本发明涉及电子部件保护膜、电子部件保护构件、电子部件的制造方法以及封装体的制造方法。进一步详细而言，涉及将经单片化的半导体部件再配置后使用密封剂以阵列状密封时所利用的电子部件保护膜、电子部件保护构件、和使用了该电子部件保护膜的电子部件的制造方法、以及利用了该电子部件的制造方法的封装体的制造方法。
背景技术：
近年来，已知包含如下工序的电子部件的制造方法：将晶片进行单片化后，对所得的半导体部件进行检查，仅将检查合格的半导体部件再配置于载体上，然后，使用密封剂以阵列状密封。作为这类的制造方法，已知例如下述专利文献1(参照图3a-图3e、[0028]和[0029])所公开的技术。另一方面，作为处理电子部件时所利用的粘着膜，已知下述专利文献2所公开的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-287235号公报
专利文献2：日本特开2010-278065号公报
技术实现要素：
发明要解决的课题
上述专利文献2中，公开了一种装配方法，其具备通过粘着膜将半导体晶片粘接保持于环状框架的过程。该文献中的粘着膜为所谓的切割膜，为了使被保持物容易从切割膜剥离，粘着层中利用热发泡性粘着剂。
另一方面，如上述专利文献1所公开，上述电子部件的制造方法中，将半导体部件再配置于载体上时，需要通过粘着膜等固定于载体。近年来，作为该专利文献1的技术中利用的粘着膜，使用的是上述专利文献2中公开那样的、利用了热发泡性粘着剂的粘着膜。
并且，根据专利文献1的方法，具备将经单片化的多个半导体部件再配置于粘着膜上后，使用密封剂一体地进行密封的密封工序。此时，作为可利用的密封剂，常用热固化性的密封剂。因此，如果在上述专利文献2的利用了热发泡性粘着剂的粘着膜上进行密封，则热固化时有可能也开始发生粘着层的发泡。为了避免该问题，对于现有的密封剂，有时采取了如下对策：将固化温度调整为较低，避免在密封剂的固化温度开始发生粘着剂的发泡。
然而，如果降低密封剂的固化温度，则密封剂的固化变得不充分，担心所得电子部件的耐久可靠性会降低。即，产生了如下问题：降低密封剂的热固化温度的要求与充分得到电子部件的耐热性的要求相对立。
本发明鉴于上述课题而完成，其目的在于提供电子部件保护膜、电子部件保护构件、电子部件的制造方法和封装体的制造方法，所述电子部件保护膜是将经单片化的半导体部件再配置后使用密封剂以阵列状密封时所利用的电子部件保护膜，无须将密封剂的固化温度调整为较低。
用于解决课题的方法
本发明包含以下事项。
[1]一种电子部件保护膜，其要点在于，是用于电子部件的制造方法且具备基层和粘着材层的电子部件保护膜，
上述制造方法为如下方法：以覆盖具有开口部的框体的上述开口部的方式将上述电子部件保护膜的粘着材层粘贴于上述框体的一面后，在露出于上述开口部的上述粘着材层的表面，以彼此分离的状态粘贴多个半导体部件，接着，使用密封剂覆盖上述粘着材层的表面和上述半导体部件，然后将上述密封剂加热固化，从而得到以阵列状密封而成的电子部件，
上述基层的160℃时的拉伸弹性模量e’(160)与50℃时的拉伸弹性模量e’(50)之比re(＝e’(160)/e’(50))为0.05＜re＜1。
[2]根据[1]所述的电子部件保护膜，其要点在于，构成上述粘着材层的粘着材的150℃时的储能模量g’(150)为1×104～500×104pa。
[3]根据[1]或[2]所述的电子部件保护膜，其要点在于，上述粘着材层的依据jisk0237测定的对于硅晶片的粘着力为0.1～10n/25mm。
[4]根据[1]至[3]中任一项所述的电子部件保护膜，其要点在于，上述基层包含选自聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚对苯二甲酸乙二醇酯的组中的一种或两种以上的树脂。
[5]一种电子部件的制造方法，其要点在于，具备：
膜粘贴工序，以覆盖具有开口部的框体的上述开口部的方式将电子部件保护膜的粘着材层粘贴于上述框体的一面；
半导体部件粘贴工序，在露出于上述开口部的上述粘着材层的表面，以彼此分离的状态粘贴多个半导体部件；
密封剂被覆工序，使用密封剂覆盖上述粘着材层的表面和上述半导体部件；以及
加热固化工序，将上述密封剂加热固化，从而得到以阵列状密封而成的电子部件，
上述电子部件保护膜具有基层和上述粘着材层，
上述基层的160℃时的拉伸弹性模量e’(160)与50℃时的拉伸弹性模量e’(50)之比re(＝e’(160)/e’(50))为0.05＜re＜1。
[6]根据[5]所述的电子部件的制造方法，其要点在于，构成上述粘着材层的粘着材的150℃时的储能模量g’(150)为1×104～500×104pa。
