通过溢料添加进行部分蚀刻记忆的制作方法

文档序号:13674602阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
提供了一种利用刻面化和钝化层在衬底上创建结构轮廓的方法。执行第一等离子体蚀刻工艺,该第一等离子体蚀刻工艺产生刻面化侧壁和期望拐点;使用氧等离子体、氮等离子体或组合的氧等离子体和氮等离子体的来执行第二等离子体蚀刻工艺,从而产生钝化层;以及执行第三等离子体蚀刻工艺,该第三等离子体蚀刻工艺利用刻面化侧壁和钝化层上的蚀刻化学物质的操作变量引起差异蚀刻速率,以在结构的近水平表面上实现突破,其中,所使用的第三等离子体蚀刻被配置成在衬底上产生下至底部停止层的目标侧壁轮廓。在执行第一等离子体蚀刻工艺、第二等离子体蚀刻工艺和/或第三等离子体蚀刻工艺的过程中,控制所选择的两个或更多个等离子体蚀刻变量,以便实现目标侧壁轮廓目的。

技术研发人员:埃利奥特·弗兰克;维纳亚克·罗斯托吉;阿基特若·高;伊藤清人
受保护的技术使用者:东京毅力科创株式会社
技术研发日:2016.03.25
技术公布日:2018.02.13
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1