技术特征：
技术总结
各种实施例可以提供形成能量转换装置的方法。该方法可以包括在半导体基板的第一表面上形成电解质层。该方法也可以包括使用深反应性离子蚀刻而在半导体基板的第二表面上形成腔穴。方法可以进一步包括藉由进行一或更多次湿式蚀刻而放大该腔穴，如此则放大的腔穴至少部分由垂直的排列所界定，该排列包括：半导体基板的第一侧向腔穴表面，其实质沿着第一方向而延伸；以及半导体基板的第二侧向腔穴表面，其邻接第一侧向腔穴表面。方法可以包括在电解质层的第一表面上形成第一电极，以及在电解质层的第二表面上形成第二电极。
技术研发人员：苏培珍;尹勇轸;白宗大
受保护的技术使用者：南洋理工大学
技术研发日：2016.05.20
技术公布日：2018.03.23