[7]根据[5]或[6]所述的电子部件的制造方法，其要点在于，上述粘着材层的依据jisk0237测定的对于硅晶片的粘着力为0.1～10n/25mm。
[8]根据[5]至[7]中任一项所述的电子部件的制造方法，其要点在于，上述基层包含选自聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚对苯二甲酸乙二醇酯的组中的一种或两种以上的树脂。
[9]根据[5]至[8]中任一项所述的电子部件的制造方法，其要点在于，进一步具备配线层形成工序，即：对以阵列状密封而成的上述电子部件形成配线层。
[10]根据[5]至[9]中任一项所述的电子部件的制造方法，其要点在于，具备单片化工序，即：对形成有上述配线层的以阵列状密封而成的上述电子部件进行单片化。
[11]其要点在于，具备将[10]中所述的上述电子部件安装于基板的安装工序。
[12]一种电子部件保护构件，其要点在于，是电子部件的制造方法中使用的电子部件保护构件，具备：具有开口部的框体、以及以覆盖上述开口部的方式粘贴于上述框体的一面的电子部件保护膜，
上述电子部件保护膜具备基层和粘着材层，并且上述粘着材层粘贴于上述框体的一面，
上述制造方法为如下方法：在露出于上述电子部件保护构件的上述开口部的上述粘着材层的表面，以彼此分离的状态粘贴多个半导体部件，接着，使用密封剂覆盖上述粘着材层的表面和上述半导体部件，然后将上述密封剂加热固化，从而得到以阵列状密封而成的电子部件，
构成上述电子部件保护膜的上述基层的160℃时的拉伸弹性模量e’(160)与50℃时的拉伸弹性模量e’(50)之比re(＝e’(160)/e’(50))为0.05＜re＜1。
[13]根据[12]所述的电子部件保护构件，其要点在于，构成上述粘着材层的粘着材的150℃时的储能模量g’(150)为1×104～500×104pa。
[14]根据[12]或[13]所述的电子部件保护构件，其要点在于，上述粘着材层的依据jisz0237测定的对于硅晶片的粘着力为0.1～10n/25mm。
[15]根据[12]至[14]中任一项所述的电子部件保护构件，其要点在于，上述基层选自聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚对苯二甲酸乙二醇酯的组。
[16]一种电子部件的制造方法，其要点在于，具备：
电子部件保护构件形成工序，以覆盖具有开口部的框体的上述开口部的方式将电子部件保护膜的粘着材层粘贴于上述框体的一面，形成电子部件保护构件；
半导体部件粘贴工序，在露出于上述开口部的上述粘着材层的表面，以彼此分离的状态粘贴多个半导体部件；
密封剂被覆工序，使用密封剂覆盖上述粘着材层的表面和上述半导体部件；以及
加热固化工序，将上述密封剂加热固化，从而得到以阵列状密封而成的电子部件，
上述电子部件保护膜具有基层和上述粘着材层，
上述基层的160℃时的拉伸弹性模量e’(160)与50℃时的拉伸弹性模量e’(50)之比re(＝e’(160)/e’(50))为0.05＜re＜1。
[17]根据[16]所述的电子部件的制造方法，其要点在于，构成上述粘着材层的粘着材的150℃时的储能模量g’(150)为1×104～500×104pa。
[18]根据[16]或[17]所述的电子部件的制造方法，其要点在于，上述粘着材层的依据jisz0237测定的对于硅晶片的粘着力为0.1～10n/25mm。
[19]根据[16]至[18]中任一项所述的电子部件的制造方法，其要点在于，上述基层包含选自聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚对苯二甲酸乙二醇酯的组中的一种或两种以上的树脂。
[20]根据[16]至[19]中任一项所述的电子部件的制造方法，其要点在于，进一步具备配线层形成工序，即：对以阵列状密封而成的上述电子部件形成配线层。
[21]根据[16]至[20]中任一项所述的电子部件的制造方法，其要点在于，具备单片化工序，即：对形成有上述配线层的以阵列状密封而成的上述电子部件进行单片化。
[22]一种封装体的制造方法，其要点在于，具备将[21]中所述的上述电子部件安装于基板的安装工序。
发明效果
根据本发明的电子部件保护膜、电子部件保护构件、电子部件的制造方法和封装体的制造方法，将经单片化的半导体部件再配置后使用密封剂以阵列状密封时，无须将密封剂的固化温度调整为较低。因此，能够得到特别是热特性优异的耐久性高的电子部件。
附图说明
图1是说明本电子部件保护膜的一个例子的截面的说明图。
图2是说明本电子部件的制造方法所涉及的膜粘贴工序的说明图。
图3是说明本电子部件的制造方法所涉及的半导体部件粘贴工序的说明图。
图4是说明本电子部件的制造方法所涉及的密封剂被覆工序的说明图。
