专利名称：抗蚀剂添加剂及包含该添加剂的抗蚀剂组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及抗蚀剂添加剂及包含该添加剂的抗蚀剂组合物，该添加剂改善抗蚀剂膜表面的疏水性以防止在浸没式光刻工艺过程中抗蚀剂膜中的材料在水中被浸出，并且形成具有优异的敏感度和高分辨率的抗蚀剂膜微图案。
背景技术：
随着近年来大规模集成电路(LSI)具有更高的集成度和更高的速度，需要光致抗蚀剂的准确微图案化。作为形成抗蚀图案中所用的曝光光源，来自汞灯的g_线(436nm)或1-线(365nm)已被广泛使用。然而，由于通过调节曝光波长所获得的分辨率改进接近物理极限，所以使用较短波长的方法被引入作为更精细的光致抗蚀剂的图案化技术。例如，正在使用具有比i_线(365nm)更短波长的KrF受激准分子激光(248nm)、ArF受激准分子激光等。在使用ArF受激准分子激光作为光源的ArF浸没式光刻法中，在投影透镜和晶片衬底之间的空间充满水。根据该方法，即使使用具有1.0以上的NA的透镜，也可以利用水在193nm处的折射率来形成图案，并且此方法通常被称为浸没式光刻法。然而，由于抗蚀剂膜直接与水接触，光产酸剂所产生的酸或抗蚀剂膜中所含作为淬灭剂的胺化合物可以容易地溶解在水中。因此，抗蚀剂图案由于溶胀而可能变形或可能崩溃，或可能产生各种缺陷如气泡和水印。因此，已经提出一种在抗蚀剂膜和水之间形成保护膜或上覆膜以防止抗蚀剂膜与诸如水的介质接触的方法。这样的抗蚀剂保护膜需要形成在抗蚀剂膜上，同时在不与抗蚀剂膜相互混合的情况下在曝光波长处具有足够的光透射率从而不中断曝光，需要在液体浸没式光刻过程中具有稳定性并且保持而不被介质如水浸出，以及需要容易地溶解在显影过程中作为显影剂的碱溶液中。
现有技术专利文献1:韩国专利申请公开第2006-0029280号(2006年4月5日公开)专利文献2:韩国专利申请公开第2009-0108935号(2009年10月19日公开)专利文献3:韩国专利申请公开第2011-0084848号(2011年7月26日公开)
发明内容
因此，考虑到上述问题已做出本发明，并且本发明的一个目的是提供一种抗蚀剂添加剂，该添加剂改善抗蚀剂膜表面的疏水性以防止在浸没式光刻工艺过程中抗蚀剂膜中的材料在水中被浸出。虽然在曝光区域中抗蚀剂添加剂与抗蚀剂一起溶解在显影剂中，但是在非曝光区域中抗蚀剂添加剂保持与抗蚀剂一起形成图案并且被显影剂转化为具有亲水性。本发明的另一个目的是提供一种包含该抗蚀剂添加剂的抗蚀剂组合物，以及一种使用该组合物形成抗蚀剂图案的方法。
根据本发明，上述和其它目的可以通过提供由下式I表示的抗蚀剂添加剂来实现。式I
权利要求
1.一种由下式I表示的抗蚀剂添加剂: 式1
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂添加剂，其中R3选自Cl-ClO亚烷基、C2-C10亚烯基、Cl-ClO杂亚烷基、C2-C10杂亚烯基、C3-C18环烷二基、C3-C18环烯二基、C2-C18杂环烷二基和C3-C18杂环烷二基，其中至少一个氢原子被Cl-ClO烷基或Cl-ClO卤代烷基取代或未被取代。
3.根据权利要求1所述的抗蚀剂添加剂，其中R4选自Cl-ClO氟烷基、甲硅烷基、Cl-ClO烷基甲硅烷基、C3-C10直链或支链烷基、C3-C14单环环烷基、C8-C18 二环环烷基、C10-C30三环环烷基和C10-C30四环环烷基。
4.根据权利要求1所述的抗蚀剂添加剂，其中R4选自叔丁基、三氟甲基、三甲基甲硅烷基、二(三氟甲基)异丙基、五氟乙基和七氟丙基。《R
5.根据权利要求1所述的抗蚀剂添加剂，其中R5选自VRb
6.根据权利要求1所述的抗蚀剂添加剂，其中R5选自叔丁基、三甲基甲硅烷基、羟基_2_乙基、1-甲氧基丙基、1-甲氧基_1_甲基乙基、1-乙氧基丙基、1-乙氧基_1_甲基乙基、1_甲氧基-1-乙基、1-乙氧基-1-乙基、叔丁氧基_2_乙基、1_异丁氧基_1_乙基和由下式2a-2k表示的基团:
7.根据权利要求1所述的抗蚀剂添加剂，其中重复单元I选自由下式3a-3i表示的重复单元:
8.根据权利要求1所述的抗蚀剂添加剂，其中重复单元m选自由下式4a-4d表示的重复单元:
9.根据权利要求1所述的抗蚀剂添加剂，其中式I的重复单元n在所述抗蚀剂添加剂的共聚物中所含的量为5-15摩尔％。
10.根据权利要求1所述的抗蚀剂添加剂，其中所述抗蚀剂添加剂选自由下式5-16表
11.根据权利要求1所述的抗蚀剂添加剂，其中利用凝胶渗透色谱法测量的所述抗蚀剂添加剂的聚苯乙烯当量重均分子量在1，000-500，000g/mol的范围内。
12.根据权利要求1所述的抗蚀剂添加剂，其中所述抗蚀剂添加剂的重均分子量/数均分子量之比在1-5的范围内。
13.一种抗蚀剂组合物,包含根据权利要求1-12中任一项所述的抗蚀剂添加剂、抗蚀剂基础聚合物、产酸剂和溶剂。
14.根据权利要求13所述的抗蚀剂组合物，其中所述抗蚀剂添加剂的量基于所述抗蚀剂组合物的总重量在0.05-5wt%的范围内。
15.根据权利要求13所述的抗蚀剂组合物，其中所述产酸剂包括选自由下式20和21表示的化合物中的至少一种化合物:
16.根据权利要求13所述的抗蚀剂组合物，其中基于100重量份的所述抗蚀剂组合物的固体，所述产酸剂的量在0.3-10重量份的范围内。
17.根据权利要求13所述的抗蚀剂组合物，还包含选自碱溶性淬灭剂、酸扩散淬灭剂、表面活性剂及其任意混合物中的添加剂。
18.一种形成抗蚀剂图案的方法，所述方法包括: 通过在衬底上涂布根据权利要求13所述的抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜； 加热所述抗蚀剂膜并对所述抗蚀剂膜曝光以形成预定图案；和 对经曝光的图案进行显影。
19.根据权利要求 18所述的方法，其中所述曝光使用选自KrF受激准分子激光、ArF受激准分子激光、极紫外激光、X-射线和电子束中的光源进行。
全文摘要
本发明公开了一种下式1表示的抗蚀剂添加剂和包含该添加剂的抗蚀剂组合物。在抗蚀剂组合物中包含的抗蚀剂添加剂改善在曝光过程中抗蚀剂膜表面的疏水性以防止在浸没式光刻过程中在水中浸出，并且形成具有优异的敏感度和高分辨率的微抗蚀剂图案式1在式1中，取代基的定义如说明书中所述。
文档编号G03F7/039GK103186042SQ20121057295
公开日2013年7月3日 申请日期2012年12月25日 优先权日2011年12月28日
发明者裵昌完, 朱炫相, 申大铉, 洪容和 申请人:锦湖石油化学株式会社