一种DFN060388排双芯高密度引线框架的制作方法

文档序号:11921829阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种DFN0603 88排双芯高密度引线框架,包括用于承装芯片的矩形的框架,所述框架上设有多个芯片安装单元,其特征在于,所述芯片安装单元与DFN0603的封装结构相适应,在该框架上设有与其短边平行的分区槽,将框架均分为两个芯片安装区域, 在框架的边框和芯片安装区域之间还设有多个切割定位槽,包括横向切割定位槽和竖向切割定位槽,所述框架的边框上还预留有型号打印区。

2.根据权利要求1所述的DFN0603 88排双芯高密度引线框架,其特征在于,所述框架长度为250±0.1mm,宽度为70±0.05mm。

3.根据权利要求2所述的DFN0603 88排双芯高密度引线框架,其特征在于,在每个芯片安装区域内均布置有88排、300列芯片安装单元。

4.根据权利要求3所述的DFN0603 88排双芯高密度引线框架,其特征在于,所述芯片安装单元的短边与框架的长边平行布置。

5.根据权利要求3所述的DFN0603 88排双芯高密度引线框架,其特征在于,相邻的芯片安装单元之间的间距为0.08mm±0.025。

6.根据权利要求1-5之一所述的DFN0603 88排双芯高密度引线框架,其特征在于,所述切割定位槽为矩形,且切割定位槽与芯片安装单元平行布置,使得切割定位槽的边与芯片安装单元上的切割线相对应。

7.根据权利要求6所述的DFN0603 88排双芯高密度引线框架,其特征在于,所述切割定位槽的数量与靠近框架的芯片安装单元数量对应。

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