图5是说明本电子部件的制造方法所涉及的加热固化工序的说明图。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边说明本发明。这里所示的事项是例示性的事项和用于例示性说明本发明的实施方式的事项，出于提供被认为是能够最有效且容易理解本发明的原理和概念性特征的说明的目的来描述。关于该点，是为了从根本上理解本发明所必需的，并非意在以某种程度以上示出本发明的结构上的细节，通过与附图对应的说明，本领域技术人员可知实际上如何实现本发明的几个方式。
[1]电子部件保护膜
本发明的电子部件保护膜1是电子部件的制造方法中使用的电子部件保护膜。该电子部件的制造方法为如下方法：以覆盖具有开口部71的框体7的开口部71的方式将电子部件保护膜1的粘着材层12粘贴于框体7的一面7a后，在露出于开口部71的粘着材层12的表面12a，以彼此分离的状态粘贴多个半导体部件20，接着，使用密封剂30覆盖粘着材层12的表面12a和半导体部件20，然后将密封剂30加热固化，从而得到以阵列状密封而成的电子部件50(参照图2-图3)。对于该电子部件的制造方法，后面描述。
(1)基层
电子部件保护膜1具备基层11和粘着材层12的(参照图1)。其中，基层11的160℃时的拉伸弹性模量e’(160)与50℃时的拉伸弹性模量e’(50)之比re(＝e’(160)/e’(50))为0.05＜re＜1。
这里，“e’(160)”表示基层11的160℃时的拉伸弹性模量，“e’(50)”表示基层11的50℃时的拉伸弹性模量。进一步，比re表示e’(160)相对于e’(50)的比例{e’(160)/e’(50)}。
因此，比re为0.05＜re＜1，表示基层11的160℃时的拉伸弹性模量超过基层11的50℃时的拉伸弹性模量的5％且小于100％。本发明的电子部件保护膜1中，通过基层11为0.05＜re＜1，能够在不将上述电子部件的制造方法中的密封剂的固化温度调整为较低的情况下使用通用的密封剂将半导体部件20以阵列状密封而得到电子部件50。
比re为0.05＜re＜1的范围即可，但优选0.10≤re≤0.95，更优选0.20≤re≤0.90，特别优选0.30≤re≤0.85。
各拉伸弹性模量e’(pa)没有特别限定，但拉伸弹性模量e’(50)优选1×108≤e’(50)≤1×1010，更优选1×109≤e’(50)≤5×109。
另一方面，拉伸弹性模量e’(160)优选5×106≤e’(160)≤1×1010，更优选5×107≤e’(160)≤5×109。
需要说明的是，基层11的各温度时的拉伸弹性模量e’通过后述的实施例中记载的方法测定。
另外，基层11的厚度没有特别限定，但优选5μm以上150μm以下，更优选10μm以上100μm以下，特别优选15μm以上50μm以下。
进一步，热膨胀系数没有特别限定，但温度50℃至温度150℃时的热膨胀系数优选1ppm/k以上100ppm/k以下，更优选10ppm/k以上95ppm/k以下。
基层11只要能够支撑粘着材层12，并且具有上述比re即可，其材质没有特别限定。作为构成基层11的材料，优选树脂。
作为树脂，可列举聚酰亚胺系树脂(聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺等)、聚酯系树脂(聚烯烃对苯二甲酸酯、聚烯烃萘二甲酸酯等)、聚酰胺系树脂(尼龙等)、聚烯烃系树脂(高密度聚烯烃、低密度聚烯烃、均聚烯烃、无规聚烯烃等)、聚砜系树脂、聚醚砜系树脂、聚醚醚酮系树脂、聚苯硫醚系树脂、聚氨酯树脂(热塑性聚氨酯弹性体等)等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。
这些中，优选聚酰亚胺系树脂和/或聚酯系树脂。
其中，作为聚酰亚胺系树脂，可列举聚酰亚胺、聚醚酰亚胺和聚酰胺酰亚胺等。这些中，优选聚酰亚胺。具体而言，可列举三井化学株式会社制“aurum(商品名)”、东丽杜邦公司制“kapton(商品名)”、东洋纺织株式会社制“xenomax(商品名)”、宇部兴产株式会社制“upilex(商品名)”、株式会社钟化制“apical(商品名)”、三菱瓦斯化学株式会社制的“neopulim(商品名)”、仓敷纺织株式会社制的“midfil(商品名)”等。
另一方面，作为聚酯系树脂，可列举聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚对苯二甲酸丁二醇酯等、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸丁二醇酯等。这些中，特别优选聚对苯二甲酸乙二醇酯和/或聚萘二甲酸乙二醇酯。
