一表面(101)和与其相对的第二表面(102),所述第一表面上形成有至少一个朝向第二表面的下沉凹槽,至少一个所述芯片背面朝下贴装到所述下沉凹槽的槽底,所述芯片正面包含有导电垫(201);所述芯片周侧与所述下沉凹槽侧壁之间用第一介质层(2)填充;所述芯片正面及所述第一表面上形成有第二介质层(3);所述第二介质层上形成有至少一层与所述芯片的导电垫(201)连接的第一金属重布线(4),最外一层第一金属重布线上覆盖有第一钝化层(5);所述芯片背面或所述下沉凹槽槽底设有焊盘(202)所述焊盘与所述第二表面之间刻有通孔(300);所述第二表面上形成有第三介质层(7);所述第三介质层上及所述通孔内形成有至少一层与所述焊盘(202)电连接的第二金属重布线(8),最外一层第二金属重布线上覆盖有第二钝化层(9);其中所述第一金属重布线或所述第二金属重布线中至少有一条线路延伸到所述芯片区域外的硅基体表面上。

2.根据权利要求1所述的双面贴装的扇出封装结构,其特征在于,所述焊盘为:芯片背面本身包含有焊盘,或者在将所述芯片正面的导电垫电性引至所述芯片背面的金属线路上形成的焊盘,或在将所述芯片正面的导电垫电性引至所述下沉凹槽槽底的金属线路上形成的焊盘。

3.根据权利要求1所述的双面贴装的扇出封装结构,其特征在于:所述下沉凹槽的侧壁与所述芯片之间的距离大于1微米。

4.根据权利要求1所述的双面贴装的扇出封装结构,其特征在于:所述芯片正面和所述硅基体的第一表面之间的高度差小于50微米。

5.根据权利要求1所述的双面贴装的扇出封装结构,其特征在于,所述第一介质层及所述第二介质层的材料均为聚合物胶。

6.根据权利要求1所述的双面贴装的扇出封装结构,其特征在于,所述第一金属重布线和/或所述第二金属重布线上连接有焊球/凸点。

7.根据权利要求1所述的双面贴装的扇出封装结构,其特征在于,所述芯片背面通过黏结胶(1)贴装到所述下沉凹槽的槽底,所述黏结胶的厚度小于50微米,大于1微米。

8.根据权利要求7所述的双面贴装的扇出封装结构,其特征在于,所述黏结胶为聚合物胶。

9.根据权利要求1所述的双面贴装的扇出封装结构,其特征在于,埋入同一下沉凹槽的芯片数量大于等于2。

当前第2页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1