技术总结
本实用新型涉及一种半导体制造技术，具体涉及一种DFN0603 88排双芯高密度引线框架，包括用于承装芯片的矩形的框架，所述框架上设有多个芯片安装单元，所述芯片安装单元与DFN0603的封装结构相适应，在该框架上设有与其短边平行的分区槽，将框架均分为两个芯片安装区域。该引线框架将分区槽由3条变为1条，即将框架均分为两个芯片安装区域，且在每个芯片安装区域中布置与DFN0603封装结构相适应的芯片安装单元，节约出更多用于布置芯片安装单元的框架面积，提高材料利用率、节约生产成本。
技术研发人员：罗天秀;樊增勇;李东;崔金忠;许兵;任伟;刘剑
受保护的技术使用者：成都先进功率半导体股份有限公司
文档号码：201621004025
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2017.05.17