另外，构成该基层11的材料优选熔点为200℃以上，或者不具有熔点(加热分解时，分解温度为200℃以上)。构成基层11的材料具有熔点时，熔点优选200℃以上400℃以下，更优选210℃以上350℃以下，特别优选220℃以上300℃以下。
(2)粘着材层
粘着材层12是由粘着材形成的层，可以仅设置在基材11的一面上，或者设置在基层11的两面上。该粘着材层12可以与基层11直接接触而设置，也可以隔着其他层而设置。
构成粘着材层12的粘着材的150℃时的储能模量g’(150)(pa)没有特别限定，可以设为0.1×104≤g’(150)≤1000×104，优选1×104≤g’(150)≤500×104。在粘着材层12的g’(150)为1×104pa以上的情况下，能够有效地防止残胶。另一方面，通过为500×104pa以下，能够得到充分的粘着力。g’(150)进一步更优选2×104≤g’(150)≤2×106。
进一步，粘着材层12的粘着力没有特别限定，但粘贴于硅晶片的表面并放置60分钟后从硅晶片的表面剥离时的、依据jisz0237测定的对于硅晶片的粘着力优选为(在温度23℃、相对湿度50％的环境下测定)0.1～10n/25mm。在粘着力为上述范围的情况下，能够确保与半导体部件的良好粘接性，并且抑制剥离密封后的电子部件时的残胶。该粘着力进一步更优选0.2n/25mm以上9n/25mm以下，进一步优选0.3n/25mm以上8n/25mm以下。
另外，粘着材层12的厚度(基层11的一面侧的厚度)没有特别限定，但优选0.5μm以上50μm以下，更优选1μm以上35μm以下，特别优选3μm以上25μm以下。
粘着材只要具有上述特性即可，可以使用任何材料。通常至少包含粘着主剂。作为粘着主剂，可列举丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、橡胶系粘着剂等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。这些中，优选丙烯酸系粘着剂。
作为丙烯酸系粘着剂，可列举丙烯酸酯化合物的均聚物、丙烯酸酯化合物与共聚单体的共聚物等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。
另外，作为丙烯酸酯化合物，可列举丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯和丙烯酸2-乙基己酯等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。
进一步，作为共聚单体，可列举乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯酰胺、苯乙烯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸、甲基丙烯酸羟基乙酯、甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、马来酸酐等。
进一步，粘着材除了粘着主剂以外，还可以包含交联剂。作为交联剂，可列举环氧系交联剂(季戊四醇聚缩水甘油醚等)、异氰酸酯系交联剂(二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、聚异氰酸酯等)。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。在粘着材包含交联剂的情况下，将粘着材整体设为100质量份，交联剂的含量优选设为10质量份以下。另外，粘着材层的粘着力可以通过交联剂的含量进行调整。具体而言，可以利用日本特开2004-115591号公报所记载的方法。
另外，粘着剂可以是会通过能量射线固化的能量固化型粘着材，也可以是不会通过能量射线固化的能量非固化型粘着材。
其中，在为能量固化型粘着材的情况下，通过对粘着材进行能量射线照射，能够使粘着材固化，使其粘着力降低。因此，使所得的电子部件(将半导体部件以阵列状密封而成的电子部件)与电子部件保护膜分离时，能够更加确实地防止针对电子部件的残胶。
能量固化型粘着材可以是通过任何能量射线固化的粘着材，作为能量射线，可列举紫外线、电子射线、红外线等。这些能量射线可以仅使用一种，也可以并用两种以上。具体而言，可列举通过紫外线固化的紫外线固化型粘着剂。
在为能量固化型粘着材的情况下，粘着材除了上述粘着主剂以外，还可以包含分子内具有碳-碳双键的化合物(以下，简称为“固化性化合物”)以及能够与能量射线反应而引发固化性化合物的聚合的光聚合引发剂。该固化性化合物优选分子中具有碳-碳双键并且能够通过自由基聚合进行固化的单体、低聚物和/或聚合物。具体而言，作为固化性化合物，可列举三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。在粘着材包含固化性化合物的情况下，固化性化合物的含量相对于粘着材100质量份优选0.1～20重量份。
需要说明的是，分子内的碳-碳双键，也可以通过存在于上述粘着主剂的分子内而被包含。即，例如，粘着主剂可以设为侧链具有碳-碳双键的能量固化型聚合物等。这样，粘着主剂在分子内具有固化性结构的情况下，上述固化性化合物可以配合也可以不配合。
另一方面，作为光聚合引发剂，优选通过能量射线的照射能够生成自由基的化合物。具体而言，可列举苯乙酮系光聚合引发剂{甲氧基苯乙酮等}、α-酮醇化合物{4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基环己基苯基酮等}、缩酮系化合物{苯偶酰二甲基缩酮等}、苯偶因系光聚合引发剂{苯偶因、苯偶因烷基醚类(苯偶因甲基醚、苯偶因异丙基醚、苯偶因异丁基醚)等}、二苯甲酮系光聚合引发剂{二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸等}、芳香族缩酮类{苯偶酰二甲基缩酮等}等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。粘着材包含光聚合引发剂的情况下，光聚合引发剂的含量相对于粘着材100质量份优选设为5～15质量份。
(3)其他层
本发明的电子部件保护膜1可以仅由基层11和粘着材层12构成，也可以具备其他层。作为其他层，可列举能够吸收粘贴面的凹凸形状而使膜面平滑的凹凸吸收层、提高与粘着材的界面强度的界面强度提高层、抑制低分子量成分从基材向粘着面转移的转移防止层等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。
(4)电子部件保护膜的制造
本发明的电子部件保护膜可以通过任何方法制造，其方法没有特别限定。具体而言，可以通过共挤出法、挤出层压法、粘接层压法、涂布法等方法制造。其中，共挤出法是通过共挤出将形成基层11的熔融树脂与形成粘着材层12的熔融树脂层叠而制造电子部件保护膜的方法。
另外，挤出层压法是通过挤出将形成粘着材层12的熔融树脂层叠于基层11上而制造电子部件保护膜的方法。
进一步，涂布法是通过涂布或涂覆将形成粘着材层12的熔融树脂层叠于基层11上而制造电子部件保护膜的方法。在使用能量固化型粘着材作为构成粘着材层12的粘着材的情况下，优选使用该涂布法。
另外，粘接层压法是通过热压接、粘接剂、热熔胶等将基层11与粘着材层12层叠而制造电子部件保护膜的方法。
这些方法可以仅使用一种也可以并用两种以上。
(5)粘贴对象的半导体部件
作为能够合适地粘贴于本发明的电子部件保护膜1的半导体部件，可列举使用了硅基板、蓝宝石基板、锗基板、锗-砷基板、镓-磷基板、镓-砷-铝基板等的半导体部件等。其中，使用了蓝宝石基板的半导体部件可列举在蓝宝石基板上层叠有半导体层(gan等)的半导体部件。通常，这些半导体部件可以从半导体晶片切出而得到。在这些半导体部件的表面，可以形成有电路也可以没有形成电路。作为电路，可列举配线、电容器、二极管和晶体管等。可以仅使用一种也可以并用两种以上。
另外，特别地，这些半导体部件优选为通过老化试验等的筛选除掉了初期缺陷的半导体部件。
[2]电子部件保护构件
本发明的电子部件保护构件15是电子部件的制造方法中使用的电子部件保护构件。该电子部件的制造方法为如下方法：在露出于电子部件保护构件15的开口部71的粘着材层12的表面12a，以彼此分离的状态粘贴多个半导体部件20，接着，使用密封剂30覆盖粘着材层12的表面12a和半导体部件20，然后将密封剂30加热固化，从而得到以阵列状密封而成的电子部件50(参照图2-图3)。对于该电子部件的制造方法，后面描述。
另外，本发明的电子部件保护构件15具备：具有开口部17的框体7、以及以覆盖开口部17的方式粘贴于框体7的一面7a的电子部件保护膜1。并且，电子部件保护膜1具备基层11和粘着材层12。并且，该电子部件保护膜1通过粘着材层12粘贴于框体7的一面7a。关于电子部件保护膜1，可以直接应用前述的本发明的电子部件保护膜1的记载。
另一方面，作为框体7，例如，可以使用环状框架。框体7的外形没有限定，可以适宜形成根据需要的形状。例如，可以采用圆形或四边形等。同样地，开口部71的外形也没有限定，可以适宜形成根据需要的形状，例如，可以采用圆形或四边形等。构成框体7的材质也没有限定，例如，可以使用树脂和/或金属等。
另外，以覆盖框体7的开口部71的方式将电子部件保护膜1的粘着材层12粘贴于框体7的一面7a时，可以根据需要进行加热。
[2]电子部件的制造方法
本发明的电子部件的制造方法具备：膜粘贴工序(电子部件保护构件形成工序)(r1)、半导体部件粘贴工序(r2)、密封剂被覆工序(r3)、以及加热固化工序(r4)。
膜粘贴工序(电子部件保护构件形成工序)r1(参照图2)是以覆盖具有开口部71的框体7的开口部71的方式将电子部件保护膜1的粘着材层12粘贴于框体7的一面7a的工序。其中，关于框体7，如前所述。另外，该工序中，可以根据需要将加热后的膜1粘贴于框体7。
半导体部件粘贴工序r2(参照图3)是在露出于开口部71的粘着材层12的表面12a，以彼此分离的状态粘贴多个半导体部件20的工序。
关于半导体部件20，如以上([1](5))所述。在该半导体部件20需要进一步形成电路等的情况下，可以将电路形成面(要形成电路的面)粘贴于粘着材层12的表面12a，也可以将电路非形成面(不形成电路的面)粘贴于粘着材层12的表面12a。它们中，优选前者。
密封剂被覆工序r3(参照图4)是使用密封剂30覆盖粘着材层12的表面12a和半导体部件20的工序。
密封剂30可以利用环氧树脂等公知的密封剂用的树脂。本发明中，使用通过加热而固化的加热固化型的密封剂30。
该密封剂30可以是液状的密封剂，也可以是块状的密封剂，也可以是膜状的密封剂，进一步，还可以是其他形态的密封剂。其中，在液状的密封剂30的情况下，可以通过涂布或旋涂等，使用密封剂30(未固化的密封材)覆盖半导体部件20。另外，在块状的密封剂30的情况下，可以利用加压板(可以根据需要进行加热)进行按压，从而使用密封剂30(未固化的密封材)覆盖半导体部件20。进一步，在膜状的密封剂30的情况下，可以通过粘贴膜状的密封剂30而使用密封剂30(未固化的密封材)覆盖半导体部件20。
加热固化工序r4(参照图5)是将密封剂30加热固化，从而得到以阵列状密封而成的电子部件50的工序。即，电子部件50至少具备半导体部件20和经固化的密封材30’。
该工序中，根据上述密封剂30，进行必要的加热，使密封剂30固化。此时的固化温度通常为100℃以上，优选100℃以上180℃以下，更优选120℃以上150℃以下。
本发明的方法中，除了上述各工序以外还可以具备其他工序。作为其他工序，可列举：对以阵列状密封而成的电子部件50形成配线层的配线层形成工序、将形成有配线层的以阵列状密封而成的电子部件51进行单片化的单片化工序等。
作为上述配线层，可列举为了安装于电子部件安装用的基板所需要的配线层。具体而言，可列举安装用的凸块(焊料球)、平面电极片、带状电极片等各种电极片、以及这些电极片与半导体部件的电路的连接用配线等。它们可以仅使用一种也可以并用两种以上。
本发明的封装体的制造方法的特征在于，具备安装工序，即：将形成有配线层且以阵列状密封而成的电子部件51进行单片化，将所得的单片化电子部件安装于基板。即，通过切割将形成有配线层且以阵列状密封而成的电子部件51单片化为所需大小，并安装所得的单片化电子部件。该单片化中，可以按照一个电子部件内包含至少一个半导体部件的方式进行单片化，但也包括按照一个电子部件内包含两个以上的半导体部件的方式进行单片化的情况。
[3]封装体的制造方法
本发明的封装体的制造方法的特征在于，具备安装工序，即：将形成有配线层且以阵列状密封而成的电子部件51进行单片化，将所得的单片化电子部件安装于基板(电子部件安装用的基板)。即，通过切割将形成有配线层且以阵列状密封而成的电子部件51单片化为所需大小，并安装所得的单片化电子部件。该单片化中，可以按照一个电子部件内包含至少一个半导体部件的方式进行单片化，但也包括按照一个电子部件内包含两个以上的半导体部件的方式进行单片化的情况。
实施例
以下，通过实施例具体说明本发明。
[1]电子部件保护膜的制造
〈实施例1〉
(1)基层
作为基层11，使用厚度25μm的聚酰亚胺(pi)膜(东丽杜邦株式会社制，品名“kapton100v”，温度50～200℃时的热膨胀系数27ppm/k、密度1420kg/m3、无熔点)。
使用该基层11，通过动态粘弹性测定装置(dma：dynamicmechanicalanalysis)(制品名：rsa-3、ta仪器公司制)测定拉伸弹性模量e’。具体而言，将样品尺寸设为宽度10mm、夹具间的长度20mm，在频率1hz、升温速度5℃/分钟的测定条件下从-20℃至200℃进行测定，从所得的数据读取各温度的数据。即，将50℃时的值设为拉伸弹性模量e’(50)，将160℃时的值设为拉伸弹性模量e’(160)。其结果，e’(50)为3×109pa，e’(160)为2×109pa。其结果，比re(＝e’(160)/e’(50))为0.66。
(2)粘着材层
将本公司制的紫外线固化型的丙烯酸系粘着剂成型为厚度10μm，制成粘着材层12。该粘着剂层12的150℃时的储能模量g’(150)为2.8×104pa。测定使用动态粘弹性测定装置(制品名：ares、ta仪器公司制)进行。具体而言，将上述紫外线固化型的丙烯酸系粘着剂成型为厚度500μm所得的样品设置于动态粘弹性测定装置，使用直径8mm的平行板型配件，从-40℃以升温速度3℃/分钟升温至200℃，并且以测定频率1hz进行储能模量的测定。测定结束后，从所得的储能模量-温度曲线读取150℃时的储能模量g’的值。
(3)基层与粘着材层的层叠
在上述(1)中得到的基层11的一面层压上述(2)的粘着材层12，得到实施例1的电子部件保护膜1。
使用所得的实施例1的电子部件保护膜1，依据jisz0237，通过以下方法测定粘着力。即，将所得的电子部件保护膜制成宽度25mm的试验片，一边用约2kg橡胶辊施加压力一边将其粘着材层12粘贴于4英寸的硅晶片。接着，在温度23℃、相对湿度50％的环境下放置60分钟。然后，测定将试验片在180°方向上以剥离速度300mm/分钟从硅晶片剥离时的粘着力。粘着力的测定进行两次，将平均值设为“粘着力”(n/25mm)。其结果，基于实施例1的电子部件保护膜1的粘着力为6.2n/25mm。
〈实施例2〉
作为基层11，使用与实施例1相同的聚酰亚胺(pi)膜。
作为粘着材层12，使用厚度10μm的非固化型的丙烯酸系粘着剂(a)。与实施例1同样地测定的、该粘着材层12的g’(150)为160×104pa。
与实施例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12层叠，得到实施例2的电子部件保护膜1。使用所得的实施例2的电子部件保护膜1，与实施例1同样地测定的粘着力为0.7n/25mm。
〈实施例3〉
作为基层11，使用与实施例1相同的聚酰亚胺(pi)膜。
作为粘着材层12，使用厚度10μm的非固化型的丙烯酸系粘着剂(b)。与实施例1同样地测定的、该粘着材层12的g’(150)为42×104pa。
与实施例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12层叠，得到实施例3的电子部件保护膜1。使用所得的实验例3的电子部件保护膜，与实施例1同样地测定的粘着力为2.7n/25mm。
〈实施例4〉
作为基层11，使用与实施例1相同的聚酰亚胺(pi)膜。
作为粘着材层12，使用厚度10μm的非固化型的丙烯酸系粘着剂(c)。与实施例1同样地测定的、该粘着材层12的g’(150)为0.9×104pa。
与实施例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12层叠，得到实施例4的电子部件保护膜1。使用所得的实验例4的电子部件保护膜，与实施例1同样地测定的粘着力为9.7n/25mm。
〈实施例5〉
作为基层11，使用厚度25μm的聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)膜(帝人杜邦膜株式会社制，品名“teonex”、温度50～200℃时的热膨胀系数13ppm/k、密度1360kg/m3、熔点269℃)。与实施例1同样地测定的、该基层11的e’(50)为3×109pa，e’(160)为1×109pa，比re为0.33。
作为粘着材层12，使用与实施例1相同的粘着材层(10μm)。
与实施例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12层叠，得到实施例5的电子部件保护膜1。使用所得的实验例5的电子部件保护膜，与实施例1同样地测定的粘着力为6.2n/25mm。
〈实施例6〉
作为基层11，使用挤出成型为厚度50μm的聚对苯二甲酸丁二醇酯(pbt)膜(东丽株式会社制，品名“toraycon”、温度50～200℃时的热膨胀系数94ppm/k、密度1310kg/m3、熔点224℃)。使用该基层11，与实施例1同样地测定的e’(50)为3×108pa，e’(160)为1×108pa，比re为0.33。
作为粘着材层12，使用与实施例1相同的粘着材层(10μm)。
与实施例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12层叠，得到实施例6的电子部件保护膜1。使用所得的实验例6的电子部件保护膜，与实施例1同样地测定的粘着力为6.2n/25mm。
〈实施例7〉
作为基层11，使用厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜(东丽株式会社制，品名“lumirror”、温度50～200℃时的热膨胀系数15ppm/k、密度1400kg/m3、熔点258℃)。与实施例1同样地测定的、该基层11的e’(50)为4×109pa，e’(160)为4×108pa，比re为0.1。
作为粘着材层12，使用与实施例1相同的粘着材层(10μm)。
与实施例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12层叠，得到实施例7的电子部件保护膜1。使用所得的实验例7的电子部件保护膜，与实施例1同样地测定的粘着力为6.2n/25mm。
〈比较例1〉
作为基层11，使用挤出成型为厚度100μm的聚丙烯膜(株式会社普瑞曼聚合物制，品名“f107bv”、温度50～120℃时的热膨胀系数110ppm/k、密度910kg/m3、熔点160℃)。与实施例1同样地测定的、该基层11的e’(50)为7×108pa，e’(160)为3×106pa，比re为0.004。
作为粘着材层12，使用与实施例1相同的粘着材层(10μm)。
与实施例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12层叠，得到比较例1的电子部件保护膜1。使用所得的比较例1的电子部件保护膜，与实施例1同样地测定的粘着力为6.2n/25mm。
〈比较例2〉
作为基层11，使用挤出成型为厚度100μm的聚乙烯膜(三井杜邦聚合化学株式会社制，品名“mirason11p”、温度50～100℃时的热膨胀系数120ppm/k、密度917kg/m3、熔点107℃)。与实施例1同样地测定的、该基层11的e’(50)为6×107pa，e’(160)因断裂而无法测定。其结果，比re小于0.005。
作为粘着材层12，使用与实施例1相同的粘着材层(10μm)。
与实施例1的情况同样地，将基层11与粘着材层12层叠，得到比较例2的电子部件保护膜1。使用所得的比较例2的电子部件保护膜，与实施例1同样地测定的粘着力为6.2n/25mm。
[表1]
[2]使用了电子部件保护膜的试验
使用实施例1-7和比较例1-2，进行以下的两种试验。
(1)试验1(耐热性的评价)
将上述[1]中得到的实施例1-7和比较例1-2的各电子部件保护膜的基层11一侧吸附固定于设定为温度150℃的真空吸附式的载片台(承载盘)，经过10分钟后，破坏真空，从载片台取下各电子部件保护膜。此时，按照以下基准评价从载片台取下的容易性，将其结果示于表1。
“○”···能够没问题地取下。
“×”···可看见与载片台熔接，不容易取下。
(2)试验2(残胶的评价)
将上述[1]中得到的实施例1-7和比较例1-2的各电子部件保护膜的粘着材层12一侧粘贴于4英寸尺寸的硅晶片的镜面，将晶片面设置于150度的热板上，维持10分钟后，将热板冷却。接着，使用高压水银灯，以累积光量成为1080mj/cm2的方式照射波长365nm的光后，将各电子部件保护膜从硅晶片剥离。此时，按照以下基准评价通过目视看到的硅晶片上的残胶，将其结果示于表1。
“○”···通过目视未看到硅晶片上的残胶。
“×”···通过目视看到了硅晶片上的残胶。
[3]实施例的效果
可知：通过电子部件保护膜1的基层11的比re为0.05＜re＜1，能够利用加热为150℃的载片台来制造电子部件。即，将经单片化的半导体部件再配置后使用密封剂以阵列状密封时，能够将密封剂的固化温度设定为150℃，因此，能够充分进行密封剂的固化，能够提高所得电子部件的耐久可靠性。
另外可知，通过将构成粘着材层12的粘着材的储能模量g’(150)设为1×104～500×104pa，即使经过150℃的加温也能够防止残胶。即，可知，即使如上所述将密封剂的固化温度设定为150℃，也能够防止残胶，抑制将残胶除去的劳力和时间，从而高效地制造电子部件。
需要说明的是，本发明中，不限于上述具体实施例所示，可以为根据目的、用途在本发明的范围内进行了各种变更的实施例。
工业实用性
本发明的电子部件保护膜、电子部件保护构件、电子部件的制造方法和封装体的制造方法广泛用于电子部件制造的用途。特别是在将经单片化的半导体部件再配置后使用密封剂以阵列状密封时，无须将密封剂的固化温度调整为较低，因此适合用于获得热特性优异且耐久性高的电子部件的目的。
符号说明
1；电子部件保护膜、15；电子部件保护构件、
11；基层、
12；粘着材层、
12a；粘着材层的表面(露出于开口部71的粘着材层12的表面)、
20；半导体部件、
30；密封剂(密封材)、
50；电子部件、
7；框体、
7a；框体的一面、
71；框体的开口部、
r1；膜粘贴工序(电子部件保护构件形成工序)、
r2；半导体部件粘贴工序、
r3；密封剂被覆工序、
r4；加热固化工序。